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LM3208 650毫安微型，可调节，降压型DC -DC转换器，用于射频功率放大器

2006年4月

LM3208

650毫安微型，可调节，降压型DC -DC

转换为射频功率放大器

概述

该LM3208是一个DC-DC转换器用于驱动优化的

从单节锂离子电池的RF功率放大器（PA ）。

然而，它也可以在许多其它应用中使用。它的步骤

降低输入电压范围为2.7V至5.5V到

0.8V的可调输出电压为3.6V 。输出电压

通过使用V设定

CON

模拟输入来控制功率电平，并

在RF功率放大器的效率。

该LM3208提供了卓越的性能为手机

和类似的RF PA的应用程序。固定频率PWM OP-

关合作最大限度地减少RF干扰。关断功能关闭

将设备关闭，并减少电池电量消耗至0.01 μA

（ TYP。）。

该LM3208是采用8引脚无铅的micro SMD

封装。高开关频率（ 2 MHz的典型值）允许使用

纤巧表面贴装元件。只有三个小巧的外部

表面贴装元件，电感器和两个陶瓷

电容器，是必需的。

特点

2 MHz（典型值）的PWM开关频率

从单节锂离子电池工作（ 2.7V至5.5V ）

可调输出电压（ 0.8V至3.6V ）

快速输出电压瞬态（ 0.8V至3.4V的25μs的

TYP 。）

650毫安最大负载能力

高效率（ 95 ％典型值在3.9V

, 3.4V

OUT

以400mA电流）

8引脚micro SMD封装

电流过载保护

热过载保护

应用

手机

手持式无线电

RF PC卡

电池供电的RF器件

典型用途

20166301

图1 LM3208的典型应用

2006美国国家半导体公司

DS201663

www.national.com

LM3208

连接图

20166399

8焊球薄型micro SMD封装，大的凸起

NS包装数TLA08GNA

订购信息

订单号

LM3208TL

LM3208TLX

包装标志（注）

XVS/33

供货方式

250个单位，带盘式

3000单位，磁带和卷盘

注意：

包标记会有所不同，从部分零件的实际物理位置。包标有“X ”表示的日期

代码。 “V”是模具的可追溯性一个NSC内部代码。双方将在生产中发生变化。 “S ”表示设备类型的转换器和“33”标识

所述装置（部件号）。

引脚说明

针＃

名字

CON

SGND

保护地

模拟电源输入。

使能输入。设置此数字输入高电平正常工作。对于关机，设置该引脚为低电平。

电压控制模拟输入。 V

CON

控制V

OUT

在PWM模式。

反馈模拟输入。连接在输出滤波电容的输出。

模拟和控制地面

电源地

交换结点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器。

连接到电感器具有的饱和电流值超过最大开关峰值

限流规格LM3208的。

描述

电源电压输入到内部PFET开关。

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LM3208

绝对最大额定值

（注1,2 ）

如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，

请向美国国家半导体销售办事处/

经销商咨询具体可用性和规格。

， PV

到SGND

PGND到SGND

EN ， FB ，V

CON

-0.2V至+ 6.0V

-0.2V至+ 0.2V

（ SGND -0.2V ）

到（Ⅴ

+0.2V)

W / 6.0V最大

（ PGND -0.2V ）

到（PV

+0.2V)

W / 6.0V最大

-0.2V至+ 0.2V

内部限制

+150C

-65 ° C至+ 150°C

+260C

ESD额定值（注13 ）

人体模型：

机器型号：

2kV

200V

工作额定值

（注1,2 ）

输入电压范围

推荐负载电流

结温（T

）范围

环境温度（T

）范围

（注5 ）

2.7V至5.5V

0mA至650毫安

-30℃ + 125℃

-30℃ + 85℃

到V

连续功率耗散

（注3）

结温（T

J- MAX

)

存储温度范围

最大的铅温度

（焊接， 10秒）

热性能

结到环境的热

电阻（ θ

）， TLA08套餐

（注6 ）

100C/W

电气特性

（注2 ，第7 ，第8 ）的标准字体限制为T

= T

= 25℃。在限额

Bold-

脸

则适用于整个工作环境温度范围（ -30℃

≤

= T

≤

+ 85℃）。除非另有说明，所有

规范适用于与LM3208 ： PV

= V

= EN = 3.6V 。

符号

FB ， MIN

参数

反馈电压最小

环境

条件

CON

= 0.32V （注8 ）

民

0.75

3.537

典型值

0.80

3.600

0.01

0.6

140

960

300

985

650

1.8

1.2

0.5

0.15

CON

= 1.0V

0.32V

≤

CON

≤

1.44V

2.5

1100

800

2.0

375

450

1200

900

2.2

最大

0.85

3.683

0.7

180

210

单位

兆赫

FB ， MAX

反馈电压最大V

CON

= 1.44V, V

= 4.2V （注8 ）

环境

SHDN

关断电源电流

直流偏置电流中V

EN = SW = V

CON

= 0V,

（注9 ）

CON

= 0V时， FB = 0V ，

无开关（注10 ）

=的200mA， V

CON

= 0.5V

=的200mA， V

CON

= 0.32V

= -200mA ，V

CON

= 0.5V

CON

= 0.5V （注11 ）

CON

= 0.32V （注11 ）

DSON （ P）

引脚对引脚电阻大

PFET

DSON （ P）

引脚对引脚电阻小

PFET

DSON （ N）

引脚对引脚电阻用于NFET

大PFET （ L）开关峰值

LIM

（ L_PFET ）电流限制

小PFET （ S）开关峰值

LIM

（ S_PFET ）电流限制

OSC

IH ， EN

IL ， EN

PIN ， EN

内部振荡器频率

逻辑高输入阈值

逻辑低电平输入阈值

EN引脚下拉电流

CON ，ON

CON

阈值，用于接通

开关

CON

收益

CON

引脚漏电流

CON

到V

OUT

收益

V/V

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LM3208

系统特点

下面的规格表中的条目由设计保证提供组件

在典型应用电路值用于（ L = 3.0μH ， DCR = 0.12Ω ， FDK MIPW3226D3R0M ;

