LM3205 650毫安微型，可调节，降压型DC -DC转换器，用于射频功率放大器
2009年5月27日
LM3205
650毫安微型，可调节，降压型DC- DC转换器
射频功率放大器
概述
该LM3205是一个DC-DC转换器用于为射频优化
从单节锂离子电池功率放大器（PA ） ，然而，
它们可以在许多其它应用中使用。它下台
输入电压为2.7V至5.5V ，以可变输出电压
从0.8V （典型值）到3.6V （典型值） 。输出电压通过一个设置
V
CON
模拟输入，用于控制功率电平及效率
的射频功率放大器。
该LM3205提供了卓越的性能为手机
和类似的RF PA的应用程序。固定频率PWM能操作
ATION减少RF干扰。关机功能将
设备关闭，并减少电池电量消耗至0.01 μA （典型值） 。
该LM3205是micro SMD封装和律师事务所提供
封装。对于所有其他封装选项请联系您当地的
NSC销售办事处。
高开关频率（ 2兆赫）允许使用微小的surface-
安装的组件。只有三个小巧的外部表面贴装
元件，电感器和两个陶瓷电容器是重新
quired 。
特点
2 MHz（典型值）的PWM开关频率
从单节锂离子电池工作（ 2.7V至5.5V ）
可变输出电压（ 0.8V至3.6V ）
快速输出电压瞬态（ 0.8V至3.6V的20μs的）
650毫安最大负载能力
高效率（ 96 ％典型值在4.2V
IN
, 3.4V
OUT
以400mA电流）
内部同步整流
■
电流过载保护
■
热过载保护
套餐
■
■
■
■
■
■
■
8引脚的microSMD （无铅）
■
10引脚LLP
应用
■
■
■
■
手机
手持式无线电
RF PC卡
电池供电的RF器件
典型用途
20158001
图1 LM3205的典型应用
2009美国国家半导体公司
201580
www.national.com
LM3205
连接图
20158099
8焊球薄型micro SMD封装，大的凸起
NS包装数TLA08GNA
20158004
10引脚LLP
NS包装数SDA10A
订购信息
的microSMD
订单号
LM3205TL
LM3205TLX
包装标志（注）
XTS/32
XTS/32
供货方式
250个单位，带盘式
3000单位，磁带和卷盘
注意：
包标记会有所不同，从部分零件的实际物理位置。包标有“X ”表示的日期代码。 “T”是一个NSC内部
对模具的追踪代码。 “S ”表示该设备类型的切换设备。两者都将有很大的不同。 “32”标识的装置（部件编号，选项等）。
律师事务所
订单号
LM3205SD-2
LM3205SDX-2
包装标志（注）
XXXX
YYYY = 3205
供货方式
1000个单位，带盘式
4500单位，磁带和卷盘
注意：
包标记会有所不同，从部分零件的实际物理位置。包装标志“ XXXXX ”是模具的可追溯性代码。 “ YYYYY ”
标识装置（部件号，电压选项等）。
www.national.com
2
LM3205
引脚说明
针＃
的microSMD
A1
B1
C1
C2
C3
B3
A3
A2
律师事务所
8, 9
7
6
4
5
3
1, 2
10
PV
IN
V
DD
EN
V
CON
FB
SGND
保护地
SW
电源电压输入到内部PFET开关。
模拟电源输入。
使能输入。设置此数字输入高电平正常工作。对于关机，设置为低。
电压控制模拟输入。 V
CON
控制V
OUT
在PWM模式。
反馈模拟输入。连接在输出滤波电容的输出。
模拟和控制地面
电源地
交换结点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器。
连接到电感器具有的饱和电流值超过最大开关
峰值电流限制规范LM3205的。
名字
描述
3
www.national.com
LM3205
绝对最大额定值
（注1,2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
DD
， PV
IN
到SGND
PGND到SGND
EN ， FB ，V
CON
-0.2V至+ 6.0V
-0.2V至+ 0.2V
（ SGND -0.2V ）
到（Ⅴ
DD
+0.2V)
W / 6.0V最大
（ PGND -0.2V ）
到（PV
IN
+0.2V)
W / 6.0V最大
-0.2V至+ 0.2V
内部限制
+150°C
-65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值（注13 ）
人体模型：
机器型号：
+260°C
2千伏
200V
（注1,2 ）
2.7V至5.5V
0mA至650毫安
-30℃ + 125℃
-30℃ + 85℃
工作额定值
SW
输入电压范围
推荐负载电流
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
“ （注
5)
PV
IN
到V
DD
连续功率耗散
“ （注
3)
结温（T
J- MAX
)
存储温度范围
热性能
结至环境热的microSMD
电阻（ θ
JA
）的microSMD TLA08套餐
（注6 ）
结至环境温度LLP
电阻（ θ
JA
） ， LLP SDA10A套餐
（注6 ）
100°C/W
55°C/W
电气特性
符号
V
FB ， MIN
V
FB ， MAX
I
SHDN
I
Q
R
DSON （ P）
微
SMD
（注2 ，第7 ，第8 ）的标准字体限制为T
A
= T
J
= 25℃。在限额
粗体
则适用于整个工作环境温度范围（ -30℃
≤
T
A
= T
J
≤
+ 85℃） 。除非另有说明，所有
规范适用于LM3205TL / LM3205SD有： PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V 。
参数
反馈电压的
最小设定
反馈电压的
最高设置
关断电源电流
直流偏置电流中V
DD
引脚对引脚的电阻
PFET
引脚对引脚的电阻
NFET
引脚对引脚的电阻
PFET
引脚对引脚的电阻
NFET
开关峰值电流限制
内部振荡器
频率
