飞利浦半导体
产品数据
低功耗双运算放大器
NE/SA/SE532/
LM258/358/A/2904
描述
该358分之532 / LM2904由两个独立的，高增益，
内部频率补偿的内部运算放大器
频率补偿运算放大器专
从单电源工作在宽电压范围。
从双电源操作也是可能的，并且在低
电源电流消耗是独立的幅度
电源电压。
引脚配置
D， DP和N包
OUTPUT A
相输入端的
非相输入端的
V–
1
2
3
4
A
–+
B
+–
8
7
6
5
V+
OUTPUT B
反相输入端B
非反相输入端B
独特的功能
在所述线性模式下的输入共模电压范围包括
接地和输出电压也能摆动到包括接地
和输出电压也能摆动到地面，即使
从只有一个单一的电源电压下工作。单位增益
交叉频率是温度补偿的。输入偏置电流
也是温度补偿。
SL00282
图1.引脚配置。
特点
内部频率补偿为单位增益
大的直流电压增益：百分贝
宽的带宽（单位增益） ： 1兆赫（温度补偿）
宽电源电压范围单电源： 3 V
DC
至30 V
DC
,
极低的电源电流消耗（ 400
μA ） -essentially
独立
低输入偏置电流： 45 nA的
DC
温度补偿
低输入失调电压： 2 mV的
DC
和偏移电流：消耗5nA
DC
差分输入电压范围等于电源电压
大的输出电压： 0 V
DC
到V + 1.5 V
DC
摇摆
等效电路
V+
6
A
100
A
6
A
Q5
Q6
C
C
Q7
或双电源供电：
±1.5
V
DC
to
±15
V
DC
电源电压（ 1毫瓦/运算放大器在+5 V
DC
)
Q2
Q1
Q3
Q4
R
SC
产量
–
输入
Q11
+
Q10
Q8
Q9
Q12
Q13
50
A
SL00283
图2的等效电路。
2002年7月12日
2
853-1241 28616
飞利浦半导体
产品数据
低功耗双运算放大器
NE/SA/SE532/
LM258/358/A/2904
订购信息
描述
8引脚塑料小外形（ SO ）封装
8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
8引脚塑料小外形（ SO ）封装
8引脚塑料小外形（ SO ）封装
8引脚塑料超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）
8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
8引脚塑料小外形（ SO ）封装
8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
8引脚塑料小外形（ SO ）封装
8引脚塑料超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）
8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
8引脚塑料小外形（ SO ）封装
8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
温度范围
0
°C
+70
°C
0
°C
+70
°C
–40
°C
+85
°C
–40
°C
+125
°C
–40
°C
+125
°C
–40
°C
+125
°C
–25
°C
+125
°C
–25
°C
+125
°C
0
°C
+70
°C
0
°C
+70
°C
0
°C
+70
°C
0
°C
+70
°C
0
°C
+70
°C
–55
°C
+125
°C
订货编号
NE532D
NE532N
SA532D
LM2904D
LM2904DP
LM2904N
LM258D
LM258N
LM358D
LM358DP
LM358N
LM358AD
LM358AN
SE532N
DWG ＃
SOT96-1
SOT97-1
SOT96-1
SOT96-1
SOT505-1
SOT97-1
SOT96-1
SOT97-1
SOT96-1
SOT505-1
SOT97-1
SOT96-1
SOT97-1
SOT97-1
绝对最大额定值
符号
V
S
V
IN
电源电压，V +
差分输入电压
输入电压
最大功率耗散
T
AMB
= 25
°C
（静止空气中）
1
N包装
包
DP包装
输出短路到GND
2
V + < 15 V
DC
和T
AMB
= 25
°C
工作环境温度范围
