LM3204微型，可调节，降压型DC- DC转换器，旁路模式的射频功率
放大器器
2005年11月
LM3204
微型，可调节，降压型DC- DC转换器
射频功率放大器旁路模式
概述
该LM3204是一个DC-DC转换器用于驱动优化的
从单节锂离子电池的RF功率放大器（PA ） 。它
下2.7V的输入电压至5.5V可调节的步骤
0.8V至3.6V的输出电压。输出电压被设定
使用模拟输入（Ⅴ
CON
）用于优化的效率
射频功率放大器在不同功率电平。
该LM3204提供了卓越的功能和性能
手机和类似射频功放应用。固定
频率PWM模式最大限度地减少RF干扰。绕行
模式将内部旁路开关电源功放上
直接从电池。 LM3204既有强迫和自动
马蒂奇旁路模式。关断模式将设备关闭
并减少电池消耗0.1μA （典型值） 。
该LM3204是采用10引脚无铅的micro SMD
封装。高开关频率（ 2MHz的）允许使用
微型表面贴装元件。只有三个小巧的外部
表面贴装元件，电感器和两个陶瓷
电容器。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
2MHz（典型值）的PWM开关频率
从单节锂离子电池工作（ 2.7V至5.5V ）
可调输出电压（ 0.8V至3.6V ）
当使能（ 50μs的典型值）的时间快转， 3GPP
柔顺
最大300mA的负载能力（ PWM模式）
500mA最大负载能力（旁路模式）
PWM ，强制和自动旁路模式
高效率（ 96 ％典型值电压为3.6V
IN
, 3.2V
OUT
在120毫安）
10引脚micro SMD封装
电流过载保护
热过载保护
应用
n
n
n
n
手机
手持式无线电
RF PC卡
电池供电的RF器件
典型用途
20138901
2005美国国家半导体公司
DS201389
www.national.com
LM3204
连接图
20138902
20138903
顶视图
底部视图
10焊球薄型micro SMD封装，大的凸起
见NS包装数TLP10NHA
订购信息
订单号
LM3204TL
LM3204TLX
包装标志（注）
XYTT SJDB
XYTT SJDB
供货方式
250个单位，磁带和卷轴
3000单位，磁带和卷轴
注意：
包装标志“ XY ”表示的日期代码。 “ TT ”是模具的可追溯性一个NSC内部代码。
引脚说明
针＃
A1
B1
C1
D1
D2
D3
C3
名字
V
DD
V
CON
FB
BYP
EN
保护地
SW
描述
模拟电源输入。一个0.1μF的陶瓷电容，建议尽可能靠近此引脚
成为可能。 （图
1)
电压控制模拟输入。 V
CON
控制V
OUT
在PWM模式。设置： V
OUT
= 3× V
CON 。
别
离开浮动。
反馈模拟输入。连接在输出滤波电容的输出。 （图
1)
绕行。用这个数字来输入命令旁路模式运行。设置BYP低（
＆ LT ;
0.4V ）的
正常操作。
使能输入。设置此数字输入高电平（
＆ GT ;
1.2V ）输入电压后，
＆ GT ;
2.7V的正常运行。为
关机，设置为低（
＆ LT ;
0.4V).
