LM3000双路同步仿电流模式控制器
2009年7月2日
LM3000
双同步仿电流模式控制器
概述
该LM3000是一款双输出同步降压控制器
其目的是输入电压范围从3.3V转换
到18.5V下降到输出电压低至0.6V 。两
输出在200一个恒定的可编程频率切换
千赫至1.5兆赫，与第二输出180度的
从第一阶段，以减少输入滤波要求。
开关频率也可以锁相至EX-
外部频率。一个CLKOUT提供一个外部时钟90
度的相位与主时钟，使得第二
芯片可与主芯片被用完的阶段。仿真
电流模式控制采用底侧FET感应到亲
韦迪而不需要快速瞬态响应和电流限制
外部电流检测电阻器或RC网络。另
启用，软启动和跟踪引脚让每个输出为
独立地控制，以提供在DE-最大的灵活性
签约系统电源排序。
该LM3000具有全方位的保护功能，在 -
CLUDE输入欠压锁定（ UVLO ） ，电源良好
（ PGOOD）对每个输出信号，过电压和短路器
在短路事件打嗝模式。
特点
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V
IN
范围从3.3V至18.5V
输出电压范围为0.6V至80 ％V的
IN
远程差分输出电压检测
1 ％的精度在FB引脚
交错工作降低了输入电容
频率同步/调整从200 kHz至1.5 MHz的
启动与预偏置负载
独立的电源良好指示，启动，软启动和跟踪
无需外部检测电阻可编程电流限制
打嗝模式短路保护
应用
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直流配电系统
图形卡 - GPU和内存芯片
FPGA ， CPLD和ASIC
嵌入式处理器
1.8V和2.5V的I / O电源
网络设备（路由器，集线器）
简化应用
300905a1
2009美国国家半导体公司
300905
www.national.com
LM3000
引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
名字
VSW2
PGND2
LG2
VIN
VDR
LG1
PGND1
VSW1
ILIM1
HG1
VCB1
VDD
EA1_GND
FB1
COMP1
PGOOD1
频率/ SYNC
EN1
TRK1
SS1
TRK2
SS2
EN2
PGOOD2
COMP2
FB2
EA2_GND
CLKOUT
SGND
VCB2
HG2
ILIM2
DAP
描述
开关节点意义的通道2 。
电源地为通道2的低侧驱动器。 *
2通道低侧栅极驱动外部MOSFET。
芯片的电源电压，输入到VDD和VDR调节剂。 （ 3.3V至18.5V ）
供应低侧栅极驱动器。
1通道低侧栅极驱动外部MOSFET。
电源接地通道1的低侧驱动器。 *
开关节点意义的通道1 。
电流限制设定输入通道1 。
通道1高边栅极驱动外部MOSFET。
升压电压为信道1的高边驱动器。
电源控制电路。
误差放大器接地检测通道1 *
误差放大器的输入通道1 。
误差放大器的输出通道1 。
电源良好信号通道1欠压和过压。
频率设定/同步输入，内部PLL 。
通道1的使能输入。用于设置仿真电流斜坡通道1 。
通道1声道输入。
通道1的软启动。
通道2声道输入。
通道2的软启动。
通道2的使能输入。用于设置仿真电流斜坡通道2 。
电源良好信号通道2欠压和过压。
误差放大器的输出为信道2 。
误差放大器的输入为信道2 。
误差放大器接地检测通道2 *
输出时钟。 CLKOUT从SYNC输入偏移90度。
本地信号地。 *
升压电压为通道2的高边驱动器。
2通道高侧栅极驱动外部MOSFET。
电流限制设置输入通道2 。
裸露的芯片附着垫。直接连接到DAP SGND 。 *
*该LM3000提供真正的远端地电位检测，以达到非常紧张的线路和负载调节。为了获得最佳的布局惯例， EA1_GND和EA2_GND应
连接到输出电容器的接地端（或输出端）替换V
OUT1
和V
OUT2
分别。里面的LM3000 ，两个电源接地节点PGND1和
