LM119,LM219,LM319
LM119 / LM219 / LM319高速双比较器
文献编号： SNOSBJ2A
LM119 / LM219 / LM319高速双比较器
2000年8月
LM119/LM219/LM319
高速双比较器
概述
该LM119系列精密高速双compara-
器制造的单芯片。他们是否变形
签署到一个宽范围的电源电压工作在向下
单一5V逻辑电源和地。另外，它们具有
高增益和低输入电流不是像设备
LM710 。输出级的未提交的集电极
使得与RTL ， DTL和TTL的LM119兼容，以及
作为能够驱动灯和继电器的电流达25
毫安。
该LM319A提供了改进的精度超过标准
LM319 ，对偏移电压更小的公差，偏移电流
房租，电压增益。
虽然主要设计用于需要操作的应用
从化数字逻辑电源时， LM119系列是完全
电源提供高达指定
±
15V 。它具有更快的再
sponse比LM111在更高的功率显示为代价
sipation 。然而，高速，宽的工作电压
范围和低包计数使LM119更多
多才多艺的不是像LM711的旧设备。
该LM119是从-55℃至+ 125℃的LM219是
从-25℃至+ 85℃ ，并且LM319A和LM319指定
从0°C被指定为+ 70°C 。
特点
n
n
n
n
n
n
n
两个独立的比较
采用单5V电源
通常为80纳秒的响应时间
±
15V
最低扇出的2每侧
1 μA过温最大输入电流
输入和输出可以从系统地隔离
高共模转换速率
接线图
双列直插式封装
典型应用
（注2 ）
继电器驱动器
DS005705-4
顶视图
订单号LM119J ， LM119J / 883
（注1 ） ，
LM219J ， LM319J ， LM319AM ，
LM319M ， LM319AN或LM319N
见NS包装数J14A ， M14A或N14A
注1 ：
也可每SMD ＃ 8601401或JM38510 / 10306
DS005705-5
注2 ：
引脚数是金属罐包装。
窗口检测器
DS005705-6
V
OUT
= 5V的V
LT
≤
V
IN
≤
V
UT
V
OUT
= 0 V
IN
≤
V
LT
或V
IN
≥
V
UT
2000美国国家半导体公司
DS005705
www.national.com
LM119/LM219/LM319
绝对最大额定值
（注9 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
总电源电压
输出到负电源电压
地面上负电源电压
地面正电源电压
差分输入电压
输入电压（注3）
ESD额定值（ 1.5 kΩ的串联
100 pF的）
功率耗散（注4 ）
输出短路持续时间
存储温度范围
36V
36V
25V
18V
±
5V
±
15V
800V
500毫瓦
10秒
-65_C到150_C
焊接温度
（焊接， 10秒）
260C
焊接信息
双列直插式封装
焊接（ 10秒）
260C
小外形封装
气相（60秒）
215C
红外（15秒）
220C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“焊接等方法
表面贴装器件。
工作温度范围
LM119
LM219
-55 ° C至125°C
-25℃至85℃
电气特性
（注5 ）
参数
输入失调电压（注6 ）
输入失调电流（注6 ）
输入偏置电流
电压增益
响应时间（注7 ）
饱和电压
输出漏电流
输入失调电压（注6 ）
输入失调电流（注6 ）
输入偏置电流
输入电压范围
饱和电压
V
S
=
±
15V
V = 5V, V = 0
V
+
≥
4.5V, V
= 0
V
IN
≤
-6 mV时，我
SINK
≤
3.2毫安
T
A
≥
0C
T
A
≤
0C
输出漏电流
差分输入电压
正电源电流
正电源电流
负电源电流
T
A
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= 0
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
4.3
8
3
11.5
4.5
V
IN
≥
为5 mV ，V
OUT
= 35V,
V = V
GND
= 0V
+
条件
民
T
A
= 25 ° C，R
S
≤
5k
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25 （注8 ）
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
V
IN
≤
-5 mV时，我
OUT
= 25毫安
T
A
= 25C
V
IN
≥
为5 mV ，V
OUT
= 35V
T
A
= 25C
R
S
≤
5k
10
LM119/LM219
典型值
0.7
30
150
40
80
0.75
0.2
1.5
2
7
100
1000
12
1
最大
4.0
75
500
单位
mV
nA
nA
V / MV
ns
V
A
mV
nA
nA
V
V
±
13
+12
3
0.23
1
0.4
0.6
10
V
V
A
V
mA
mA
mA
±
5
注3 ：
对于电源电压低于
±
15V的绝对最大输入电压等于电源电压。
注4 ：
该LM119的最高结温为150℃，而在LM219的为110℃ 。在H10运行在升高的温度下，设备
包必须基于160C / W ，结到环境或19C / W ，结到外壳的热阻降额。该J14和N14的热阻
套餐为100℃ / W ，结到环境。
注5 ：
这些规范适用于V
S
=
±
15V和接地引脚在地面上，和-55
≤
T
A
≤
+ 125℃ ，除非另有说明。与LM219 ，然而，所有
温度规范限制在-25℃
≤
T
A
≤
+ 85℃。失调电压，失调电流和偏置电流参数适用于从任何电源电压
单5V供电最高达
±
15V电源。不要超过16V地面操作设备到V
S
.
