LM3206 650毫安微型，降压型DC -DC转换器，用于便携式应用
2006年10月
LM3206
650毫安微型，降压型DC -DC转换器
便携式应用
概述
该LM3206是一个DC-DC转换器用于驱动优化的
然而，便携式应用从单节锂离子电池，
它们可以在许多其它应用中使用。它下台
输入电压从3.25V至5.5V ，以一个固定的输出电压
的3.09V 。
该LM3206提供了卓越的性能为手机
和其他应用程序需要低压差电压。固定
频率PWM工作最大限度地降低射频干扰。该
关机功能将设备关闭，并减少电池
消耗0.01 μA （典型值） 。
该LM3206是采用8引脚无铅的micro SMD
封装。高开关频率（ 2兆赫）允许使用
微型表面贴装元件。只有三个小巧的外部
表面贴装元件，电感器和两个陶瓷钙
pacitors是必需的。
特点
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2 MHz（典型值）的PWM开关频率
从单节锂离子电池工作
固定输出电压（ 3.09V ）
650毫安最大负载能力
高效率（ 96 ％典型值电压为3.6V
IN
, 3.09V
OUT
以400mA电流）
内部同步整流
8引脚micro SMD封装
电流过载保护
热过载保护
软启动功能
低压差（ 140 mΩ的典型值PFET ）
应用
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手机
手持式无线电
RF PC卡
电池供电的RF器件
RFIC芯片组
典型用途
20198901
图1 LM3206的典型应用
2007美国国家半导体公司
201989
www.national.com
LM3206
连接图
20198999
8焊球薄型micro SMD封装，大的凸起
NS包装数TLA08HPA
订购信息
订单号
LM3206TL
LM3206TLX
包装标志（注）
XTS/29
XTS/29
供货方式
250个单位，带盘式
3000单位，磁带和卷盘
注意：
包标记会有所不同，从部分零件的实际物理位置。包标有“X ”表示的日期代码。 “T”是一个NSC内部
对模具的追踪代码。 “S ”表示该设备类型的切换设备。两者都将有很大的不同。 “29”标识的装置（部件编号，选项等）。通话
美国国家半导体公司的详细的订购信息。
引脚说明
针＃
A1
B1
C1
C2
C3
B3
A3
A2
名字
PV
IN
V
DD
EN
NC
FB
SGND
保护地
SW
模拟电源输入。
使能输入。设置此数字输入高电平正常工作。对于关机，设置为低。
可以连接到V
DD
， SGND或浮动。
反馈模拟输入。连接在输出滤波电容的输出。
模拟和控制地面
电源地
交换结点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器。
连接到电感器具有的饱和电流值超过最大开关峰值电流
极限规格LM3206的。
描述
电源电压输入到内部PFET开关。
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LM3206
下面的规格表中的条目由设计保证提供组件
在典型的应用电路的值被使用。
这些参数不是由生产测试保证。
Min和Max
限额适用于整个工作环境温度范围（ -30℃
≤
T
A
≤
85℃ ），并移到V
IN
范围= 3.25V至5.5V ，除非
另有规定，典型值是在T
A
= 25 ° C， PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V ，除非另有规定，L = 3.3μH （注14） ， DCR
升
≤
100m
（ FDK ，
MIPSA2520D3R3 ） ，C
IN
= 10μF ， 0603 ， 6.3V （ TDK ， 1608X5R0J106M ） ，C
OUT
= 10μF ， 0603 ， 6.3V （ TDK ，
1608X5R0J106M).