PGND2被彼此物理隔离，并分离出来自内部信号地SGND 。为了达到最佳的交叉信道的噪声抑制，
它建议保持这三个理由相互隔离大部分的电路板布局，只绑在一起的接地端子。
3
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LM3000
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
VIN至SGND ， PGND
VSW1 ， VSW2到SGND ， PGND
VDD ， VDR到SGND ， PGND （注3 ）
VCB1 ， VCB2到SGND ， PGND
VCB1到VSW1 ， VCB2到VSW2
FB1 ， FB2 ，以SGND ， PGND
所有其它输入引脚SGND ， PGND
“ （注
4)
-0.3V至20V
-3V至20V
-0.3V至5.5V
24V
5.5V
-0.3V至3.0V
-0.3V至5.5V
结温（T
J- MAX
)
存储温度范围
最大的铅温度
焊接5秒
ESD额定值
HBM的（注2）
150°C
-65 ° C至+ 150°C
260°C
2000V
（注1 ）
3.3V至5.5V
3.3V至18.5V
-40 ° C至+ 125°C
工作额定值
输入电压范围
VDD = VDR = VIN （注3 ）
VIN
结温（T
J
）范围
在标准型限为T
J
= 25只;在限额
黑体字
申请过
结温（T
J
）范围为-40 ° C至+ 125°C 。最小和最大极限值通过测试，设计或统计保障
相关性。典型值代表最可能的参数指标在T
J
= 25 ℃，仅供参考。
除非另有说明，VIN = 12.0V ，我
EN1
= I
EN2
= 40 A.
符号
V
FB
V
FB
ΔV
FB
/V
FB
参数
FB引脚电压FB1 ， FB2 （ LM3000A ）
FB引脚电压FB1 ， FB2 （ LM3000 ）
线路调整VDD = VIN = VDR
线路调整VIN > 6V
负载调整率
I
q
I
SD
I
EN
I
LIM
I
SS
V
嗝
t
延迟
t
COOL
V
OVP
V
UVP
栅极驱动器
I
CB
R
DS1
R
DS2
R
DS3
R
DS4
VCB引脚漏电流
热门FET驱动器上拉导通电阻
VCB - VSW = 5.5V
VCB - VSW = 4.5V ， VCB - HG = 100
mV
250
3
2
2
1
nA
VIN工作电流
VIN关断电流
EN输入阈值电流
源电流ILIM1 ， ILIM2
软启动上拉电流
COMP引脚阈值打嗝
打嗝延迟
冷静下来的时间，直到重新启动
过压保护门限
欠压保护阈值
作为额定输出电压的百分比
迟滞
由于REF1 ， REF2的％ （见座
图）
110
I
EN1
, I
EN2
< 5 μA
I
EN
升起
迟滞
V
ILIM1
, V
ILIM2
= 0V
V
SS
= 0.5V
COMP阈值高
迟滞
17
5.5
条件
-20 ° C至+ 85°C
-20 ° C至+ 85°C
3.3V < < VIN 5.5 ， COMP = 1.5V
6V < VIN < 18.5V ， COMP = 1.5V
VIN = 12.0V ， 1.0V < COMP < 1.4V
民
0.594
0.591
0.591
0.588
典型值
0.6
0.6
0.6
0.6
0.15
0.3
0.1
5
50
15
10
20
8.5
2.85
50
16
4096
115
3
85
%
120
23
11.5
A
A
V
mV
周期
周期
%
35
最大
0.606
0.609
0.609
0.612
%
%
%
mA
A
A
V
单位
V
电气特性
热门FET驱动器下拉导通电阻VCB - VSW = 4.5V ， HG - VSW = 100
mV
底部FET驱动器上拉开 -
阻力
底部FET驱动器下拉开 -
阻力
VDR - 地线= 5V ， VDR - LG = 100
mV
VDR - 地线= 5V ， LG - 保护地= 100