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
引脚下拉电流
V
CON
输入阻抗
V
CON
到V
OUT
收益
0.32V
≤
V
CON
≤
1.44V
100
2.5
5
条件
V
CON
= 0.32V （注8 ）
V
CON
= 1.44V, V
IN
= 4.2V （注8 ）
EN = SW = V
CON
= 0V,
（注9 ）
V
CON
= 2V ， FB = 0V ，
无开关（注10 ）
I
SW
= 200毫安
I
SW
= -200mA
I
SW
= 200毫安
I
SW
= -200mA
（注11 ）
935
1.7
1.2
0.5
10
民
0.75
3.537
典型值
0.8
3.6
0.01
1
140
300
170
330
1100
2
最大
0.85
3.683
2
1.4
200
230
415
485
230
260
445
515
1200
2.3
单位
V
V
A
mA
m
m
m
m
mA
兆赫
V
V
A
k
V/V
R
DSON （ N）
微
SMD
R
DSON （ P）律师事务所
R
DSON （ N）律师事务所
I
LIM ， PFET
F
OSC
V
IH ， EN
V
IL ， EN
I
PIN ， EN
Z
CON
收益
www.national.com
4
LM3205
下面的规格表中的条目由设计保证提供组件
在典型的应用电路的值被使用。
这些参数不是由生产测试保证。
Min和Max
限额适用于整个工作环境温度范围（ -30℃
≤
T
A
≤
85℃ ），并移到V
IN
范围= 2.7V至5.5V ，T
A
=
25 ° C， PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V ， L = 3.3μH ，L的DCR
≤
为100mΩ ，C
IN
= 10μF ， 0603 ， 6.3V （ 4.7μF || 4.7μF ， 0603 ， 6.3V可使用）
C
OUT
= 4.7μF ， 0603 ， 6.3V为LM3205TL / LM3205SD除非另有说明。
符号
T
响应
参数
条件
民
典型值
20
20
最大
30
30
20
-3
-10
EN =低到高，V
IN
= 4.2V, V
O
= 3.6V,
C
OUT
= 4.7μF ，我
OUT
≤
1mA
70
100
s
+3
10
单位
s
s
pF
%
A
时间V
OUT
从0.8V V上升
IN
= 4.2V ，C
OUT
= 4.7μF ， L = 3.3μH ，
至3.6V
R
负载
= 5.5
时间V
OUT
从3.6V下降到V
IN
= 4.2V ，C
OUT
= 4.7μF ， L = 3.3μH ，
0.8V
R
负载
= 10
C
CON
线性
I
CON
T
ON
V
CON
输入电容
线性控制中
范围0.32V至1.44V
控制引脚输入电流
启动时间
（时间输出达到3.6V
从启用低到高
过渡）
效率
（ L = 3.3μH ， DCR
≤
100m)
V
CON
= 1V,
测试频率为100千赫
V
IN
= 3.9V
单调的性质
系统特点
η
V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 0.8V ，我
OUT
= 90毫安
V
IN
= 4.2V, V
OUT
= 3.4V ，我
OUT
= 400毫安
V
IN
= 3V至4.5V ，V
OUT
= 0.8V ，我
OUT
=
10毫安400mA的（注12 ）
V
IN
= 600mV的扰动，
T
上升
= T
秋天
= 10μs的，V
OUT
= 0.8V ，我
OUT
=
100mA
V
IN
= 3.1/3.6/4.5V, V
OUT
= 0.8V ，瞬态
高达100mA的电流，T
上升
= T
秋天
= 10s
83
96
10
%
%
MVP -P
V
OUT
_ripple纹波电压， PWM模式
Line_tr
线路瞬态响应
50
mVpk
Load_tr
PSRR
负载瞬态响应
50
mVpk
V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 0.8V ，我
OUT
=正弦波摄
频率= 10kHz时，振幅= 100mVp-
100mA
p
40
dB
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置的有保证。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件下，
请参阅电气特性表。
注2 ：
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。该LM3205是专为手机应用开启后，电是
由系统控制器控制，并在那里的一个小尺寸封装否决增加芯片尺寸的内部欠压锁定，输出的要求（ UVLO ）
电路。因此，应保持在关机按住EN引脚为低电平，直到输入电压超过2.7V 。
注3 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 150°C （典型值），并脱离在T
J
= 130 ° C（典型值） 。
注4 ：
人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。 （ MIL - STD-883标准3015.7 ）机器模型是一个200pF的
电容直接排入每个引脚。
注5 ：
在应用中，高功率耗散和/或封装的热性能差的存在，在最大环境温度可能要被去
额定。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作结温（T
J- MAX -OP
= 125 ℃） ，其最大功率耗散
该装置中的应用程序（ P的
D- MAX
），以及结点到环境的部件/封装的热阻在应用程序（ θ
JA
） ，给出由下
公式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
× P
D- MAX
).