注6 ：
的偏移电压和偏移给定电流，以任一电源用1 mA负载的一伏内驱动输出所需的最大值。因此，这些
参数定义了一个错误频带和考虑到的电压增益和输入阻抗最坏的情况下的效果。
注7 ：
指定（见定义）的反应时间为5 mV过一个100毫伏的输入步骤。
注8 ：
输出上拉至15V通过一个1.4 kΩ的电阻。
注9 ：
请参阅RETS119X为LM119H / 883和LM119J / 883规格。
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2
LM119/LM219/LM319
绝对最大额定值
LM319A/319
（注9 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
总电源电压
输出到负电源电压
地面上负电源电压
地面正电源电压
差分输入电压
输入电压（注10 ）
功率耗散（注11 ）
输出短路持续时间
ESD额定值（ 1.5 kΩ的串联
100 pF的）
36V
36V
25V
18V
±
5V
±
15V
500毫瓦
10秒
800V
存储温度范围
-65_C到150_C
焊接温度
（焊接， 10秒）
260C
焊接信息
双列直插式封装
焊接（10秒）
260C
小外形封装
气相（ 60秒）
215C
红外（15秒）。
220C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“焊接等方法
表面贴装器件。
工作温度范围
LM319A ， LM319
0 ° C至70℃
电气特性
（注12 ）
参数
输入失调电压（注13 ）
输入失调电流（注13 ）
输入偏置电流
电压增益
响应时间（注14 ）
饱和电压
输出漏电流
输入失调电压（注13 ）
输入失调电流（注13 ）
输入偏置电流
输入电压范围
饱和电压
差分输入电压
正电源电流
正电源电流
负电源电流
T
A
= 25 ，V = 5V ，V = 0
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
+
条件
民
T
A
= 25 ° C，R
S
≤
5k
T
A
= 25C
T
A
= 25C
T
A
= 25 （注15 ）
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
15V
V
IN
≤
-10 mV时，我
OUT
= 25毫安
T
A
= 25C
V
IN
≥
为10 mV ，V
OUT
= 35V,
V
= V
LM319A
典型值
0.5
20
150
20
40
80
0.75
0.2
1.5
10
10
300
1000
最大
1.0
40
500
8
民
LM319
典型值
2.0
80
250
40
80
0.75
0.2
1.5
10
10
300
1200
最大
8.0
200
1000
单位
mV
nA
nA
V / MV
ns
V
A
mV
nA
nA
V
3
V
V
V
mA
12.5
5
mA
mA
0.4
GND = 0V ，T
A
= 25C
R
S
≤
5k
V
S
=
±
15V
V
+
= 5V, V
= 0
V
≥
4.5V, V = 0
+
±
13
1
0.3
3
0.4
1
±
13
0.3
V
IN
≤
-10 mV时，我
SINK
≤
3.2毫安
±
5
4.3
8
3
12.5
5
4.3
8
3
±
5
注10 ：
对于电源电压低于
±
15绝对最大输入电压等于电源电压。
注11 ：
该LM319A和LM319的最高结温为85℃。对于在升高的温度下操作，在H10包装设备必须被去
基于160C / W ，结到环境或19C / W ，结到外壳的热阻评级。在N14和J14封装的热阻为100℃/ W，
结到环境。 M14的封装的热阻为115℃ / W，结点到环境温度。
注12 ：
这些规范适用于V
S
=
±
15V和0°C
≤
T
A
≤
70°C ，除非另有说明。偏置电压，偏置电流和偏置电流的规格
最多申请单5V电源的任何电源电压
±
15V电源。不要超过16V地面操作设备到V
S
.
注13 ：
的偏移电压和偏移给定电流，以任一电源用1 mA负载的一伏内驱动输出所需的最大值。因此，这些
参数定义了一个错误频带和考虑到的电压增益和输入阻抗最坏的情况下的效果。
注14 ：
指定的响应时间是用于与5 mV过一个100毫伏的输入步骤。
注15 ：
输出上拉至15V通过一个1.4 kΩ的电阻。
3
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