= 10μF ， 6.3V ， 0805 ，

TDK C2012X5R0J106K ;

OUT

= 4.7μF ， 6.3V ， 0603 ， TDK C1608X5R0J475M ）。

这些参数不保证

生产测试。

Min和Max值规定在环境温度范围T

= -30℃至85℃ 。典型val-

UE被在PV中

= V

= EN = 3.6V和T

= 25℃ ，除非另有规定。

符号

响应

参数

条件

民

典型值

0.39

0.37

650

400

+50

0.42

0.40

最大

0.45

0.43

单位

时间V

OUT

从0.8V V上升

= 4.2V ，R

负载

= 5.5

到3.4V （达到3.35V ）

时间V

OUT

从3.4V下降

到0.8V

CON

＆ GT ;

CON

＆ GT ;

OUT ， MAX

CON

输入电容

EN输入电容

DSON （ P）

管理

门槛

DSON （ P）

管理

门槛

最大输出电流

= 4.2V ，R

负载

= 15

CON

= 1V, V

= 2.7V至5.5V ，

测试频率= 100kHz的

EN = 2V ，V

= 2.7V至5.5V ，

测试频率= 100kHz的

门槛PFET

DSON （ P）

要改变

从960mΩ到140mΩ

门槛PFET

DSON （ P）

要改变

从140mΩ到960mΩ

= 2.7V至5.5V ，V

CON

= 0.45V到

1.44V ，L = MIPW3226D3R0

= 2.7V至5.5V ，V

CON

= 0.32V到

0.45V ，L = MIPW3226D3R0

线性

线性控制范围0.32V V

= 3.9V （注14 ）

单调的性质

到1.44V

启动时间

EN =低到高，V

= 4.2V, V

OUT

（时间输出达到3.4V的97％，

最终值后使能低

OUT

≤

1mA

高转换）

效率

= 3.6V, V

OUT

= 0.8V ，我

OUT

= 90毫安

= 3.6V, V

OUT

= 1.5V ，我

OUT

= 150毫安

= 3.9V, V

OUT

= 3.4V ，我

OUT

= 400毫安

OUT

在_ripple纹波电压

无脉冲跳跃条件

在纹波电压

脉冲跳跃条件

Line_tr

线路瞬态响应

= 2.7V至4.5V ，V

OUT

= 0.8V至3.4V ，

差分电压 - V

- V

OUT

＆ GT ;

1V,

OUT

= 0mA至400毫安（注12 ）

= 5.5V滤除，V

OUT

= 3.4V,

OUT

= 650毫安（注12 ）

= 3.6V至4.2V ，

= T

= 10s,

OUT

= 0.8V ，我

OUT

= 100毫安

= 3.1/3.6/4.5V, V

OUT

= 0.8V,

OUT

= 50mA至150毫安

100

MVP -P

mVpk

Load_tr

MAX DUTY

周期

负载瞬态响应

最大占空比

mVpk

注1 ：

最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况

该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件，请参阅

电气特性表。

注2 ：

所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。该LM3208是专为手机应用开启后，电是

由系统控制器和控制，其中一个小的封装尺寸否决增加芯片尺寸的内部欠压锁定（ UVLO ）电路的要求。

因此，应保持在关机按住EN引脚为低电平，直到输入电压超过2.7V 。

注3 ：

内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T

= 150°C （典型值），并脱离在T

125°C （典型值）。

注4 ：

人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。（ MIL - STD-883标准3015.7 ）机器模型是一个200pF的

电容直接排入每个引脚。

注5 ：

在应用中，高功率耗散和/或封装的热性能差的存在，在最大环境温度可能要

降额。最高环境温度（T

A- MAX

）是依赖于最大工作结温（T

J- MAX -OP

= 125℃ ），其最大功率

该装置中的应用程序的耗散性（P

D- MAX

），以及结点到环境的部件/封装的热阻在应用程序（ θ

），如由下式给出的

下面的公式：T已

A- MAX

= T

J- MAX -OP

– (θ

X P

D- MAX

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LM3208

注6 ：

结点至环境热阻（ θ

）取自热测量，阐述了JEDEC条件和指引下进行

标准JESD51-7 。 A 4层， 4" X 4" ， 2/1/1/2盎司的Cu板根据JEDEC标准被用于测量。

注7 ：

最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。应有

到测试T的脉冲性质

= T

电气特性表。

注8 ：

在电气特性表中的参数是在PV开环的条件下进行测试

= V

= 3.6V ，除非另有规定。为

性能超过输入电压范围和闭环的结果，请参阅表曲线。

注9 ：

关断电流包括PFET的漏电流。

注10 ：

此处指定的是当这部分不被切换。对于工作静态电流在无负载，请参阅数据表曲线。

注11 ：

电流限制是内置的，固定的，不可调的。电气特性表反映的开环数据（ FB = 0V ，电流从SW引脚拉憋足

直至逐周期的限制被激活）。请参阅系统特性表的最大输出电流。

注12 ：

纹波电压应该位于C来衡量

OUT

在精心设计的印刷电路板的电极和使用该建议的电感器和电容器。

注13 ：

美国国家半导体公司建议所有集成电路与适当的预防措施进行处理。如果不遵守正确的ESD处理

过程可能会损坏。

注14 ：

线性范围是

3％或

50mV的较大者为准。