LM2901EP低功耗低失调电压四路比较器
2005年1月
LM2901EP
低功耗低失调电压QUAD比较仪
概述
该LM2901EP由四个独立的精密电压
年龄比较器的偏移电压规格低
为2 mV的最大所有四个比较器。这些设计
特别是从上一个单电源供电
宽电压范围。从分裂电源操作
也有可能和低电源电流消耗是
独立的电源电压的幅度。
该比较器还具有在该独特的特性
输入共模电压范围包括地面，即使
虽然从一个单一的电源电压下工作。
应用领域包括限制比较器，简单的模拟来
数字转换器;脉冲，方波和延迟时间gen-
erators ;广泛的VCO ; MOS时钟定时器;多谐振荡器
和高电压的数字逻辑门。该LM2901EP是
旨在与TTL和CMOS直接连接。当
从两个正负电源操作时，它会
其中，低功耗 - 与MOS逻辑直接接口
在LM2901EP的流失是比标准具有明显的优势
比较器。
增强型塑料
-40°C至+ 85°C扩展级温度性能
基线控制 - 单晶圆厂&大会网站
工艺变更通知（ PCN ）
资质&可靠性数据
特点
n
宽电源电压范围
n
LM2901 ：
2至36 V
DC
or
±
1
±
18 V
DC
n
极低的电源电流消耗（0.8 mA）的 - 独立
电源电压
n
低输入偏置电流：
25 nA的
±
5 nA的
n
低输入失调电流：
±
3毫伏
n
失调电压：
n
输入共模电压范围包括GND
n
差分输入电压范围等于电源
电源电压
n
低输出饱和电压：
250毫伏在4mA
n
输出电压与TTL ， DTL ， ECL ， MOS兼容
和CMOS逻辑系统
优势
n
n
n
n
n
n
高精度比较器
降低V
OS
温度漂移
不再需要双电源供电
可以感应靠近GND
兼容所有形式的逻辑
适用于电池供电的电力消耗
应用
n
选择的军事应用
n
选择的航空电子应用
焊锡（锡铅）无铅封装的标准
增强递减制造源（ DMS ）
支持
订购信息
产品型号
LM2901MEP
（注1,2 ）
VID部件编号
V62/04743-01
待定
NS包装数
（注3）
M14A
待定
注1 ：对于以下（增强塑料）版本，检查可用性： - LM2901MXEP ， LM2901NEP 。与"X"上市部分的磁带提供
&卷轴和部分没有"X"在导轨上。
注2 ：另外订购和产品信息，请访问增强型塑料网站： www.national.com/
米尔
注3 ：请参见包装下的物理尺寸的详细信息
2005美国国家半导体公司
DS201139
www.national.com
LM2901EP
绝对最大额定值
（注4 ）
如果是用于军事/航空专用设备，请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压，V
+
差分输入电压（注12 ）
输入电压
输入电流（V
IN
＆ LT ;
0.3 V
DC
),
（注7 ）
功率耗散（注5 ）
模压DIP
小外形封装
输出短路至GND ，
（注6 ）
存储温度范围
焊接温度
（焊接， 10秒）
工作温度范围
LM2901
焊接信息
双列直插式封装
焊接（ 10秒）
小外形封装
气相（60秒）
红外（15秒）
ESD额定值（ 1.5 kΩ的串联100 pF的）
215C
220C
600V
260C
-40 ° C至+ 85°C
260C
连续
-65 ° C至+ 150°C
1050毫瓦
760毫瓦
50毫安
36 V
DC
or
±
18 V
DC
36 V
DC
0.3 V
DC
至+36 V
DC
电气特性
（注14 ）
(V
+
= 5 V
DC
, T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入共模
电压范围
电源电流
电压增益
大信号
响应时间
响应时间
输出灌电流
饱和电压
输出漏
当前
（注13 ）
I
IN （+）
还是我
IN （ - ）
与产量
线性范围宽， （注9 ） ，V
CM
=0V
I
IN （+）
I
IN （ - ）
, V
CM
= 0V
V = 30 V
DC
（注10 ）
R
L
=
∞
所有的比较器，
R
L
=
∞
, V
+
= 36V,
R
L
≥
15千欧， V = 15 V
DC
+
+
条件
民
LM2901
典型值
2.0
25
5
0
0.8
1.0
25
100
300
最大
7.0
250
50
V 1.5
2.0
2.5
+
单位
mV
DC
nA
DC
nA
DC
V
DC
mA
DC
mA
DC
V / MV
ns
V
O
= 1 V
DC
至11 V
DC
V
IN
= TTL逻辑摆幅，V