NE532/LM358/LM358A
LM258
LM2904
SA532
SE532
存储温度范围
焊接温度（ 10秒最大）
参数
等级
32或
±16
32
-0.3至+32
单位
V
DC
V
DC
V
DC
P
D
1160
780
714
连续
0至+70
-25至+85
-40到+125
-40至+85
-55到+125
-65到+150
230
mW
mW
mW
T
AMB
°C
°C
°C
°C
°C
°C
°C
T
英镑
T
SLD
注意：
1.减免上述25
°C,
在以下费率：
N包装， 9.3毫瓦/°C的
，D封装在6.2毫瓦/°C的
在5.72毫瓦/°C的DP包
从输出到V + 2短路，可能导致过度加热并最终破坏。最大输出电流大约
40毫安独立的V +的幅度。在电源电压超过15 V的值
DC
的，连续的短路可以超过
功耗额定值，导致最终销毁。
2002年7月12日
3
飞利浦半导体
产品数据
低功耗双运算放大器
NE/SA/SE532/
LM258/358/A/2904
DC电气特性
T
AMB
= 25
°C;
V + = + 5V，除非另有规定。
符号
参数
测试条件
R
S
= 0
R
S
= 0
;
温度过高。
R
S
= 0
;
温度过高。
I
IN （+）
– I
IN （ - ）
温度过高。
温度过高。
I
IN （+）
还是我
IN （ - ）
I
IN （+）
还是我
IN （ - ）
;温度过高。
温度过高。
V+ = 30 V
V + = 30 V ;温度过高。
V+ = 30 V
R
L
≥
2 kΩ的; V + = 30 V ;温度过高。
R
L
≥
10 kΩ的; V + = 30 V ;温度过高。
R
L
≥
10 kΩ的;温度过高。
R
L
=
∞;
V+ = 30 V
I
CC
电源电流
R
L
=所有放大器∞ ; V + = 30 V ;
温度过高。
R
L
≥
2 kΩ的; V
OUT
±10
V
A
VOL
大信号电压增益
电源电压抑制
比
放大器对放大器
耦合
4
V + = 15V （对于大V
O
摇摆） ;
温度过高。
R
S
= 0
F = 1千赫至20千赫（输入参考）
V
IN +
= +1 V
DC
; V
IN-
= 0 V
DC
;
V+ = 15 V
DC
V
IN +
= +1 V
DC
; V
IN-
= 0 V
DC
;
V+ = 15 V
DC
;温度过高。
V
IN-
= +1 V
DC
; V
IN +
= 0 V
DC
;
V+ = 15 V
DC
输出电流（漏）
V
IN-
= +1 V
DC
; V
IN +
= 0 V
DC
;
V+ = 15 V
DC
;温度过高。
V
IN +
= 0 V; V
IN-
= +1 V
DC
;
V
O
- 200毫伏
I
SC
GBW
SR
V
噪音
短路电流
5
差分输入电压
6
单位增益带宽
压摆率
输入噪声电压
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C;
F = 1千赫
1
0.3
40
20
10
10
5
12
50
25
65
100
–120
40
20
20
8
50
40
60
V+
1
0.3
40
20
10
10
5
12
0
0
70
26
27
28
5
0.5
0.6
100
20
1.0
1.2
25
15
65
100
–120
40
20
20
8
50
40
60
V+
85
10
45
40
50
V+–1.5
V+–2.0
0
0
65
26
27
28
5
0.5
0.6
100
20
1.0
1.2
70
150
300
7
±3
±30
±100
10
45
40
50
V+–1.5
V+–2.0
250
500
SE532 ， LM258
民
V
OS
V
OS
I
OS
I
OS
I
BIAS
S
I
B
V
C
CM
CMRR
V
O
OH
V
OL
失调电压
1
漂移
失调电流
漂移
输入电流
2
漂移
共模电压
g
范围
3
共模抑制
比
输出电压摆幅
输出电压摆幅
典型值
±2
最大
±5
±7
7
±5
±50
±150
NE/SA532/
LM358/LM2904
民
典型值
±2
最大
±7
±9
mV
mV
μV/°C
nA
nA
PA / ℃，
nA
nA
PA / ℃，
V
V
dB
V
V
mV
mA
mA
V / MV
V / MV
dB
dB
mA
mA
mA
mA
A
mA
V