注6 ：的microSMD ：结到环境
热阻（ θ
JA
）取自热测量，阐述的条件和准则下进行
在JEDEC标准JESD51-7 。 A 4层， 4" X 4" ， 2/1/1/2盎司的Cu板根据JEDEC标准被用于测量。
律师事务所：
的（ θ的值
JA
）在LLP- 10可能会下降的范围内以50℃ / W至150℃ / W的（如果不是较宽） ，这取决于电路板材料，布局和环境条件。
在实际应用中的高最大功耗退出（高V在哪里
IN
，高I
OUT
） ，必须特别注意支付给散热区。欲了解更多信息
有关这些主题的律师事务所，是指
应用笔记1187 ：无铅引线框架封装（ LLP ）
和
电源效率和功耗
第
该数据表
注7 ：
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。
由于测试T的脉冲性质
A
= T
J
电气特性表。
注8 ：
在电气特性表中的参数是在PV开环的条件下进行测试
IN
= V
DD
= 3.6V 。用于对输入电压性能
范围和闭环结果指的是数据表的曲线。
注9 ：
关断电流包括PFET的漏电流。
注10 ：
I
Q
此处指定的是，当部分工作在100％占空比。
注11 ：
电流限制是内置的，固定的，不可调的。参见数据表的曲线闭环数据及其与问候与电源电压和变异
温度。电气特性表反映的开环数据（ FB = 0V ，电流从SW引脚制定加速，直到逐周期限制被激活） 。
闭环电流限制是通过增加输出电流，直到输出电压降低了10 ％，在应用电路中测得的峰值电感电流。
5
www.national.com
LM3205 650毫安微型，可调节，降压型DC -DC转换器，用于射频功率放大器
2006年1月
LM3205
650毫安微型，可调节，降压型DC -DC
转换为射频功率放大器
概述
该LM3205是一个DC-DC转换器用于驱动优化的
从单节锂离子电池的RF功率放大器（PA ） ，
然而它们可以在许多其它应用中使用。它
降低输入电压为2.7V至5.5V ，以一个变量的步骤
输出电压为0.8V （典型值）到3.6V （典型值） 。输出电压
用V设定
CON
模拟量输入用于控制功率级
和RF功率放大器的效率。
该LM3205提供了卓越的性能为手机
和类似的RF PA的应用程序。固定频率PWM OP-
关合作最大限度地减少RF干扰。关机功能关闭
将设备关闭，并减少电池电量消耗至0.01 μA
（ TYP。 ） 。
该LM3205是micro SMD封装和律师事务所提供
封装。对于所有其他封装选项请联系您当地的
NSC销售办事处。
高开关频率（ 2兆赫）允许使用纤巧
表面贴装元件。只有三个小巧的外部
表面贴装元件，电感器和两个陶瓷
电容器。
特点
2 MHz（典型值）的PWM开关频率
从单节锂离子电池工作（ 2.7V至5.5V ）
可变输出电压（ 0.8V至3.6V ）
快速输出电压瞬态（ 0.8V至3.6V的20μs的）
650毫安最大负载能力
高效率（ 96 ％典型值在4.2V
IN
, 3.4V
OUT
以400mA电流）
内部同步整流
n
电流过载保护
n
热过载保护
n
n
n
n
n
n
套餐
n
8引脚的microSMD （无铅）
n
10引脚LLP
应用
n
n
n
n
手机
手持式无线电
RF PC卡
电池供电的RF器件
典型用途
20158001
图1 LM3205的典型应用
2006美国国家半导体公司
DS201580
www.national.com
LM3205
连接图
20158099
8焊球薄型micro SMD封装，大的凸起
NS包装数TLA08GNA
20158004
10引脚LLP
NS包装数SDA10A
订购信息
的microSMD
订单号
LM3205TL
LM3205TLX
包装标志（注）
XTS/32
XTS/32
供货方式
250个单位，带盘式
3000单位，磁带和卷盘
注意：
包标记会有所不同，从部分零件的实际物理位置。包标有“X ”表示的日期
代码。 “T”是模具的可追溯性一个NSC内部代码。 “S ”表示该设备类型的切换设备。两者都将有很大的不同。 “ 32 ”
标识装置（部件号，选项等）。
律师事务所
订单号
LM3205SD-2
LM3205SDX-2
包装标志（注）
XXXX
YYYY = 3205
供货方式
1000个单位，带盘式
4500单位，磁带和卷盘
注意：
包标记会有所不同，从部分零件的实际物理位置。包装标志“ XXXXX ”是芯片代码
可追溯性。 “ YYYYY ”标识的装置（部件编号，电压选项等）。
引脚说明
针＃
的microSMD
A1
B1
C1
C2
C3
律师事务所
