LM113 LM313基准二极管
1994年12月
LM113 LM313基准二极管
概述
该LM113 LM313是温度补偿低电压
年龄基准二极管它们有极为紧法规
化了,除了一个大范围的工作电流
异常地低的击穿电压和良好的温度
稳定性
该二极管被用晶体管和电阻器的合成
在一个单片集成电路因此,它们具有
相同的低噪音和长期稳定性是现代IC运
放大器参考的进一步输出电压仅依赖
成分的在IC高度可预测的性能,以便
它们可以被制造并供应到严格的公差
0 3倍,从500的动态阻抗
mA
到20毫安
温度稳定性一般为1 %
b
55 ℃ 125℃
范围( LM113 ) 0 ℃至70℃( LM313 )
Y
紧公差
g
5%
g
2%或
g
1%
该参考文献的特征推荐它用于在使用中
在低电压电源或偏置调节电路
电池供电的设备的事实,即击穿
电压等于硅的ener-的物理性质
GY-带隙电压使得它可用于多种温度
TURE补偿和温度测量功能
系统蒸发散
Y
Y
特点
Y
低击穿电压220V 1
原理图和接线图
金属罐包装
订单号
LM113H LM113H 883
LM113-1H LM113-1H 883
LM113-2H LM113-2H 883
或LM313H
见NS包装数H02A
TL 5713 - 1
典型应用
低电压稳压器
电平检测器的光电二极管
固体钽电容器
TL 5713 - 2
C
1995年全国半导体公司
TL 5713
RRD - B30M115印制在U S A
绝对最大额定值
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
(注3)
功率耗散(注1 )
100毫瓦
反向电流
正向电流
50毫安
50毫安
存储温度范围
焊接温度
(焊接10秒)
工作温度范围
LM113
LM313
b
65℃,以
a
150 C
300 C
b
55 ℃
a
125 C
0 ℃
a
70 C
电气特性
(注2 )
参数
反向击穿电压
LM113 LM313
LM113-1
LM113-2
反向击穿电压
变化
反向动态阻抗
正向电压降
RMS噪声电压
反向击穿电压
更改与当前
击穿电压温度
系数
条件
民
1 160
1 210
1 195
典型值
1 220
1 22
1 22
60
02
0 25
0 67
5
15
0 01
最大
1 280
1 232
1 245
15
10
08
10
单位
V
V
V
mV
X
X
V
mV
mV
% C
I
R
e
1毫安
0 5毫安
s
I
R
s
20毫安
I
R
e
1毫安
I
R
e
10毫安
I
F
e
1 0毫安
10赫兹
s
f
s
10千赫
I
R
e
1毫安
0 5毫安
s
I
R
s
10毫安
T
民
s
T
A
s
T
最大
1 0毫安
s
I
R
s
10毫安
T
民
s
T
A
s
T
最大
注1
对于在高温条件下的设备必须基于一个150 C的最高结和80 CW交界处的热阻降额运行
情况或440℃ W结到环境
注2
这些规范适用于对于T
A
e
25℃,除非另有说明,在高的电流击穿电压应与导线来测量长度小于
寸开尔文接触插座也推荐的二极管不应该与200 pF和0 1之间的分路电容操作
mF
除非分离的
至少100X的电阻,因为它可能会在振荡电流的一些
注3
请参阅以下RETS图纸军事规格RETS113-1X的LM113-1 RETS113-2X的LM113-2或RETS113X为LM113
典型性能特性
温度漂移
反向动态阻抗
反向特性
TL 5713 - 3
2
LM113 LM313基准二极管
物理尺寸
英寸(毫米)
订单编号LM113H LM113H 883 LM113-1H LM113-1H 883
LM113-2H LM113-2H 883或LM313H
NS包装数H02A
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可,国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中( a)打算通过外科手术移植系统
进入体内或(b )支持或维持生命,其
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话:1(800 ) 272-9959
传真:1(800 ) 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统,或影响其安全性或
效用
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欧洲
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a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话(
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