兆赫
V / μs的
纳伏/赫兹÷
单位
PSRR
输出电流（源）
I
OUT
（下页说明） 。
2002年7月12日
4
飞利浦半导体
产品数据
低功耗双运算放大器
NE/SA/SE532/
LM258/358/A/2904
DC电气特性
（续）
T
AMB
= 25
°C;
V + = + 5V;除非另有规定。
符号
V
OS
V
OS
I
OS
I
OS
I
BIAS
S
I
B
V
C
CM
CMRR
V
O
OH
V
OL
I
CC
A
VOL
O
PSRR
参数
失调电压
1
漂移
失调电流
漂移
输入电流
2
漂移
共模电压范围
3
共模
共模抑制比
输出电压摆幅
输出电压摆幅
电源电流
大信号
大信号电压增益
电源电压抑制比
放大器对放大器耦合
4
输出电流（源）
I
OUT
输出电流（漏）
测试条件
R
S
= 0
R
S
= 0
;
温度过高。
R
S
= 0
;
温度过高。
I
IN （+）
– I
IN （ - ）
温度过高。
温度过高。
I
IN （+）
还是我
IN （ - ）
I
IN （+）
还是我
IN （ - ）
;温度过高。
温度过高。
V+ = 30 V
V + = 30 V ;温度过高。
V+ = 30 V
R
L
≥
2 kΩ的; V + = 30 V ;温度过高。
R
L
≥
10 kΩ的; V + = 30 V ;温度过高。
R
L
≥
10 kΩ的;温度过高。
R
L
=
∞,
V+ = 30 V
R
L
=
∞
所有放大器; V + = 30 V ;温度过高。
R
L
≥
2 kΩ的; V
OUT
±10
V
V + = 15 V （对于大V
O
摇摆） ;温度过高。
R
S
= 0
F = 1kHz至20kHz的（输入参考）
V
IN +
= +1 V
DC
; V
IN-
= 0 V
DC
; V+ = 15 V
DC
V
IN +
= +1 V
DC
; V
IN-
= 0 V
DC
; V+ = 15 V
DC
;
温度过高。
V
IN-
= +1 V
DC
,;V
IN +
= 0 V
DC
; V+ = 15 V
DC
V
IN-
= +1 V
DC
; V
IN +
= 0 V
DC
;V+ = 15 V
DC
;
温度过高。
V
IN +
= 0 V; V
IN-
= +1 V
DC
; V
O
- 200毫伏
I
SC
GBW
SR
V
噪音
短路电流
5
差分输入电压
6
单位增益带宽
压摆率
输入噪声电压
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C;
F = 1千赫
1
0.3
40
20
10
10
5
12
25
15
65
100
–120
40
20
20
8
50
40
60
V+
0
0
65
26
27
28
5
0.5
0.6
100
20
1.0
1.2
85
10
45
40
50
V+–1.5
V+–2.0
7
5
LM358A
民
典型值
±2
最大
±3
±5
20
±30
±75
300
100
200
单位
mV
mV
μV/°C
nA
nA
PA / ℃，
nA
nA
PA / ℃，
V
V
dB
V
V
mV
mA
mA
V / MV
V / MV
dB
dB
mA
mA
mA
mA
A
mA
V
兆赫
V / μs的
纳伏/赫兹÷
注意事项：
1. V
O
≈
1.4 V ，R
S
= 0
从5 V至30 V V + ;而在整个输入共模范围（ 0 V至±1.5 V） 。
2.输入电流的方向是从IC的由于PNP输入级。这个电流是基本上恒定的，独立的状态
的输出，所以存在着在输入线无负荷变化。
3.输入共模电压或任一输入信号的电压不应超过0.3 V的上端去负
共模电压范围为V + -1.5V，但其中一个或两个输入端可以转到32 V无损坏。
4.由于外部元件的附近，保证接头不通过这些外部元件之间的寄生电容的起源。这
典型地，可以检测这种类型的电容耦合增加在更高的频率。
从输出到V + 5，短路，可能导致过度加热并最终破坏。最大输出电流大约
40毫安独立的V +的幅度。在电源电压超过15 V的值
DC
的，连续的短路可以超过
功耗额定值，导致最终销毁。
6.输入共模电压或任一输入信号的电压不应超过0.3 V的上端去负
共模电压范围为V + -1.5V，但其中一个或两个输入端可以到32 V
DC
而不损坏。
2002年7月12日
5
飞利浦半导体
产品数据
低功耗双运算放大器
