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LM3045 LM3046 LM3086晶体管阵列

1994年12月

LM3045 LM3046 LM3086晶体管阵列

概述

的LM3045 LM3046和LM3086各包括五个

在一个共同的通用硅NPN晶体管

整体式载体的两个晶体管是内部

连接以形成一个差动连接的一对的转录

电阻取值很适合于各种各样的应用的低

通过甚高频范围中的直流电源系统，他们可能是

用作常规电路分立晶体管howev-

呃，除了他们提供的非常显著的内在英特

关闭电和热的碎电路的优点

匹配LM3045是在一个14引脚空腔提供双

列直插式封装额定工作在整个军用温

温度范围内的LM3046和LM3086是电

相同于LM3045但在14引脚被提供模具 -

对于仅需要而推荐的应用编双列直插式封装

资讯科技教育的温度范围

特点

两个配对的晶体管

MATCHED

5毫伏

输入失调电流2

马克斯在我

1毫安

五大通用单片晶体管

操作从DC至120 MHz的

宽工作电流范围

低噪声系数

3 2 dB典型值在1 kHz

全面军事

55 ℃

125 C

温度范围（ LM3045 ）

应用

在所有类型的信号处理系统，一般用

操作中的任意位置的频率范围从直流到

VHF

定制设计的差分放大器

温度补偿放大器

原理图和接线图

双列直插式和小外形封装

TL 7950 - 1

顶视图

订单号LM3045J LM3046M LM3046N或LM3086N

见NS包装数J14A M14A或N14A

1995年全国半导体公司

TL 7950

RRD - B30M115印制在U S A

绝对最大额定值

25 C)

如果是用于军事航空领域的专用设备，需要请向美国国家半导体销售办事处

经销商咨询具体可用性和规格

LM3045

LM3046 LM3086

每

总

每

总

单位

晶体管

包

晶体管

包

功耗

25 C

300

750

300

750

25℃至55℃

300

750

55 C

减额在6 67

毫瓦

25℃到75℃

300

750

75 C

减额在8

毫瓦

集电极到发射极电压V

首席执行官

集电极基极电压V

CBO

集电极衬底电压V

CIO

（注1 ）

发射器基极电压V

EBO

集电极电流I

55 ℃

125 C

40℃

85 C

工作温度范围

65℃，以

150 C

65℃，以

85 C

存储温度范围

焊接信息

双列直插式封装焊接（10秒）

260 C

小外形封装

气相（60秒）

215 C

红外（15秒）

220 C

见AN- 450 '表面贴装方法及其对产品可靠性的影响“”焊接表面的其他安装方法

器件

电气特性

25℃除非另有规定）

范围

参数

集电极基极击穿电压（V

（ BR ） CBO

)

集电极到发射极击穿电压（V

（ BR ） CEO

)

集电极击穿底

电压（V

（ BR ）首席信息官

)

发射器基极击穿电压（V

（ BR ） EBO

)

集电极截止电流（I

CBO

)

集电极截止电流（I

首席执行官

)

静态正向电流传输

率（静态测试）（H

)

条件

1毫安我

10V我

10毫安

1毫安

LM3045 LM3046

民

典型值

0 002

100

0 715

0 800

0 45

3V I

1毫安

1 9

范围

LM3086

民

100

0 715

0 800

典型值

0 002

100

最大

单位

最大

输入失调电流的匹配

对Q

和Q

IO2

基地发射极电压（V

)

输入的幅度偏置电压

差分对

BE1

BE2

输入的幅度偏置电压隔离

晶体管

BE3

BE4

l l

BE4

BE5

BE3

基地的温度系数为

发射极电压

集电极到发射极饱和电压（V

CE （ SAT ）

)

3V I

1毫安

10毫安

3V I

1毫安

3V I

1毫安

毫伏

1毫安我

10毫安

3V I

1毫安

0 23

温度COEF网络cient

输入失调电压

注1

的LM3045 LM3046和LM3086的每个晶体管的集电极与基片分离的一个组成二极管基板（端子13）的绝

被连接到最负点在外围电路的晶体管之间保持隔离，以提供正常晶体管动作

电气特性

（续）

参数

低频噪声系数（ NF）

条件

1千赫V

100

1的kX

1千赫V

1毫安

民

典型值

3 25

最大

单位

低频小信号等效电路特性

正向电流传输比（H

)

短路输入Impednace （H

)

开路输出阻抗（H

)

开路反向电压传输比（H

)

纳特点

远期转移导纳（Y

)

输入导纳（Y

)

输出导纳（Y

)

反向传输导纳（Y

)

增益带宽积（F

)

发射器基电容（C

)

集电极基极电容（C

)

集电极衬底电容（C

)

3V I

3毫安

3V I

300

1 MHz的V

1毫安

j 1 5

0 3

J 0 04

0 001

j 0 03

看到曲线

550

0 58

110 （ LM3045 LM3046 ）

(LM3086)

15 6

1 8 x 10

mmho

典型性能特性

典型的收藏家基地

截止电流与环境

温度每

晶体管

典型的集电极到发射极

截止电流与环境

温度每

晶体管

典型的静态前进

电流传输比和

测试比对晶体管Q

和Q

VS发射极电流

TL 7950 - 2

典型输入失调电流

对于匹配晶体管配对

VS集电极电流

典型的静态库到发射器

电压特性和输入

偏置电压差分

对和配对隔离

VS晶体管发射极电流

TL 7950 - 3

典型性能特性

典型的基极至发射极

电压特性的

每个晶体管VS环境

温度

（续）

典型输入失调电压

特性差异

对和配对隔离

晶体管VS环境

温度

典型噪声系数VS

集电极电流

TL 7950 - 4

典型噪声系数VS

集电极电流

典型噪声系数VS

集电极电流

典型的归一化前进

电流传输比短

电路的输入阻抗

开路输出阻抗

和开路反

电压传输比VS

集电极电流

TL 7950 - 5

典型正向传输

导纳与频率

典型的输入导纳

与频率

典型的输出导纳

与频率

TL 7950 - 6

典型性能特性

典型的反向传输

导纳与频率

（续）

典型增益带宽

产品VS集电极电流

TL 7950 - 7

物理尺寸

英寸（毫米）

陶瓷双列直插式封装（J ）

订单号LM3045J

NS包装数J14A