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LM3146高电压晶体管阵列
1995年2月
LM3146高电压晶体管阵列
概述
该LM3146包括五个高压通用
在一个共同的整体式载体上硅NPN晶体管
两个晶体管的内部连接在一起，以形成一个
差动连接的一对晶体管是非常适合
于各种各样的应用中的低功率系统
直流通过甚高频范围内它们可以用作分立的转录
然而，在传统的电路除电阻取值他们
提供了非常显著的内在集成电路AD-
接近电和热匹配的vantages
LM3146是在14引脚供给模塑双列直插式封装
年龄为仅需要一个有限的温度应用
范围
特点
Y
Y
Y
Y
Y
高电压匹配的双晶体管V
BE
MATCHED
g
5 mV输入失调电流2
mA
马克斯在我
C
e
1毫安
五大通用单片晶体管
操作从DC至120 MHz的
宽工作电流范围
低噪声系数
3 2 dB典型值在1 kHz
应用
Y
Y
Y
在所有类型的信号处理系统，一般用
操作中的任意位置的频率范围从直流到
VHF
定制设计的差分放大器
温度补偿放大器
接线图
双列直插式和小外形封装
TL 7959 - 1
顶视图
订单编号LM3146M或LM3146N
见NS包装数M14A或N14A
C
1995年全国半导体公司
TL 7959
RRD - B30M115印制在U S A
绝对最大额定值
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
LM3146
单位
功耗每个晶体管
T
A
e
25℃至55℃
300
mW
T
A
l
55 C
减免6 67毫瓦
功耗总包
T
A
e
25 C
500
mW
T
A
l
25 C
减免6 67毫瓦
集电极到发射极电压V
首席执行官
30
V
40
V
集电极基极电压V
CBO
集电极衬底电压
V
CIO
（注1 ）
40
V
发射器基极电压V
EBO
（注2 ）
5
V
集电极电流I
C
50
mA
b
40
a
85
C
工作温度范围
b
65
a
150
存储温度范围
C
焊接信息
双列直插式封装
焊接（ 10秒）
小外形封装
气相（60秒）
红外（15秒）
260 C
215 C
220 C
见AN- 450 '表面贴装方法及其影响
对产品可靠性'焊接外加其他方法
面对安装设备
DC电气特性
T
A
e
25 C
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ）首席信息官
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
集电极击穿底
电压
发射极基极击穿电压
（注2 ）
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
静态正向电流传输
率（静态测试）
输入失调电流的匹配
对Q1和Q2
基地发射极电压
输入失调电压的幅值
对差分对
基地的温度系数
到发射极电压
集电极到发射极饱和
电压
输入的温度系数
失调电压
条件
民
I
C
e
10
mA
I
E
e
0
I
C
e
1毫安我
B
e
0
I
CI
e
10
mA
I
B
e
0
I
E
e
0
I
C
e
0 I
E
e
10
mA
V
CB
e
10V我
E
e
0
V
CE
e
10V我
B
e
0
I
C
e
10毫安V
CE
e
5V
I
C
e
1毫安V
CE
e
5V
I
C
e
10
mA
V
CE
e
5V
I
C1
e
1
C2
e
1毫安
V
CE
e
5V
I
C
e
1毫安V
CE
e
3V
V
CE
e
5V I
E
e
1毫安
V
CE
e
5V I
E
e
1毫安
I
C
e
10毫安我
B
e
1毫安
I
C
e
1毫安V
CE
e
5V
0 63
30
40
30
40
5
范围
典型值
72
56
72
7
0 002
（注3）
85
100
90
03
0 73
0 48
b
1 9
单位
最大
V
V
V
V
100
5
nA
mA
I
B1
–I
B2
V
BE
V
BE1
– V
BE2
DV
BE
DT
V
CE （ SAT ）
DV
10
DT
2
0 83
5
mA
V
mV
毫伏
V
mV
C
0 33
11
注1
各晶体管的集电极与基片由一体二极管的衬底必须被连接到一个电压，该电压更负分离
比，以保持晶体管之间的隔离，并提供正常的晶体管动作为避免晶体管之间的不希望的耦合的任何集电极电压
的衬底端子应保持在直流或信号（交流）接地的合适的旁路电容器可以被用来建立一个信号接地
注2
如果晶体管被迫齐纳击穿（V
（ BR ） EBO
正向电流传输比（h ）退化
FE
）可发生
注3
看到曲线
2
AC电气特性
符号
NF
f
T
C
EB
C
CB
C
CI
参数
低频噪声图
增益带宽积
发射器基电容
集电极基极电容
集电极衬底电容
条件
民
f
e
1千赫V
CE
e
5V
I
C
e
100
mA
R
S
e
1的kX
V
CE
e
5V I
C
e
3毫安
V
EB
e
5V I
E
e
0
V
CB
e
5V I
C
e
0
V
CI
e
5V I
C
e
0
300
范围
典型值
3 25
500
0 70
0 37
22
最大
dB
兆赫
pF
pF
pF
单位
低频小信号等效电路特性
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
正向电流传输比
短路输入阻抗
开路输出阻抗
开路反向电压
传输比
f
e
1千赫V
CE
e
3V I
C
e
1毫安
f
e
1千赫V
CE
e
3V I
C
e
1毫安
f
e
1千赫V
CE
e
3V I
C
e
1毫安
f
e
1千赫V
CE
e
3V
I
C
e
1毫安
100
35
15 6
1 8 x 10
b
4
kX
mmho
纳特点
Y
fe
Y
ie
Y
oe
Y
re
正向转移导纳
输入导纳
输出导纳
反向传输导纳
f
e
1 MHz的V
CE
e
3V I
C
e
1毫安
f
e
1 MHz的V
CE
e
3V I
C
e
1毫安
f
e
1 MHz的V
CE
e
3V I
C
e
1毫安
f
e
1 MHz的V
CE
e
3V I
C
e
1毫安
31
b
j 1 5
0 3
a
j 0 04
0 001
a
j 0 03
（注3）
mmho
mmho
mmho
mmho
注1
各晶体管的集电极与基片由一体二极管的衬底必须被连接到一个电压，该电压更负分离
比，以保持晶体管之间的隔离，并提供正常的晶体管动作为避免晶体管之间的不希望的耦合的任何集电极电压
的衬底端子应保持在直流或信号（交流）接地的合适的旁路电容器可以被用来建立一个信号接地
注2
如果晶体管被迫齐纳击穿（V
（ BR ） EBO
正向电流传输比（h ）退化
FE
）可发生
注3
看到曲线
3
典型性能特性
I
首席执行官
VS牛逼
A
为
任何晶体管
I
CBO
VS牛逼
A
为
任何晶体管
h
FE
VS我
C
为
任何晶体管
V
BE
VS牛逼
A
为
任何晶体管
V
CE （ SAT ）
VS我
C
FOR ANY晶体管
I
IO
VS我
C
（ Q1和Q2）的
V
IO
VS牛逼
A
Q1和Q2
V
BE
和V
IO
vs
I
E
Q1和Q2
NF VS我
C
R
S
e
500X
TL 7959 - 2
4
典型性能特性
NF VS我
C
R
S
e
1的kX
（续）
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
VS我
C
NF VS我
C
e
R
S
e
10的kX
Y
fe
VS F
Y
ie
VS F
Y
oe
VS F
Y
re
VS F
f
T
VS我
C
C
EB
C
CB
C
CI
VS偏见
电压
TL 7959 - 3
5
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