NE/SA/SE532/
LM258/358/A/2904
描述
该358分之532 / LM2904由两个独立的，高增益，
内部频率补偿的内部运算放大器
频率补偿运算放大器专
从单电源工作在宽电压范围。
从双电源操作也是可能的，并且在低
电源电流消耗是独立的幅度
电源电压。
引脚配置
D， DP和N包
OUTPUT A
相输入端的
非相输入端的
V–
1
2
3
4
A
–+
B
+–
8
7
6
5
V+
OUTPUT B
反相输入端B
非反相输入端B
独特的功能
在所述线性模式下的输入共模电压范围包括
接地和输出电压也能摆动到包括接地
和输出电压也能摆动到地面，即使
从只有一个单一的电源电压下工作。单位增益
交叉频率是温度补偿的。输入偏置电流
也是温度补偿。
SL00282
图1.引脚配置。
特点
内部频率补偿为单位增益
大的直流电压增益：百分贝
宽的带宽（单位增益） ： 1兆赫（温度补偿）
宽电源电压范围单电源： 3 V
DC
至30 V
DC
,
极低的电源电流消耗（ 400
μA ） -essentially
独立
低输入偏置电流： 45 nA的
DC
温度补偿
低输入失调电压： 2 mV的
DC
和偏移电流：消耗5nA
DC
差分输入电压范围等于电源电压
大的输出电压： 0 V
DC
到V + 1.5 V
DC
摇摆
等效电路
V+
6
A
100
A
6
A
Q5
Q6
C
C
Q7
或双电源供电：
±1.5
V
DC
to
±15
V
DC
电源电压（ 1毫瓦/运算放大器在+5 V
DC
)
Q2
Q1
Q3
Q4
R
SC
产量
–
输入
Q11
+
Q10
Q8
Q9
Q12
Q13
50
A
SL00283
图2的等效电路。
2002年7月12日
2
853-1241 28616
飞利浦半导体
产品数据
低功耗双运算放大器
NE/SA/SE532/
LM258/358/A/2904
订购信息
描述
8引脚塑料小外形（ SO ）封装
8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
8引脚塑料小外形（ SO ）封装
8引脚塑料小外形（ SO ）封装
8引脚塑料超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）
8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
8引脚塑料小外形（ SO ）封装
8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
8引脚塑料小外形（ SO ）封装
8引脚塑料超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）
8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
8引脚塑料小外形（ SO ）封装
8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
温度范围
0
°C
+70
°C
0
°C
+70
°C
–40
°C
+85
°C
–40
°C
+125
°C
–40
°C
+125
°C
–40
°C
+125
°C
–25
°C
+125
°C
–25
°C
+125
°C
0
°C
+70
°C
0
°C
+70
°C
0
°C
+70
°C
0
°C
+70
°C
0
°C
+70
°C
–55
°C
+125
°C
订货编号
NE532D
NE532N
SA532D
LM2904D
LM2904DP
LM2904N
LM258D
LM258N
LM358D
LM358DP
LM358N
LM358AD
LM358AN
SE532N
DWG ＃
SOT96-1
SOT97-1
SOT96-1
SOT96-1
SOT505-1
SOT97-1
SOT96-1
SOT97-1
SOT96-1
SOT505-1
SOT97-1
SOT96-1
SOT97-1
SOT97-1
绝对最大额定值
符号
V
S
V
IN
电源电压，V +
差分输入电压
输入电压
最大功率耗散
T
AMB
= 25
°C
（静止空气中）
1
N包装
包
DP包装
输出短路到GND
2
V + < 15 V
DC
和T
AMB
= 25
°C
工作环境温度范围
NE532/LM358/LM358A
LM258
LM2904