REF
=
1.4 V
DC
, V
RL
= 5 V
DC
,
R
L
= 5.1 k,
V
RL
= 5 V
DC
, R
L
= 5.1 k,
（注11 ）
V
IN （ - ）
= 1 V
DC
, V
IN （+）
= 0,
V
O
≤
1.5 V
DC
V
IN （ - ）
= 1 V
DC
, V
IN （+）
= 0,
I
SINK
≤
4毫安
V
IN （+）
= 1 V
DC
,V
IN （ - ）
= 0,
V
O
= 5 V
DC
0.1
nA
DC
250
400
mV
DC
6.0
16
mA
DC
1.3
s
3
www.national.com
LM2901EP
电气特性
（注14 ）
(V
+
= 5.0 V
DC
） （注8）
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入共模
电压范围
饱和电压
输出漏电流
差分输入电压
（注13 ）
I
IN （+）
I
IN （ - ）
, V
CM
= 0V
I
IN （+）
还是我
IN （ - ）
与产量
线性范围，V
CM
= 0V （注9 ）
V
+
= 30 V
DC
（注10 ）
V
IN （ - ）
= 1 V
DC
, V
IN （+）
= 0,
I
SINK
≤
4毫安
V
IN （+）
=
条件
民
LM2901
典型值
9
50
200
0
400
最大
15
200
500
V
+
2.0
700
1.0
36
单位
mV
DC
nA
DC
nA
DC
V
DC
mV
DC
A
DC
V
DC
1 V
DC
, V
IN （ - ）
= 0,
V
O
= 30 V
DC
保留所有V
IN
’s
≥
0 V
DC
（或V
,
如果使用的话） ， （注12 ）
注4 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。
注5 ：
对于在高温下操作时， LM2901EP必须基于一个125℃的最高结温95℃ / W的热阻的降低的
适用于该设备焊接在印刷电路板上，在静止空气环境操作。低偏置耗散和“开 - 关”的输出的特性
保持芯片功耗非常小（P
D
≤100
毫瓦） ，提供晶体管允许饱和的输出。
注6 ：
从输出到V短路
+
可能导致过度加热并最终破坏。当考虑短路到地，最大输出
电流为V的量值的约20毫安独立
+
.
注7 ：
当在任何输入电压引线被驱动负此输入电流将只存在。这是由于在输入的PNP的集电极 - 基极结
晶体管成为正向偏置，从而充当输入二极管钳位。除了这个二极管动作，也有横向的NPN寄生晶体管作用
上的IC芯片。这个晶体管的动作可能会导致比较器的输出电压，以调出V
+
电压电平（或以地面为一个大的过驱动）的时间
持续时间的输入被驱动为负。这不是破坏性的和正常输出状态将重新建立时的输入电压，这是否定的，再次返回
到的值大于0.3 V
DC
（在25 ）C 。
注8 ：
这些规范被限制到-40℃
≤
T
A
≤
+ 85℃ ，对于LM2901EP 。
注9 ：
输入电流的方向是从IC的由于PNP输入级。这个电流是基本上恒定的，独立的输出的状态，以便
无负载的变化存在于参考或输入线。
注10 ：
输入共模电压或任一输入信号电压不应该被允许超过0.3V去负。的上端
共模电压范围为V
+
-1.5V ，在25℃ ，但其中一个或两个输入端可以去+30 V
DC
无损伤独立Ⅴ的大小的
+
.
注11 ：
指定的响应时间是5 mV过一个100毫伏的输入步骤。对于较大的过驱动信号300纳秒可以得到，见典型性能
特性部分。
注12 ：
输入电压的正偏移可能超过电源电平。只要其它的电压保持在共模电压范围内，则
比较器将提供一个适当的输出状态。在低输入电压状态必须不低于0.3 V
DC
（或0.3 V
DC
负功率的幅度低于
电源，如果使用的话） （25℃） 。
注13 ：
在输出开关点，V
O
.1.4
V
DC
, R
S
=与V 0Ω
+
从5 V
DC
至30 V
DC
;而在整个输入共模范围（0V
DC
到V
+
1.5 V
DC
） ，在25℃。
注14 ：
"Testing和其它质量控制技术被用来当作必要的范围内，以确保在指定的温度下的产品性能
范围内。产品可以不必在整个温度范围内进行测试，所有参数可以不必进行试验。在没有具体的
参数测试，产品性能是有保证的表征和/或design."
注15 ：
在此数据表的图形LM139被引用，因为它是一个相似的LM2901 ，但是没有在本数据表提供。
www.national.com
4
QQ：2880707522 复制