8, 9
7
6
4
5
PV
IN
V
DD
EN
V
CON
FB
电源电压输入到内部PFET开关。
模拟电源输入。
使能输入。设置此数字输入高电平正常工作。对于关机，设置为低。
电压控制模拟输入。 V
CON
控制V
OUT
在PWM模式。
反馈模拟输入。连接在输出滤波电容的输出。
名字
描述
www.national.com
2
LM3205
引脚说明
针＃
的microSMD
B3
A3
A2
律师事务所
3
1, 2
10
（续）
名字
SGND
保护地
SW
描述
模拟和控制地面
电源地
交换结点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器。
连接到电感器具有的饱和电流值超过最大
切换LM3205的峰值电流限制规范。
3
www.national.com
LM3205
绝对最大额定值
（注1,2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
DD
， PV
IN
到SGND
PGND到SGND
EN ， FB ，V
CON
-0.2V至+ 6.0V
-0.2V至+ 0.2V
（ SGND -0.2V ）
到（Ⅴ
DD
+0.2V)
W / 6.0V最大
（ PGND -0.2V ）
到（PV
IN
+0.2V)
W / 6.0V最大
-0.2V至+ 0.2V
内部限制
+150C
-65 ° C至+ 150°C
+260C
2千伏
200V
工作额定值
（注1,2 ）
输入电压范围
推荐负载电流
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
（注5 ）
2.7V至5.5V
0mA至650毫安
-30℃ + 125℃
-30℃ + 85℃
热性能
结至环境热的microSMD
电阻（ θ
JA
）的microSMD TLA08套餐
（注6 ）
结至环境温度LLP
电阻（ θ
JA
） ， LLP SDA10A套餐
（注6 ）
55C/W
100C/W
SW
PV
IN
到V
DD
连续功率耗散
（注3）
结温（T
J- MAX
)
存储温度范围
最大的铅温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值（注13 ）
人体模型：
机器型号：
电气特性
（注2 ，第7 ，第8 ）的标准字体限制为T
A
= T
J
= 25℃。在限额
Bold-
脸
则适用于整个工作环境温度范围（ -30℃
≤
T
A
= T
J
≤
+ 85℃） 。除非另有说明，所有
规范适用于LM3205TL / LM3205SD有： PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V 。
符号
V
FB ， MIN
V
FB ， MAX
I
SHDN
I
Q
R
DSON （ P）
微
SMD
参数
反馈电压的
最小设定
反馈电压的
最高设置
关断电源电流
直流偏置电流中V
DD
引脚对引脚的电阻
PFET
引脚对引脚的电阻
NFET
引脚对引脚的电阻
PFET
引脚对引脚的电阻
NFET
开关峰值电流限制
内部振荡器
频率
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
引脚下拉电流
V
CON
输入阻抗
V
CON
到V
OUT
收益
条件
V
CON
= 0.32V （注8 ）
V
CON
= 1.44V, V
IN
= 4.2V （注8 ）
EN = SW = V
CON
= 0V,
（注9 ）
V
CON
= 2V ， FB = 0V ，
无开关（注10 ）
I
SW
= 200毫安
I
SW
= -200mA
I
SW
= 200毫安
I
SW
= -200mA
（注11 ）
民
0.75
3.537
典型值
0.8
3.6
0.01
1
140
300
170
330
最大
0.85
3.683
2
1.4
200
230
415
485
230
260
445
515
1200
2.3
单位
V
V
A
mA
m
m
m
m
mA
兆赫
V
R
DSON （ N）
微
SMD
R
DSON （ P）律师事务所
R
DSON （ N）律师事务所
I
LIM ， PFET
F
OSC
V
IH ， EN
V
IL ， EN
I
PIN ， EN
Z
CON
收益
935
1.7
1.2
1100
2
0.5
5
100
0.32V
≤
V
CON
≤
1.44V
2.5
10
V
A
k
V/V
www.national.com
4
LM3205
