LM3203降压型DC - DC转换器，旁路模式的CDMA / WCDMA射频功率
放大器器
2005年7月
LM3203
降压型DC - DC转换器，旁路模式
CDMA / WCDMA射频功率放大器
概述
该LM3203是一个DC-DC转换器用于驱动优化的
从单节锂离子电池的RF功率放大器（PA ） 。
然而，它们也可以在许多其它应用中使用。它
下2.7V的输入电压至5.5V可调节的步骤
0.8V至3.6V的输出电压。输出电压被设定
用V
CON
模拟输入和外部电阻分压器用于
优化的RF功率放大器的效率在不同的功率电平。
该LM3203提供了3种模式为移动电话和类似
RF PA的应用。固定频率PWM模式下最小化
RF干扰。旁路模式打开内部旁路
切换到PA直接由电池供电。关闭
模式将设备关闭，减少电池消耗
到0.1μA （典型值） 。
该LM3203是采用10引脚无铅的micro SMD
封装。高开关频率（ 2MHz的）允许使用
微型表面贴装元件。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
2MHz（典型值）的PWM开关频率
从单节锂离子电池工作（ 2.7V至5.5V ）
可调输出电压（ 0.8V至3.6V ）
500mA最大负载能力（ PWM和绕道
模式）
PWM /强制旁路模式
低R
DSON
旁路FET ： 85mΩ （典型值）。
高效率（ 96 ％典型值电压为3.6V
IN
, 3.2V
OUT
150mA时）
当启用快速导通时间（ 50μs的典型值） ， 3GPP
柔顺
10引脚micro SMD封装
电流过载保护
热过载保护
应用
n
n
n
n
手机
手持式无线电
RF PC卡
电池供电的RF器件
典型用途
20141601
2005美国国家半导体公司
DS201416
www.national.com
LM3203
连接图
20141602
20141603
顶视图
底部视图
10焊球薄型micro SMD封装，大的凸起
见NS包装数TLP10NHA
订购信息
订单号
LM3203TL
LM3203TLX
包装标志（注）
XYTT SFYB
XYTT SFYB
供货方式
250个单位，磁带和卷轴
3000单位，磁带和卷轴
注意：
包装标志“ XY ”表示的日期代码。 “ TT ”是模具的可追溯性一个NSC内部代码。
引脚说明
针＃
A1
B1
C1
D1
D2
D3
C3
名字
V
DD
V
CON
FB
BYP
EN
保护地
SW
描述
模拟电源输入。 0.1μF陶瓷电容，建议放在尽可能接近这个
销越好。 （图
1)
电压控制模拟输入。 V
CON
控制V
OUT
在PWM模式。 （请参阅设置输出
根据应用程序的信息的电压。 ）不要离开浮动。
反馈模拟输入。连接到外部电阻分压器。 （图
1)
绕行。用这个数字来输入命令旁路模式运行。集BYP低PWM
操作。
使能输入。设置此数字输入输入电压后高
＆ GT ;
2.7V的正常运行。对于关机，设置
低。
电源地
开关节点连接到内部PFET开关和NFET同步整流器。
连接到电感器具有的饱和电流值超过最大开关峰值
限流规格LM3203的。
电源电压输入到内部PFET开关和旁路FET 。 （图
1)
旁路FET的漏极。连接到所述输出电容器。 （图
1)
将此引脚连接到V
DD
当
旁路模式不是必需的。不要离开浮动。
模拟和控制地面
B3
A3
A2
PV
IN
BYPOUT
SGND
www.national.com
2
LM3203
绝对最大额定值
（注1,2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
DD
， PV
IN
到SGND
PGND到SGND
EN ， FB ， BYP ，V
CON
-0.2V至+ 6.0V
-0.2V至+ 0.2V
（ SGND -0.2V ）
到（Ⅴ
DD
+0.2V)
W / 6.0V最大
（ PGND -0.2V ）
到（PV
IN
+0.2V)
W / 6.0V最大
-0.2V至+ 0.2V
ESD额定值（注4 ）
人体模型
2.0千伏
工作额定值
（注1,2 ）
输入电压范围
推荐负载电流
PWM模式
旁路模式
