LM3207 650毫安微型，可调节，降压型DC -DC转换器，用于射频功率放大器
2007年4月
LM3207
650毫安微型，可调节，降压型DC- DC转换器
射频功率放大器，集成了Vref的LDO
概述
该LM3207是一个DC-DC转换器用于驱动优化的
从一个单一的WCDMA / CDMA射频功率放大器（PA ）
锂离子电池;然而它们可以以许多其他可用于
应用程序。它下台的输入电压为2.7V至5.5V
从0.8V （典型值）至3.6V可变输出电压（典型值） 。输出
放电压使用V设置
CON
模拟输入，用于控制
功率电平与RF功率放大器的效率。
的LM3207还提供稳定的参考电压
（ Vref）时所需的线性RF功率放大器通过IN-
tegrated LDO具有最大Iref的高达10毫安。看
订购的电压选项2页上的信息表。
该LM3207是提供一个9针无铅的micro SMD封装
年龄。高开关频率（ 2MHz的）允许使用surface-的
安装的组件。只有四个小的外部表面贴装
组件是必需的，一个电感和三个陶瓷钙
pacitors 。
特点
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■
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■
2MHz（典型值）的PWM开关频率
从单节锂离子电池工作（ 2.7V至5.5V ）
可变输出电压（ 0.8V至3.6V ）
650毫安最大负载能力
高效率（ 95 ％典型值在3.9V
IN
, 3.4V
OUT
以400mA电流）
内部同步整流
综合Vref的LDO
LDO稳压输出高达10mA的电流最大值
快速3US Vref的LDO的开/关时间
9针的micro SMD封装
电流过载保护
热过载保护
应用
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■
■
手机
手持式无线电
RF PC卡
电池供电的RF器件
典型用途
20165301
图1 LM3207的典型应用
2007美国国家半导体公司
201653
www.national.com
LM3207
连接图
20165399
9焊球薄型micro SMD封装，大的凸起
NS包装数TLA09TTA
订购信息
LDO电压选项
2.875
2.53
订单号
LM3207TL
LM3207TLX
LM3207TL-2.53
LM3207TLX-2.53
最热（注）
XVS/34
XVS/34
XVS/43
XVS/43
供货方式
250个单位，带盘式
3000单位，磁带和卷盘
250个单位，带盘式
3000单位，磁带和卷盘
注意：
包标记会有所不同，从部分零件的实际物理位置。包标有“X ”表示的日期代码。的“V”是NSC内部
对模具的追踪代码。两者都将有很大的不同。 “S ”表示该设备类型的切换设备。 “ 34 ”标识的器件型号/选项。
引脚说明
针＃
A1
B1
C1
C2
C3
B3
A3
A2
名字
PV
IN
EN
LDO
FB
V
CON
LDO
SGND
保护地
SW
电源电压输入。
LDO使能输入。设置此数字输入高电平使LDO （ EN引脚也必须设置为高） 。关机，
设置为低。
反馈模拟输入。连接在输出滤波电容的输出。
电压控制模拟输入。 V
CON
控制V
OUT
在PWM模式。
LDO输出电压。
模拟和控制地面。
电源地。
交换结点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器。连接到
电感器的饱和电流值超过最大开关峰值电流限制规范
的LM3207 。
PWM使能输入。设置此数字输入高电平正常工作。对于关机，设置为低。
描述
B2
EN
www.national.com
2
LM3207
绝对最大额定值
（注1,2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
PV
IN
到SGND
PGND到SGND
EN ， FB ，V
CON
， EN
LDO
， LDO
-0.2V至+ 6.0V
-0.2V至+ 0.2V
（ SGND -0.2V ）
到（Ⅴ
DD
+0.2V)
W / 6.0V最大
（ PGND -0.2V ）
到（PV
IN
+0.2V)
W / 6.0V最大