系统特点
下面的规格表中的条目由设计保证提供组件
在典型的应用电路的值被使用。
这些参数不是由生产测试保证。
分，
最高限额适用于整个工作环境温度范围（ -30℃
≤
T
A
≤
85℃ ），并移到V
IN
范围= 2.7V至
5.5V ，T
A
= 25 ° C， PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V ， L = 3.3μH ，L的DCR
≤
为100mΩ ，C
IN
= 10μF ， 0603 ， 6.3V （ 4.7μF || 4.7μF ， 0603 ， 6.3V
可以使用） ，C
OUT
= 4.7μF ， 0603 ， 6.3V为LM3205TL / LM3205SD除非另有说明。
符号
T
响应
参数
条件
民
典型值
20
20
最大
30
30
20
-3
-10
EN =低到高，V
IN
= 4.2V, V
O
=
3.6V ，C
OUT
= 4.7μF ，我
OUT
≤
1mA
+3
10
单位
s
s
pF
%
A
时间V
OUT
从0.8V V上升
IN
= 4.2V ，C
OUT
= 4.7μF ， L = 3.3μH ，
至3.6V
R
负载
= 5.5
时间V
OUT
从3.6V下降
到0.8V
C
CON
线性
I
CON
T
ON
V
CON
输入电容
线性控制中
范围0.32V至1.44V
控制引脚输入电流
启动时间
（时间输出达到3.6V
从启用低到高
过渡）
效率
（ L = 3.3μH ， DCR
≤
100m)
V
IN
= 4.2V ，C
OUT
= 4.7μF ， L = 3.3μH ，
R
负载
= 10
V
CON
= 1V,
测试频率为100千赫
V
IN
= 3.9V
单调的性质
70
100
s
η
V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 0.8V ，我
OUT
= 90毫安
V
IN
= 4.2V, V
OUT
= 3.4V ，我
OUT
= 400毫安
V
IN
= 3V至4.5V ，V
OUT
= 0.8V ，我
OUT
=
10毫安400mA的（注12 ）
V
IN
= 600mV的扰动，
T
上升
= T
秋天
= 10μs的，V
OUT
= 0.8V ，我
OUT
= 100毫安
V
IN
= 3.1/3.6/4.5V, V
OUT
= 0.8V,
瞬态高达100mA的电流，T
上升
= T
秋天
=
10s
正弦波摄
频率= 10kHz时，振幅=
100mVp-p
83
96
10
%
%
MVP -P
V
OUT
_ripple纹波电压， PWM模式
Line_tr
线路瞬态响应
50
mVpk
Load_tr
负载瞬态响应
50
mVpk
PSRR
V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 0.8V ，我
OUT
= 100毫安
40
dB
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件，请参阅
电气特性表。
注2 ：
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。该LM3205是专为手机应用开启后，电是
由系统控制器和控制，其中一个小的封装尺寸否决增加芯片尺寸的内部欠压锁定（ UVLO ）电路的要求。
因此，应保持在关机按住EN引脚为低电平，直到输入电压超过2.7V 。
注3 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 150°C （典型值），并脱离在T
J
=
130℃ （典型值） 。
注4 ：
人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。 （ MIL - STD-883标准3015.7 ）机器模型是一个200pF的
电容直接排入每个引脚。
注5 ：
在应用中，高功率耗散和/或封装的热性能差的存在，在最大环境温度可能要
降额。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作结温（T
J- MAX -OP
= 125℃ ） ，其最大功率
该装置中的应用程序的耗散性（P
D- MAX
），以及结点到环境的部件/封装的热阻在应用程序（ θ
JA
），如由下式给出的
下面的公式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
X P
D- MAX
).