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
（注5 ）
0毫安500mA的电流
0毫安500mA的电流
-30℃ + 125℃
-30℃ + 85℃
2.7V至5.5V
SW ， BYPOUT
PV
IN
到V
DD
连续功率耗散
（注3）
结温（T
J- MAX
)
存储温度范围
最大的铅温度
（焊接， 10秒）
热性能
内部限制
+150C
-65 ° C至+ 150°C
+260C
结到环境的热
电阻（ θ
JA
） ， TLP10套餐（注6 ）
100C/W
电气特性
（注2,7）中的标准字体限制为T
A
= T
J
= 25℃。在限额
Bold-
脸
则适用于整个工作环境温度范围（ -30℃
≤
T
A
= T
J
≤
+ 85℃） 。除非另有说明，试样
fications适用于具有LM3203 ：光伏
IN
= V
DD
= EN = 3.6V ， BYP = 0V ，V
CON
= 0.267V.
符号
V
IN
V
FB ， MIN
V
FB ， MAX
OVP
I
SHDN
I
Q_PWM
I
Q_BYP
R
DSON （ P）
R
DSON （ N）
R
DSON
（ BYP ）
参数
输入电压范围
（注8）
反馈电压的
最小设定
反馈电压的
最高设置
过电压
保护阈值
关断电源
电流（注10 ）
直流偏置电流成
V
DD
PV
IN
= V
DD
= V
IN
条件
民
2.7
0.250
1.176
典型值
最大
5.5
单位
V
V
V
mV
A
A
A
m
m
m
mA
mA
兆赫
V
V
CON
= 0.267V, V
IN
= 3.6V
V
CON
= 1.20V, V
IN
= 4.2V
（注9 ）
EN = SW = BYPOUT = V
CON
= FB = 0V
V
CON
= 0.267V ， FB = 2V ， BYPOUT = 0V ，无
开关
BYP = 3.6V ，V
CON
= 0.5V ，无负载
0.267
1.200
100
0.1
675
680
320
310
85
0.284
1.224
150
3
780
780
450
450
120
940
1200
2.2
引脚对引脚电阻为我
SW
= 500毫安
P- FET
引脚对引脚电阻为我
SW
= - 200毫安
N型场效应晶体管
引脚对引脚电阻为我
BYPOUT
= 500毫安
旁路FET
开关电流限制
旁路FET电流
极限
内部振荡器
频率
逻辑高输入
门槛EN ， BYP
逻辑低电平输入
门槛EN ， BYP
引脚下拉电流EN ， BYP = 3.6V
为EN ， BYP
3
I
LIM- PFET
I
LIM- BYP
F
OSC
V
IH
V
IL
I
针
（注11 ）
（注12 ）
700
800
1.7
1.20
820
1000
2
0.4
5
10
V
A
www.national.com
LM3203
电气特性
（注2,7）中的标准字体限制为T
A
= T
J
= 25℃。在限额
粗体
则适用于整个工作环境温度范围（ -30℃
≤
T
A
= T
J
≤
+ 85℃） 。除非另有说明，否则
规范适用于与LM3203 ： PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V ， BYP = 0V ，V
CON
= 0.267V 。 （续）
符号
收益
Z
CON
参数
V
CON
到V
OUT
收益
V
CON
输入电阻V
CON
= 1.2V
条件
民
典型值
1
1
最大
单位
V/V
M
下面的规格表中的条目被设计在环境温度保证
如果被用在典型的应用电路中的元件值的范围内。
这些参数不是由生产保证
化测试。
符号
参数
条件
V
IN
= 4.2V ，C
OUT
= 4.7F,
R
负载
= 10
L =器3.3uH （我
SAT
＆ GT ;
0.94A)
EN =低到高
V
IN
= 4.2V ，C
OUT
= 4.7F,
R
负载
= 10
L =器3.3uH （我
SAT
＆ GT ;
0.94A)
V
CON
= 1V,
测试频率= 100kHz的
V
IN
= 3.6V, V
CON
= 0.267V,
C
OUT
= 4.7μF ，R