电源地
开关节点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器。
连接到电感器具有的饱和电流值超过最大开关峰值
限流规格LM3204的。
电源电压输入到内部PFET开关和旁路FET 。 （图
1)
旁路FET的漏极。连接到所述输出电容器。 （图
1)
不要离开浮动。
模拟和控制地面
B3
A3
A2
PV
IN
BYPOUT
SGND
www.national.com
2
LM3204
绝对最大额定值
（注1,2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
DD
， PV
IN
到SGND
PGND到SGND
EN ， FB ， BYP ，V
CON
-0.2V至+ 6.0V
-0.2V至+ 0.2V
（ SGND -0.2V ）
到（Ⅴ
DD
+0.2V)
W / 6.0V最大
（ PGND -0.2V ）
到（PV
IN
+0.2V)
W / 6.0V最大
-0.2V至+ 0.2V
内部限制
+150C
-65 ° C至+ 150°C
+260C
ESD额定值（注4 ）
人体模型
机器型号
2.0kV
200V
工作额定值
（注1,2 ）
输入电压范围
推荐负载电流
PWM模式
旁路模式
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
（注5 ）
0毫安300mA的电流
0毫安500mA的电流
-30℃ + 125℃
-30℃ + 85℃
2.7V至5.5V
SW ， BYPOUT
PV
IN
到V
DD
连续功率耗散
（注3）
结温（T
J- MAX
)
存储温度范围
最大的铅温度
（焊接， 10秒）
热性能
结到环境的热
电阻（ θ
JA
） ， TLP10套餐（注6 ）
100C/W
电气特性
（注2,7）中的标准字体限制为T
A
= T
J
= 25℃。在限额
Bold-
脸
则适用于整个工作环境温度范围（ -30℃
≤
T
A
= T
J
≤
+ 85℃） 。除非另有说明，试样
fications适用于具有LM3204 ：光伏
IN
= V
DD
= EN = 3.6V ， BYP = 0V 。
符号
V
IN
V
FB ， MIN
V
FB ， MAX
OVP
V
BYPASS
V
BYPASS +
I
SHDN
I
Q_PWM
I
Q_BYP
R
DSON （ P）
R
DSON （ N）
R
DSON
（ BYP ）
参数
输入电压范围
（注8）
反馈电压的
最小设定
反馈电压的
最高设置
过电压
保护阈值
PV
IN
= V
DD
= V
IN
条件
民
2.7
0.75
3.528
典型值
最大
5.5
单位
V
V
V
mV
mV
mV
A
A
A
m
m
m
mA
mA
兆赫
V
V
CON
= 0.267V, V
IN
= 3.6V
V
CON
= 1.20V, V
IN
= 4.2V
（注9 ）
0.800
3.600
330
0.85
3.672
400
320
540
3
800
800
450
450
120
940
1200
2.2
自动旁路检测（注10 ）
负阈值
自动旁路检测（注10 ）
正阈值
关断电源
电流（注11 ）
直流偏置电流成
V
DD
EN = SW = BYPOUT = V
CON
= FB = 0V
V
CON
= 0.267V ， FB = 2V ， BYPOUT = 0V ，
NO- LOAD
BYP = 3.6V ，V
CON
= 0.5V ，空载
引脚对引脚电阻为我
SW
= 500毫安
PFET
引脚对引脚电阻为我
SW
= - 200毫安
N型场效应晶体管
引脚对引脚电阻为我
BYPOUT
= 500毫安
旁路FET
开关电流限制
旁路FET电流
极限
内部振荡器
频率
逻辑高输入
门槛EN ， BYP
3
160
350
250
450
0.1
720
720
320
310
85
I
LIM- PFET
I
LIM- BYP
F
OSC
V
IH
（注12 ）
（注13 ）
700
800
1.7
1.20
820
1000
2
www.national.com
LM3204
电气特性
（注2,7）中的标准字体限制为T
A
= T
J
= 25℃。在限额
粗体
则适用于整个工作环境温度范围（ -30℃
≤
T
A
= T
J
≤
+ 85℃） 。除非另有说明，否则
规范适用于与LM3204 ： PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V ， BYP = 0V 。 （续）
符号
V
IL
I
针
收益
I
CON
参数
逻辑低电平输入
门槛EN ， BYP
引脚下拉电流EN ， BYP = 3.6V
为EN ， BYP
V
CON
到V
OUT
收益
V
CON
输入漏
当前
V
CON
= 1.2V
5
3
10
条件
民
典型值
最大
0.4
10
单位
V
A
V/V
nA
下面的规格表中的条目由设计保证，如果元件值
在典型的应用电路中使用。
这些参数不是由生产测试保证。
符号
T
响应
参数
时间V
OUT
从上升
0.8V至3.4V的PWM模式
条件
V
IN
= 4.2V ，C
OUT