注6 ：的microSMD ：结到环境
热阻（ θ
JA
）取自热测量，中阐述的条件和指引下进行
JEDEC标准JESD51-7 。 A 4层， 4" X 4" ， 2/1/1/2盎司的Cu板根据JEDEC标准被用于测量。
律师事务所：
的（ θ的值
JA
）在LLP- 10可能会下降的范围内50℃的/ W至150°C / W的（如果不是较宽） ，这取决于电路板材料，布局和环境条件。在
应用高最大功耗退出（高V
IN
，高I
OUT
） ，必须特别注意支付给散热区。有关详细信息，
这些主题为律师事务所，是指
应用笔记1187 ：无铅引线框架封装（ LLP ）
和
电源效率和功耗
本节
数据表
注7 ：
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。应有
到测试T的脉冲性质
A
= T
J
电气特性表。
注8 ：
在电气特性表中的参数是在PV开环的条件下进行测试
IN
= V
DD
= 3.6V 。用于对输入电压性能
范围和闭环结果指的是数据表的曲线。
注9 ：
关断电流包括PFET的漏电流。
注10 ：
I
Q
此处指定的是，当部分工作在100％占空比。
注11 ：
电流限制是内置的，固定的，不可调的。参见数据表的曲线闭环数据及其与问候与电源电压和变异
温度。电气特性表反映的开环数据（ FB = 0V ，电流从SW引脚制定加速，直到逐周期限制被激活） 。关闭
环路电流限制是通过增加输出电流，直到输出电压降低了10％ ，在应用电路中测得的峰值电感器电流。
5
www.national.com
LM3205 650毫安微型，可调节，降压型DC -DC转换器，用于射频功率放大器
2006年1月
LM3205
650毫安微型，可调节，降压型DC -DC
转换为射频功率放大器
概述
该LM3205是一个DC-DC转换器用于驱动优化的
从单节锂离子电池的RF功率放大器（PA ） ，
然而它们可以在许多其它应用中使用。它
降低输入电压为2.7V至5.5V ，以一个变量的步骤
输出电压为0.8V （典型值）到3.6V （典型值） 。输出电压
用V设定
CON
模拟量输入用于控制功率级
和RF功率放大器的效率。
该LM3205提供了卓越的性能为手机
和类似的RF PA的应用程序。固定频率PWM OP-
关合作最大限度地减少RF干扰。关机功能关闭
将设备关闭，并减少电池电量消耗至0.01 μA
（ TYP。 ） 。
该LM3205是micro SMD封装和律师事务所提供
封装。对于所有其他封装选项请联系您当地的
NSC销售办事处。
高开关频率（ 2兆赫）允许使用纤巧
表面贴装元件。只有三个小巧的外部
表面贴装元件，电感器和两个陶瓷
电容器。
特点
2 MHz（典型值）的PWM开关频率
从单节锂离子电池工作（ 2.7V至5.5V ）
可变输出电压（ 0.8V至3.6V ）
快速输出电压瞬态（ 0.8V至3.6V的20μs的）
650毫安最大负载能力
高效率（ 96 ％典型值在4.2V
IN
, 3.4V
OUT
以400mA电流）
内部同步整流
n
电流过载保护
n
热过载保护
n
n
n
n
n
n
套餐
n
8引脚的microSMD （无铅）
n
10引脚LLP
应用
n
n
n
n
手机
手持式无线电
RF PC卡
电池供电的RF器件
典型用途
20158001
图1 LM3205的典型应用
2006美国国家半导体公司
DS201580
www.national.com
LM3205
连接图
20158099
8焊球薄型micro SMD封装，大的凸起
NS包装数TLA08GNA
20158004
10引脚LLP
NS包装数SDA10A
订购信息
的microSMD
订单号
LM3205TL
LM3205TLX
包装标志（注）
XTS/32
XTS/32
供货方式
250个单位，带盘式
3000单位，磁带和卷盘
注意：
包标记会有所不同，从部分零件的实际物理位置。包标有“X ”表示的日期
代码。 “T”是模具的可追溯性一个NSC内部代码。 “S ”表示该设备类型的切换设备。两者都将有很大的不同。 “ 32 ”
标识装置（部件号，选项等）。
律师事务所
订单号
LM3205SD-2
LM3205SDX-2
包装标志（注）
XXXX
YYYY = 3205
供货方式
1000个单位，带盘式
4500单位，磁带和卷盘
注意：
包标记会有所不同，从部分零件的实际物理位置。包装标志“ XXXXX ”是芯片代码
可追溯性。 “ YYYYY ”标识的装置（部件编号，电压选项等）。
引脚说明
针＃
的microSMD
A1
B1
C1
C2
C3
律师事务所
8, 9
7
6
4
5
PV
IN
V
DD
EN
V
CON
FB
电源电压输入到内部PFET开关。
模拟电源输入。
使能输入。设置此数字输入高电平正常工作。对于关机，设置为低。
电压控制模拟输入。 V
CON
控制V
OUT
在PWM模式。
反馈模拟输入。连接在输出滤波电容的输出。
名字
描述
www.national.com
2
LM3205
引脚说明
针＃
的microSMD
B3
A3
A2
律师事务所
3
1, 2
10
（续）
名字
SGND
保护地
SW
描述