负载
= 10
BYP =低到高
民
典型值
50
最大
单位
s
系统特点
T
启动
时间V
OUT
上升
以3.4V的PWM模式
T
响应
时间V
OUT
上升
0.8V至3.6V的
PWM模式
C
CON
T
ON_BYP
V
CON
输入
电容
旁路FET导通
时间在旁路模式
30
s
15
pF
30
s
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件，请参阅
电气特性表。
注2 ：
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。
注3 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 150°C （典型值），并脱离在T
J
=
130℃ （典型值） 。
注4 ：
人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。 （ MIL - STD-883标准3015.7 ） 。美国国家半导体公司
建议所有集成电路与适当的预防措施进行处理。
注5 ：
在应用中，高功率耗散和/或封装的热性能差的存在，在最大环境温度可能要
降额。最高环境温度（T
A- MAX
）是依赖于最大工作结温（T
J- MAX -OP
= 125℃ ） ，其最大功率
该装置中的应用程序的耗散性（P
D- MAX
），以及结点到环境的部件/封装的热阻在应用程序（ θ
JA
），如由下式给出的
下面的公式：T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
X P
D- MAX
).
注6 ：
结点至环境热阻（ θ
JA
）取自热测量，阐述了JEDEC条件和指引下进行
标准JESD51-2 。一个1" X 1" ， 4层， 1.5盎司的Cu板被用于测量。
注7 ：
最小和最大限制是由设计，测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证，但代表了最常见的情况。
注8 ：
的LM3203设计用于移动电话应用中，导通上电后，由系统控制器和控制，其中对于一个要求
小封装尺寸否决增加芯片尺寸的内部欠压锁定（ UVLO ）电路。因此，应保持在关机按住EN引脚为低电平
直到输入电压大于2.7V 。
注9 ：
过电压保护（ OVP ）阈值为标称V以上的电压
OUT
其中， OVP比较关闭PFET开关，而在PWM模式。
过压保护阈值将是在FB电压倍的电阻分压比的阈值。在
图1中，
为100mV （典型值）× （ （ 267K + 133K ） ÷ 133K ） 。
注10 ：
关断电流包括PFET和旁路FET的漏电流。
注11 ：
电气特性表反映的开环数据（ FB = 0V ，电流从SW引脚制定加速，直到逐周期电流限制被激活） 。
参见数据表的曲线闭环数据及其变化的问候与电源电压和温度。闭环电流限制峰值电感电流
在应用电路中通过增加输出电流，直到输出电压降低10％进行测定。
注12 ：
旁路FET的电流限制被定义为负载电流在该FB电压比V 1V下
IN
.
www.national.com
4
LM3203
典型性能特性
25℃ ，除非另有说明）
静态电流与电源电压
(V
CON
= 0.267V ， FB = 2V ，空载）
（电路
图1中，
PV
IN
= V
DD
= EN = 3.6V ， BYP = 0V ，T
A
=
关断电流与温度
（EN = 0V ）
20141604
20141605
开关频率变化与温度
(V
OUT
= 1.5V ，我
OUT
= 200 mA）的
输出电压与电源电压
(V
OUT
= 1.5V, V
CON
= 0.5V)
20141606
20141607
输出电压与温度
(V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 1.5V, V
CON
= 0.5V)
输出电压与温度
(V
IN
= 4.2V, V
OUT
= 3.4V, V
CON
= 1.13V)
20141608
20141609
5
www.national.com
QQ：2881677436 复制