SA532
SE532
存储温度范围
焊接温度（ 10秒最大）
参数
等级
32或
±16
32
-0.3至+32
单位
V
DC
V
DC
V
DC
P
D
1160
780
714
连续
0至+70
-25至+85
-40到+125
-40至+85
-55到+125
-65到+150
230
mW
mW
mW
T
AMB
°C
°C
°C
°C
°C
°C
°C
T
英镑
T
SLD
注意：
1.减免上述25
°C,
在以下费率：
N包装， 9.3毫瓦/°C的
，D封装在6.2毫瓦/°C的
在5.72毫瓦/°C的DP包
从输出到V + 2短路，可能导致过度加热并最终破坏。最大输出电流大约
40毫安独立的V +的幅度。在电源电压超过15 V的值
DC
的，连续的短路可以超过
功耗额定值，导致最终销毁。
2002年7月12日
3
飞利浦半导体
产品数据
低功耗双运算放大器
NE/SA/SE532/
LM258/358/A/2904
DC电气特性
T
AMB
= 25
°C;
V + = + 5V，除非另有规定。
符号
参数
测试条件
R
S
= 0
R
S
= 0
;
温度过高。
R
S
= 0
;
温度过高。
I
IN （+）
– I
IN （ - ）
温度过高。
温度过高。
I
IN （+）
还是我
IN （ - ）
I
IN （+）
还是我
IN （ - ）
;温度过高。
温度过高。
V+ = 30 V
V + = 30 V ;温度过高。
V+ = 30 V
R
L
≥
2 kΩ的; V + = 30 V ;温度过高。
R
L
≥
10 kΩ的; V + = 30 V ;温度过高。
R
L
≥
10 kΩ的;温度过高。
R
L
=
∞;
V+ = 30 V
I
CC
电源电流
R
L
=所有放大器∞ ; V + = 30 V ;
温度过高。
R
L
≥
2 kΩ的; V
OUT
±10
V
A
VOL
大信号电压增益
电源电压抑制
比
放大器对放大器
耦合
4
V + = 15V （对于大V
O
摇摆） ;
温度过高。
R
S
= 0
F = 1千赫至20千赫（输入参考）
V
IN +
= +1 V
DC
; V
IN-
= 0 V
DC
;
V+ = 15 V
DC
V
IN +
= +1 V
DC
; V
IN-
= 0 V
DC
;
V+ = 15 V
DC
;温度过高。
V
IN-
= +1 V
DC
; V
IN +
= 0 V
DC
;
V+ = 15 V
DC
输出电流（漏）
V
IN-
= +1 V
DC
; V
IN +
= 0 V
DC
;
V+ = 15 V
DC
;温度过高。
V
IN +
= 0 V; V
IN-
= +1 V
DC
;
V
O
- 200毫伏
I
SC
GBW
SR
V
噪音
短路电流
5
差分输入电压
6
单位增益带宽
压摆率
输入噪声电压
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C;
F = 1千赫
1
0.3
40
20
10
10
5
12
50
25
65
100
–120
40
20
20
8
50
40
60
V+
1
0.3
40
20
10
10
5
12
0
0
70
26
27
28
5
0.5
0.6
100
20
1.0
1.2
25
15
65
100
–120
40
20
20
8
50
40
60
V+
85
10
45
40
50
V+–1.5
V+–2.0
0
0
65
26
27
28
5
0.5
0.6
100
20
1.0
1.2
70
150
300
7
±3
±30
±100
10
45
40
50
V+–1.5
V+–2.0
250
500
SE532 ， LM258
民
V
OS
V
OS
I
OS
I
OS
I
BIAS
S
I
B
V
C
CM
CMRR
V
O
OH
V
OL
失调电压
1
漂移
失调电流
漂移
输入电流
2
漂移
共模电压
g
范围
3
共模抑制
比
输出电压摆幅
输出电压摆幅
典型值
±2
最大
±5
±7
7
±5
±50
±150
NE/SA532/
LM358/LM2904
民
典型值
±2
最大
±7
±9
mV
mV
μV/°C
nA
nA
PA / ℃，
nA
nA
PA / ℃，
V
V
dB
V
V
mV
mA
mA
V / MV
V / MV
dB
dB
mA
mA
mA
mA
A
mA
V
兆赫
V / μs的
纳伏/赫兹÷
单位
PSRR