= 4.7F,
R
负载
= 15
L = 2.2 μH （我
SAT
＆ GT ;
0.94A)
民
典型值
25
最大
单位
s
系统特点
T
启动
时间V
OUT
上升到3.4V V
IN
= 4.2V ，C
OUT
= 4.7F,
在PWM模式
R
负载
= 15
L = 2.2μH （我
SAT
= 0.94A)
（注14 ）
EN =低到高
V
CON
输入电容
旁路FET导通时间
在旁路模式
自动旁路检测延迟
时间
V
CON
= 1V,
测试频率= 100kHz的
V
IN
= 3.6V, V
CON
= 0.267V,
C
OUT
= 4.7μF ，R
负载
= 15
BYP =低到高
（注10 ）
10
50
s
C
CON
T
ON_BYP
15
pF
30
s
T
BYP
15
20
s
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件，请参阅
电气特性表。
注2 ：
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。
注3 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 150°C （典型值），并脱离在T
J
=
130℃ （典型值） 。
注4 ：
人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。 （ MIL - STD-883标准3015.7 ）机器模型是一个200pF的
电容直接排入每个引脚。美国国家半导体公司建议所有集成电路与适当的预防措施进行处理。如果不
遵守适当的ESD处理技术可能导致损坏。
注5 ：
在应用中，高功率耗散和/或封装的热性能差的存在，在最大环境温度可能要
降额。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作结温（T
J- MAX -OP
= 125℃ ） ，其最大功率
该装置中的应用程序的耗散性（P
D- MAX
），以及结点到环境的部件/封装的热阻在应用程序（ θ
JA
），如由下式给出的
下面的公式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
X P
D- MAX
).
注6 ：
结点至环境热阻（ θ
JA
）取自热测量，阐述了JEDEC条件和指引下进行
标准JESD51-7 。一个1" X 1" ， 4层， 1.5盎司的Cu板被用于测量。
注7 ：
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。
注8 ：
的LM3204设计用于移动电话应用中，导通上电后，由系统控制器和控制，其中对于一个要求
小封装尺寸否决增加芯片尺寸的内部欠压锁定（ UVLO ）电路。因此，应保持在关机按住EN引脚为低电平
直到输入电压大于2.7V 。
注9 ：
过电压保护（ OVP ）阈值为标称V以上的电压
OUT
其中， OVP比较关闭PFET开关，而在PWM模式。
注10 ：
V
IN
进行比较，以设定的输出电压（V
OUT
） 。当V
IN
–V
OUT
低于V
BYPASS
比吨长
BYP
旁路FET导通和
开关场效应管关闭。这就是所谓的旁路模式。该器件采用了旁路模式时， V
IN
–V
OUT
超过V
BYPASS +
比吨长
BYP
和PWM
模式的回报。滞后的旁路检测阈值V
BYPASS +
– V
绕行
- 永远是积极的，将大约200mV的（典型值） 。
注11 ：
关断电流包括PFET和旁路FET的漏电流。
注12 ：
电气特性表反映的开环数据（ FB = 0V ，电流从SW引脚制定加速，直到逐周期电流限制被激活） 。
参见数据表的曲线闭环数据及其变化的问候与电源电压和温度。闭环电流限制峰值电感电流
在应用电路中通过增加输出电流，直到输出电压降低10％进行测定。
注13 ：
旁路FET的电流限制被定义为负载电流在该FB电压比V 1V下
IN
.
注14 ：
的启动时间是从EN为低到高达到90％ 3.4V标称输出电压的时间。
www.national.com
4
LM3204
典型性能特性
25℃ ，除非另有说明）
静态电流与电源电压
(V
CON
= 0.267V ， FB = 2V ，空载）
（电路
图1中，
PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V ， BYP = 0V ，T
A
=
关断电流与温度
（ EN = SW = BYPOUT = V
CON
= FB = 0V ）
20138904
20138905
开关频率变化与温度
(V
OUT
= 1.5V, V
CON
= 0.5V)
输出电压与电源电压
(V
OUT
= 1.5V, V
CON
= 0.5V)
20138906
20138907
输出电压与温度
(V
OUT
= 1.5V, V
CON
= 0.5V)
输出电压与温度
(V
IN
= 4.2V, V
OUT
= 3.25V, V
CON
= 1.08V)
20138908
20138909
5
www.national.com
QQ：2880707522 复制