符号
T
_ON
参数
启动时间
（时间输出达到
从启用低到3.09V
高转换）
效率
（ L = 3.3μH ， DCR
≤
100m)
条件
EN =低到高，V
IN
= 4.2V, V
O
= 3.09V,
C
OUT
= 10μF ，我
OUT
≤
1mA
210
350
s
民
典型值
最大
单位
系统特点
η
V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 3.09V ，我
OUT
= 400毫安
V
IN
= 4.2V, V
OUT
= 3.09V ，我
OUT
= 10mA至
400毫安（注12 ）
V
IN
= 600mV的扰动，在输入电压范围3.4V
至5.5V
T
上升
= T
秋天
= 10μs的，V
OUT
= 3.09V ，我
OUT
=
100mA
V
IN
= 4.2V, V
OUT
= 3.09V ，瞬变达
百毫安，T
上升
= T
秋天
= 10s
96
5
%
MVP -P
V
OUT
_ripple纹波电压， PWM模式
Line_tr
线路瞬态响应
50
mVpk
Load_tr
负载瞬态响应
50
mVpk
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置的有保证。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件下，
请参阅电气特性表。
注2 ：
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。该LM3206是专为手机应用开启后，电是
由系统控制器控制，并在那里的一个小尺寸封装否决增加芯片尺寸的内部欠压锁定，输出的要求（ UVLO ）
电路。因此，应保持在关机按住EN引脚为低电平，直到输入电压超过3.25V 。
注3 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 150°C （典型值），并脱离在T
J
= 130 ° C（典型值） 。
注4 ：
人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。 （ MIL - STD-883标准3015.7 ）机器模型是一个200pF的
电容直接排入每个引脚。
注5 ：
在应用中，高功率耗散和/或封装的热性能差的存在，在最大环境温度可能要被去
额定。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作结温（T
J- MAX -OP
= 125 ℃） ，其最大功率耗散
该装置中的应用程序（ P的
D- MAX
），以及结点到环境的部件/封装的热阻在应用程序（ θ
JA
） ，给出由下
公式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
× P
D- MAX
).
注6 ：
结点至环境热阻（ θ
JA
）取自热测量，阐述了JEDEC条件和指引下进行
标准JESD51-7 。 A 4层， 4" X 4" ， 2/1/1/2盎司的Cu板根据JEDEC标准被用于测量。
注7 ：
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。
由于测试T的脉冲性质
A
= T
J
电气特性表。
注8 ：
在电气特性表中的参数是在PV开环的条件下进行测试
IN
= V
DD
= 3.6V 。用于对输入电压性能
范围和闭环结果指的是数据表的曲线。
注9 ：
关断电流包括PFET的漏电流。
注10 ：
I
Q
此处指定的是，当部分工作在100％占空比。
注11 ：
电流限制是内置的，固定的，不可调的。参见数据表的曲线闭环数据及其与问候与电源电压和变异
温度。电气特性表反映的开环数据（ FB = 0V ，电流从SW引脚制定加速，直到逐周期限制被激活） 。
闭环电流限制是通过增加输出电流，直到输出电压降低了10 ％，在应用电路中测得的峰值电感电流。
注12 ：
纹波电压测量应位于C
OUT
电极上良好的布局印刷电路板，并使用建议的电感器和电容器的条件下。
注13 ：
美国国家半导体公司建议所有集成电路与适当的预防措施进行处理。如果不遵守正确的ESD处理
技术会导致损坏。
注14 ：
采用FDK （ MIPSA2520D3R3 ）所列性能拍摄。请参考电感器选择指南中应用信息部分进行适当的
电感的选择。
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LM3206
（电路
图3中，
PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V ，L =器3.3uH （注
升14 ） ， DCR
≤
100m
（ FDK ，
MIPSA2520D3R3 ） ，C
IN
= 10uF的， 0603 ， 6.3V （ TDK ， 1608X5R0J106M ） ，C
OUT
= 10uF的， 0603 ， 6.3V
（ TDK， 1608X5R0J106M ），除非另有说明。
静态电流与电源电压
（无转换）
关断电流与温度
（EN = 0V ）
典型性能特性
20198957
20198956
开关频率变化与温度
(V
OUT
= 3.09V ，我
OUT
= 200毫安）
输出电压与电源电压
(V
OUT
= 3.09V)
20198962
20198963
5
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