模拟和控制地面
电源地
交换结点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器。
连接到电感器具有的饱和电流值超过最大
切换LM3205的峰值电流限制规范。
3
www.national.com
LM3205
绝对最大额定值
（注1,2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
DD
， PV
IN
到SGND
PGND到SGND
EN ， FB ，V
CON
-0.2V至+ 6.0V
-0.2V至+ 0.2V
（ SGND -0.2V ）
到（Ⅴ
DD
+0.2V)
W / 6.0V最大
（ PGND -0.2V ）
到（PV
IN
+0.2V)
W / 6.0V最大
-0.2V至+ 0.2V
内部限制
+150C
-65 ° C至+ 150°C
+260C
2千伏
200V
工作额定值
（注1,2 ）
输入电压范围
推荐负载电流
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
（注5 ）
2.7V至5.5V
0mA至650毫安
-30℃ + 125℃
-30℃ + 85℃
热性能
结至环境热的microSMD
电阻（ θ
JA
）的microSMD TLA08套餐
（注6 ）
结至环境温度LLP
电阻（ θ
JA
） ， LLP SDA10A套餐
（注6 ）
55C/W
100C/W
SW
PV
IN
到V
DD
连续功率耗散
（注3）
结温（T
J- MAX
)
存储温度范围
最大的铅温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值（注13 ）
人体模型：
机器型号：
电气特性
（注2 ，第7 ，第8 ）的标准字体限制为T
A
= T
J
= 25℃。在限额
Bold-
脸
则适用于整个工作环境温度范围（ -30℃
≤
T
A
= T
J
≤
+ 85℃） 。除非另有说明，所有
规范适用于LM3205TL / LM3205SD有： PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V 。
符号
V
FB ， MIN
V
FB ， MAX
I
SHDN
I
Q
R
DSON （ P）
微
SMD
参数
反馈电压的
最小设定
反馈电压的
最高设置
关断电源电流
直流偏置电流中V
DD
引脚对引脚的电阻
PFET
引脚对引脚的电阻
NFET
引脚对引脚的电阻
PFET
引脚对引脚的电阻
NFET
开关峰值电流限制
内部振荡器
频率
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
引脚下拉电流
V
CON
输入阻抗
V
CON
到V
OUT
收益
条件
V
CON
= 0.32V （注8 ）
V
CON
= 1.44V, V
IN
= 4.2V （注8 ）
EN = SW = V
CON
= 0V,
（注9 ）
V
CON
= 2V ， FB = 0V ，
无开关（注10 ）
I
SW
= 200毫安
I
SW
= -200mA
I
SW
= 200毫安
I
SW
= -200mA
（注11 ）
民
0.75
3.537
典型值
0.8
3.6
0.01
1
140
300
170
330
最大
0.85
3.683
2
1.4
200
230
415
485
230
260
445
515
1200
2.3
单位
V
V
A
mA
m
m
m
m
mA
兆赫
V
R
DSON （ N）
微
SMD
R
DSON （ P）律师事务所
R
DSON （ N）律师事务所
I
LIM ， PFET
F
OSC
V
IH ， EN
V
IL ， EN
I
PIN ， EN
Z
CON
收益
935
1.7
1.2
1100
2
0.5
5
100
0.32V
≤
V
CON
≤
1.44V
2.5
10
V
A
k
V/V
www.national.com
4
LM3205
系统特点
下面的规格表中的条目由设计保证提供组件
在典型的应用电路的值被使用。
这些参数不是由生产测试保证。
分，
最高限额适用于整个工作环境温度范围（ -30℃
≤
T
A
≤
85℃ ），并移到V
IN
范围= 2.7V至
5.5V ，T
A
= 25 ° C， PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V ， L = 3.3μH ，L的DCR
≤
为100mΩ ，C
IN
= 10μF ， 0603 ， 6.3V （ 4.7μF || 4.7μF ， 0603 ， 6.3V
可以使用） ，C
OUT
= 4.7μF ， 0603 ， 6.3V为LM3205TL / LM3205SD除非另有说明。
符号
T
响应
参数
条件
民
典型值
20
20
最大
30
30
20
-3
-10
EN =低到高，V
IN
= 4.2V, V
O
=
3.6V ，C
OUT
= 4.7μF ，我
OUT
≤
1mA
+3
10
单位
s
s
pF
%
A
时间V
OUT
从0.8V V上升
IN