-0.2V至+ 0.2V
内部限制
+150°C
存储温度范围
最大的铅温度
（焊接， 10秒）
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
（注1,2 ）
2.7V至5.5V
0mA至650毫安
-30℃ + 125℃
-30℃ + 85℃
工作额定值
SW
输入电压范围
推荐负载电流
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
“ （注
4)
热性能
结到环境的热
电阻（ θ
JA
） ， TLA09套餐
（注5 ）
100°C/W
PV
IN
连续功率耗散
“ （注
3)
结温（T
J- MAX
)
电气特性
符号
LDO
V
LDO
V
LDO ， MIN
I
SC
I
放
I
PD
I
太平洋夏令时
I
Q_LDO + PWM
I
PIN ， EN
LDO
SWITCHER
V
FB ， MIN
V
FB ， MAX
I
SHDN
I
Q_PWM
R
DSON （ P）
R
DSON （ N）
I
LIM ， PFET
F
OSC
V
IH ， EN
V
IL ， EN
I
PIN ， EN
LDO输出电压
短路电流（ DC）的
上拉电流（瞬间）
DC下拉电流（ DC ）
参数
（注2 ， 6 ， 7 ）在标准字体限为T
A
= T
J
= 25℃。在限额
粗体
则适用于整个工作环境温度范围（ -30℃
≤
T
A
= T
J
≤
+ 85℃） 。除非另有说明，所有
规范适用于所有的LM3207 LDO的选项为： PV
IN
= V
IN
EN
LDO
= EN = 3.6V 。
条件
IOUT = 0 mA时
-2.6
50
150
-50
-200
1.2
5
1.6
10
V
LDO
= 0
V
LDO
= V
LDO （ NOM ）
/ 2 ， PV
IN
= 3V
（注12 ）
V
LDO
？ PV
IN
， EN
LDO
= 0
V
LDO
= 1.44V ， PV
IN
= 3V
（注12 ）
V
CON
= 2V ， FB = 0V ，没有开关，
EN
LDO
= EN = 3.6V （注9 ）
民
典型值
最大
+2.6
单位
%
%
mA
mA
mA
mA
mA
uA
最小的LDO输出电压IOUT = 10毫安， PV
IN
= 3V
下拉电流（瞬间）
DC偏置电流转换成光伏
IN
LDO管脚下拉电流
反馈电压的最小V
CON
= 0.32V
环境
反馈电压最大V
CON
= 1.44V ， PV
IN
= 4.2V
环境
关断电源电流
DC偏置电流转换成光伏
IN
引脚对引脚电阻用于PFET
引脚对引脚电阻用于NFET
开关峰值电流限制
内部振荡器频率
逻辑高输入阈值
（ PWM ， LDO ）
逻辑低电平输入阈值
（ PWM ， LDO ）
PWM引脚下拉电流
EN = EN
LDO
= SW = V
CON
= 0V,
（注8）
V
CON
= 2V ， FB = 0V ， EN
LDO
= 0V ,
EN = 3.6V ，无开关（注9 ）
I
SW
= 200毫安
I
SW
= - 200毫安
（注10 ）
0.75
3.537
0.8
3.6
0.01
1.1
140
300
0.85
3.683
2
1.6
200
230
415
485
1200
2.3
V
V
A
mA
m
m
mA
兆赫
V
935
1.7
1.2
1100
2
0.5
5
10
V
A
3
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LM3207
系统特点
下面的规格表中的条目由设计保证提供组件
在典型应用电路值用于（ L = 3.0μH ， （ DCR = 0.12Ω ， FDK MIPW3226D3R0M ） ;
C
IN
= 10μF ， （ 6.3V ， 0805 ， TDK C2012X5R0J106K ） ;
OUT
= 4.7μF ， （ 6.3V ， 0603 ， TDK C1608X5R0J475M ） ;
LDO
= 100nF的， （ 10V ，
0402 ， TDK C1005X5R1A104KT ） （或220nF的， （ 6.3V ， 0402 ， TDK C1005X5R0J224KT ） ） ） 。
这些参数不保证
通过生产测试。