输出电流（源）
I
OUT
（下页说明） 。
2002年7月12日
4
飞利浦半导体
产品数据
低功耗双运算放大器
NE/SA/SE532/
LM258/358/A/2904
DC电气特性
（续）
T
AMB
= 25
°C;
V + = + 5V;除非另有规定。
符号
V
OS
V
OS
I
OS
I
OS
I
BIAS
S
I
B
V
C
CM
CMRR
V
O
OH
V
OL
I
CC
A
VOL
O
PSRR
参数
失调电压
1
漂移
失调电流
漂移
输入电流
2
漂移
共模电压范围
3
共模
共模抑制比
输出电压摆幅
输出电压摆幅
电源电流
大信号
大信号电压增益
电源电压抑制比
放大器对放大器耦合
4
输出电流（源）
I
OUT
输出电流（漏）
测试条件
R
S
= 0
R
S
= 0
;
温度过高。
R
S
= 0
;
温度过高。
I
IN （+）
– I
IN （ - ）
温度过高。
温度过高。
I
IN （+）
还是我
IN （ - ）
I
IN （+）
还是我
IN （ - ）
;温度过高。
温度过高。
V+ = 30 V
V + = 30 V ;温度过高。
V+ = 30 V
R
L
≥
2 kΩ的; V + = 30 V ;温度过高。
R
L
≥
10 kΩ的; V + = 30 V ;温度过高。
R
L
≥
10 kΩ的;温度过高。
R
L
=
∞,
V+ = 30 V
R
L
=
∞
所有放大器; V + = 30 V ;温度过高。
R
L
≥
2 kΩ的; V
OUT
±10
V
V + = 15 V （对于大V
O
摇摆） ;温度过高。
R
S
= 0
F = 1kHz至20kHz的（输入参考）
V
IN +
= +1 V
DC
; V
IN-
= 0 V
DC
; V+ = 15 V
DC
V
IN +
= +1 V
DC
; V
IN-
= 0 V
DC
; V+ = 15 V
DC
;
温度过高。
V
IN-
= +1 V
DC
,;V
IN +
= 0 V
DC
; V+ = 15 V
DC
V
IN-
= +1 V
DC
; V
IN +
= 0 V
DC
;V+ = 15 V
DC
;
温度过高。
V
IN +
= 0 V; V
IN-
= +1 V
DC
; V
O
- 200毫伏
I
SC
GBW
SR
V
噪音
短路电流
5
差分输入电压
6
单位增益带宽
压摆率
输入噪声电压
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C;
F = 1千赫
1
0.3
40
20
10
10
5
12
25
15
65
100
–120
40
20
20
8
50
40
60
V+
0
0
65
26
27
28
5
0.5
0.6
100
20
1.0
1.2
85
10
45
40
50
V+–1.5
V+–2.0
7
5
LM358A
民
典型值
±2
最大
±3
±5
20
±30
±75
300
100
200
单位
mV
mV
μV/°C
nA
nA
PA / ℃，
nA
nA
PA / ℃，
V
V
dB
V
V
mV
mA
mA
V / MV
V / MV
dB
dB
mA
mA
mA
mA
A
mA
V
兆赫
V / μs的
纳伏/赫兹÷
注意事项：
1. V
O
≈
1.4 V ，R
S
= 0
从5 V至30 V V + ;而在整个输入共模范围（ 0 V至±1.5 V） 。
2.输入电流的方向是从IC的由于PNP输入级。这个电流是基本上恒定的，独立的状态
的输出，所以存在着在输入线无负荷变化。
3.输入共模电压或任一输入信号的电压不应超过0.3 V的上端去负
共模电压范围为V + -1.5V，但其中一个或两个输入端可以转到32 V无损坏。
4.由于外部元件的附近，保证接头不通过这些外部元件之间的寄生电容的起源。这
典型地，可以检测这种类型的电容耦合增加在更高的频率。
从输出到V + 5，短路，可能导致过度加热并最终破坏。最大输出电流大约
40毫安独立的V +的幅度。在电源电压超过15 V的值
DC
的，连续的短路可以超过
功耗额定值，导致最终销毁。
6.输入共模电压或任一输入信号的电压不应超过0.3 V的上端去负
共模电压范围为V + -1.5V，但其中一个或两个输入端可以到32 V
DC
而不损坏。
2002年7月12日
5
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