= 4.2V ，C
OUT
= 4.7μF ， L = 3.3μH ，
至3.6V
R
负载
= 5.5
时间V
OUT
从3.6V下降
到0.8V
C
CON
线性
I
CON
T
ON
V
CON
输入电容
线性控制中
范围0.32V至1.44V
控制引脚输入电流
启动时间
（时间输出达到3.6V
从启用低到高
过渡）
效率
（ L = 3.3μH ， DCR
≤
100m)
V
IN
= 4.2V ，C
OUT
= 4.7μF ， L = 3.3μH ，
R
负载
= 10
V
CON
= 1V,
测试频率为100千赫
V
IN
= 3.9V
单调的性质
70
100
s
η
V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 0.8V ，我
OUT
= 90毫安
V
IN
= 4.2V, V
OUT
= 3.4V ，我
OUT
= 400毫安
V
IN
= 3V至4.5V ，V
OUT
= 0.8V ，我
OUT
=
10毫安400mA的（注12 ）
V
IN
= 600mV的扰动，
T
上升
= T
秋天
= 10μs的，V
OUT
= 0.8V ，我
OUT
= 100毫安
V
IN
= 3.1/3.6/4.5V, V
OUT
= 0.8V,
瞬态高达100mA的电流，T
上升
= T
秋天
=
10s
正弦波摄
频率= 10kHz时，振幅=
100mVp-p
83
96
10
%
%
MVP -P
V
OUT
_ripple纹波电压， PWM模式
Line_tr
线路瞬态响应
50
mVpk
Load_tr
负载瞬态响应
50
mVpk
PSRR
V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 0.8V ，我
OUT
= 100毫安
40
dB
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件，请参阅
电气特性表。
注2 ：
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。该LM3205是专为手机应用开启后，电是
由系统控制器和控制，其中一个小的封装尺寸否决增加芯片尺寸的内部欠压锁定（ UVLO ）电路的要求。
因此，应保持在关机按住EN引脚为低电平，直到输入电压超过2.7V 。
注3 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 150°C （典型值），并脱离在T
J
=
130℃ （典型值） 。
注4 ：
人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。 （ MIL - STD-883标准3015.7 ）机器模型是一个200pF的
电容直接排入每个引脚。
注5 ：
在应用中，高功率耗散和/或封装的热性能差的存在，在最大环境温度可能要
降额。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作结温（T
J- MAX -OP
= 125℃ ） ，其最大功率
该装置中的应用程序的耗散性（P
D- MAX
），以及结点到环境的部件/封装的热阻在应用程序（ θ
JA
），如由下式给出的
下面的公式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
X P
D- MAX
).
注6 ：的microSMD ：结到环境
热阻（ θ
JA
）取自热测量，中阐述的条件和指引下进行
JEDEC标准JESD51-7 。 A 4层， 4" X 4" ， 2/1/1/2盎司的Cu板根据JEDEC标准被用于测量。
律师事务所：
的（ θ的值
JA
）在LLP- 10可能会下降的范围内50℃的/ W至150°C / W的（如果不是较宽） ，这取决于电路板材料，布局和环境条件。在
应用高最大功耗退出（高V
IN
，高I
OUT
） ，必须特别注意支付给散热区。有关详细信息，
这些主题为律师事务所，是指
应用笔记1187 ：无铅引线框架封装（ LLP ）
和
电源效率和功耗
本节
数据表
注7 ：
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。应有
到测试T的脉冲性质
A
= T
J
电气特性表。
注8 ：
在电气特性表中的参数是在PV开环的条件下进行测试
IN
= V
DD
= 3.6V 。用于对输入电压性能
范围和闭环结果指的是数据表的曲线。
注9 ：
关断电流包括PFET的漏电流。
注10 ：
I
Q
此处指定的是，当部分工作在100％占空比。
注11 ：
电流限制是内置的，固定的，不可调的。参见数据表的曲线闭环数据及其与问候与电源电压和变异
温度。电气特性表反映的开环数据（ FB = 0V ，电流从SW引脚制定加速，直到逐周期限制被激活） 。关闭
环路电流限制是通过增加输出电流，直到输出电压降低了10％ ，在应用电路中测得的峰值电感器电流。
5
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