最小值和最大值指定在V
IN
范围= 2.7V至5.5V ，并在环境温度范围
T
A
= -30℃至85℃，除非另有规定。典型值在PV中
IN
= EN = 3.6V和T
A
= 25 ° C除非另有
指定的。
符号
LDO
PSRR
V
LDO （ NOISE ）
t
LDO ，ON
电源抑制
比
输出噪声电压
时间以达到90％的
V
LDO （ NOM ）
EN后
LDO
信号变为高电平。
偏移频率= 1kHz时，C
OUT
= 100nF的，
I
OUT
= 1mA时， PV
in
- Vout的
（ NOM ）
+ 0.5V
BW = 10Hz至100kHz ，我
OUT
= 1毫安
C
LDO
= 100nF的， PWM模式假定
功能齐全EN前
LDO
变高。
PV
in
= 3V ，R
负载
= 562 Ω （注
12)
C
LDO
= 220nF的， PWM模式假定
功能齐全EN前
LDO
变高。
PV
in
= 3V ，R
负载
= 562 Ω （注
12)
t
LDO ，关
时间以达到10％的
V
LDO （ NOM ）
EN后
LDO
信号变低。
C
LDO
= 100nF的， PV
in
= 3V ， IOUT = 0毫安
（注12 ）
C
LDO
= 220nF的， PV
in
= 3V ， IOUT = 0毫安
（注12 ）
3
uS
5
5
uS
50
30
3
dB
uVrms
uS
参数
条件
民
典型值
最大
单位
SWITCHER
T
响应
（上升时间为V
OUT
从PV上升
IN
= 4.2V ，C
OUT
= 4.7uF的，L = 3.0uH ，
时间）
0.8V至3.6V
R
负载
= 5.5
T
响应
（秋天
时间）
C
CON
V
CON
线性
T
_ON
时间V
OUT
从PV下降
IN
= 4.2V ，C
OUT
= 4.7uF的，L = 3.0uH ，
3.6V至0.8V
R
负载
= 10
V
CON
输入电容
线性控制中
范围0.32V至1.44V
启动时间
（时间输出达到
从启用低到3.6V
高转换）
效率
（ L = 3.0μH ， DCR
≤
100m)
纹波电压， PWM
模式
线路瞬态响应
V
CON
= 1V,
测试频率为100千赫
PV
IN
= 3.9V ，单调的性质
EN =低到高， PV
IN
= 4.2V,
V
O
= 3.6V ，C
OUT
= 4.7F,
I
OUT
≤
1mA
-3
20
20
30
30
20
+3
s
s
pF
%
70
100
s
η
PV
IN
= 3.6V, V
OUT
= 0.8V ，我
OUT
= 90毫安
PV
IN
= 3.9V, V
OUT
= 3.4V ，我
OUT
= 400毫安
PV
IN
= 3V至4.5V ，V
OUT
= 0.8V,
I
OUT
= 10mA至400毫安， （注11 ）
PV
IN
= 600mV的扰动，
T
上升
= T
秋天
= 10μs的，V
OUT
= 0.8V,
I
OUT
= 100毫安
PV
IN
= 3.1/3.6/4.5V, V
OUT
= 0.8V,
瞬态高达100mA的电流，
T
上升
= T
秋天
= 10s
81
95
10
%
%
MVP -P
V
O_RIPPLE
Line_tr
50
mV
Load_tr
负载瞬态响应
50
mV
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置的有保证。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件下，
请参阅电气特性表。
注2 ：
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。该LM3207是专为手机应用开启后，电是
由系统控制器控制，并在那里的一个小尺寸封装否决增加芯片尺寸的内部欠压锁定，输出的要求（ UVLO ）
电路。因此，应保持在关机按住EN引脚为低电平，直到输入电压超过2.7V 。
注3 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 150°C （典型值），并脱离在T
J
= 130 ° C（典型值） 。
5
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