mV
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4
LM3000
符号
振荡器
f
SW
参数
开关频率
条件
R
FRQ
= 100 k
R
FRQ
= 42.2 k
R
FRQ
= 10 k
民
典型值
230
最大
单位
千赫
425
500
1550
575
千赫
千赫
V
V
SYNC
f
SYNC
t
SYNC
t
SYNC- TRS
D
最大
I
FB
I
来源
I
SINK
V
COMP- HI
V
COMP -LO
V
OS- TRK
g
m
f
BW
V
VDD
V
VDD -ON
V
VDD -DO
I
VDD - ILIM
V
VDR
V
VDR -DO
I
VDR- ILIM
PGOOD输出
R
PG -ON
I
OH
θ
JA
阈值同步在
频率/ SYNC引脚
SYNC范围
同步脉冲宽度
SYNC上升/下降时间
最大占空比
FB引脚偏置电流
COMP引脚源电流
COMP引脚吸收电流
COMP引脚电压钳位高
COMP引脚电压低钳位
胶印使用TRK引脚
跨
单位增益带宽频率
内部内核稳压器
UVLO门槛值
升起
落下
2.2
0.6
200
100
10
85
1500
千赫
ns
ns
%
nA
A
A
误差放大器器
FB = 0.6V
FB = 0.5V ， COMP = 1.0V
FB = 0.7V ， COMP = 0.7V
2.80
TRK = 0.45V
-9.0
20
80
80
3.0
0.48
0
1400
10
没有外部负载
VDD上升
迟滞
内部核心稳压器输入输出电压差没有外部负载
内部核心稳压限流
驱动调节器输出电压差
驱动调节电流限制
PGOOD导通电阻
PGOOD高漏电流
结到环境的热
阻力
VDD对地短路
I
VDR
= 100毫安
VDR对地短路
FB1 FB2 = = 0.47V
V
PGOOD
= 5V
LLP- 32封装（注5 ）
调节外部MOSFET驱动器我
VDR
= 100毫安
5.15
2.12
0.14
1.1
80
5.2
1.0
450
250
100
26.4
V
mA
V
V
mA
nA
° C / W
9.0
3.2
V
V
mV
S
兆赫
V
V
内部稳压器
热阻
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制，包括不可操作性的设备可靠性和退化
和/或性能。该设备和/或无退化的绝对最大额定值或其他条件以外的那些指示的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。经营范围条件表明，在该设备的功能的条件和设备应
不能超出这样的条件下工作。关于规范保证和条件，请参阅电气特性表。
注2 ：
人体模型（ HBM ）为100 pF的电容通过一个1.5KΩ的电阻向每个引脚放电。适用标准JESD22- A114C 。
注3 ：
VDD和VDR是内部线性稳压器的输出。正常工作条件下，其中VIN > 5.5V ，它们必须不被绑定到任何外部
电压源。在应用中，VIN为3.3V至5.5V之间，建议扳平VDD ， VDR和VIN引脚连接在一起，尤其是当VIN可能
低于4.5V 。为了具有这些条件下更好的噪声抑制，一个10Ω ，
1μF
输入滤波器可以用于VDD端子。
注4 ：
HG1 ， HG2 ， LG1 ， LG2和CLKOUT是所有输出管脚，不应该依赖于任何外部电源。 COMP1和COMP2也和输出
不应该依赖于任何较低的输出阻抗电源。 PGOOD1和PGOOD2均为漏极开路输出，约250Ω下拉电阻。
每个人可通过外部电阻大于的3kΩ被捆绑到一个外部电压源低于5.5V时，虽然为10kΩ以上是优选的，以
减少了必要的信号地的电流。
注5 ：
测试在一个四层JEDEC板。四个孔的裸露焊盘下提供的。见JEDEC标准JESD51-5和JESD51-7 。
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