LM2745 / 8同步降压控制器具有预偏置启动，以及可选的时钟
同步
2005年5月
LM2745/8
同步降压控制器具有预偏置启动，
可选时钟同步
概述
该LM2745 / 8是高速同步降压稳压器
有一个准确的反馈电压准确度控制器
±
1.5％。它可以提供简单的降频转换，以输出
电压低至0.6V 。虽然的控制部分
集成电路的额定为3至6V ，驱动部分被设计成
接受输入电源电压高达14V 。采用自适应
非重叠的MOSFET栅极驱动器有助于避免潜在
直通的问题，同时保持高效率。
该集成电路被设计用于的更具成本效益的选择
仅驱动N沟道MOSFET同时在高压侧和
低端位置。其感测所述低压侧开关的电压降
提供了一个简单，可调电流限制。
该LM2745 / 8拥有一个固定频率的电压模式
PWM控制架构是可调节的，从50 kHz到
1 MHz的一个外部电阻。此外， LM2745
还可以使开关频率同步至一个
外部时钟信号在250千赫至1MHz的范围内。
这种广泛的开关频率带来的这种力量
电源设计人员能够灵活地做出更好的权衡BE-
吐温元件尺寸，成本和效率。
功能包括与启动预偏置负载的能力
在输出，软启动，输入欠压锁定（ UVLO ）
和电源良好（基于欠压和过压
时代检测） 。此外，该IC的关断引脚可以
用于提供启动延迟，并且软启动引脚可以是
用于实现精确的跟踪，为目的
测序相对于外部导轨上。
特点
n
开关频率从50千赫至1 MHz
n
开关频率同步范围250 kHz至1
兆赫（ LM2745专用）
n
启动带有预偏置输出负载
n
功率级输入电压从1V到14V
n
控制级输入电压为3V至6V
n
输出电压可调低至0.6V
n
电源良好标记和关机
n
输出过压和欠压检测
n
±
1.5％的反馈电压准确度温度
n
低端可调电流检测
n
可调软启动
n
跟踪和关断和软启动排序
引脚
n
TSSOP -14封装
应用
n
n
n
n
n
将羽绒服从3.3V转换
电缆调制解调器， DSL和ADSL
激光打印机和喷墨打印机
低电压电源模块
DSP ， ASIC ，内核和I / O
典型用途
20137401
2005美国国家半导体公司
DS201374
www.national.com
LM2745/8
连接图
20137490
20137402
14引脚塑封TSSOP
θ
JA
= 155 ° C / W
NS包装数MTC14
14引脚塑封TSSOP
θ
JA
= 155 ° C / W
NS包装数MTC14
订购信息
订单号
LM2745MTC
LM2745MTCX
LM2748MTC
LM2748MTCX
TSSOP-14
MTC14
套餐类型
NSC封装图
94单位铁
2500单位磁带和卷轴
94单位铁
2500单位磁带和卷轴
EAO （引脚8 ）
- 误差放大器的输出。的电压电平
在这个引脚与内部产生的斜坡进行比较
信号，以确定所述占空比。该引脚是必要的
补偿的控制回路。
SS / TRACK （引脚9 ）
- 软启动和跟踪引脚。该引脚
内部连接到错误的非反相输入
在软启动的放大器，事实上，任何时候在SS /
履带销电压恰好是内部参考下面
ENCE电压。为基本软启动功能，一个电容器
最小值为1 nF从该引脚与地相连。对
跟踪另一个电源的输出的上升斜坡，连续的
从供应给这个输出NECT一个电阻分压器
引脚应用信息中描述。
FB （引脚10 ）
- 反馈引脚。这是其中的反相输入端
误差放大器，其用于检测输出电压
和补偿的控制回路。
频率/ SYNC （引脚11 ）
- 频率调节引脚。开关
频率是通过将合适的值的电阻器来设定
与此引脚与地之间。一些典型值（四舍五入
至最接近的标准值）为150 kΩ的为200千赫，
100 kΩ的300千赫， 51.1 kΩ的500千赫， 18.7 kΩ的1兆赫。
该引脚也可以用来在LM2745同步到一个
外部时钟。
SD （引脚12 ）
- 集成电路关断引脚。将此引脚拉至V
CC
保证
在IC处于开启状态。连接到接地禁止集成电路。下
关断，高边和低边驱动器处于关闭状态。这
引脚还提供了电源的精度门槛
测序目的，以及低阈值，以确保
最小静态电流。
HG （引脚14 ）
- 高栅极驱动销。这是用于栅极驱动器
高侧的N沟道MOSFET 。这个信号是互锁
与LG （ 2脚） ，以避免直通。
供货方式
引脚说明
BOOT （引脚1 ）
- 引导针。这是在电源轨
高侧栅极驱动器。当高边MOSFET导通时，
该引脚上的电压应至少有一个栅极阈值
上面的稳压器的输入电压V
IN
正确地打开
MOSFET。看到在应用程序MOSFET栅极驱动器
关于如何选择详细信息MOSFET导信息部分
场效应管。
LG （引脚2 ）
- 低栅极驱动引脚。这是用于栅极驱动器
低侧N沟道MOSFET 。此信号被连动
高侧栅极驱动器的HG （引脚14） ，以避免拍摄开启
通过。
PGND （引脚3 ， 13 ）
- 电源地。这也是在地面
为低侧MOSFET驱动器。这两个引脚必须
连接在一起，在PCB上形成一个接地平面，
这通常还系统地。
SGND （引脚4 ）
- 信号地。它应该连接
适当的接地平面，并适当考虑到良好
布局的做法在开关电源稳压电路。
V
CC
（引脚5 ）
供电线对IC的控制部分。
PWGD （引脚6 ）
- 电源良好引脚。这是一个开漏
输出，这通常是指被连接到V
CC
or
通过一个上拉电阻器的任何其他的低电压源。
选择的上拉电阻，使得电流进入此
销被保持小于1毫安。对于上拉一个推荐值
电阻器是100千欧于大多数应用。这个电压
引脚在输出欠压或过压从而拉低
年龄的故障情况，并根据输入欠压锁定。
I
SEN
（引脚7 ）
- 电流限制门限设置引脚。此消息
固定40 μA电流。适当值的电阻应
连接在此引脚和低侧的漏极之间
MOSFET（开关节点）。对于该电阻的最小值
为1千欧。
www.national.com
2
LM2745/8
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
CC
启动电压
I
SEN
频率/电压同步
所有其他引脚
结温
储存温度
-0.3至7V
-0.3 18V
-0.3 14V
-0.5到V
CC
+ 0.3V
-0.3到V
CC
+ 0.3V
150C
-65_C到150_C
焊接信息
焊接温度（焊接， 10秒）
红外线或对流（ 20秒）
ESD额定值（注3 ）
260C
235C
2kV
工作额定值
电源电压范围，V
CC
（注2 ）
BOOT电压范围
结温范围（T
J
)
热阻（ θ
JA
)
3V至6V
1V至17V
-40 ° C至
+125C
155C/W
电气特性
V
CC
= 3.3V ，除非另有说明。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
= T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字适用于整个工作温度范围。数据表的最小/最大规格限制通过设计保证，
测试，或者进行统计分析。
符号
V
FB
V
ON
参数
FB引脚电压
UVLO门槛值
V
CC
升起
V
CC
落下
V
CC
= 3.3V, V
SD
=
3.3V
f
SW
= 600千赫
V
CC
= 5V, V
SD
=
3.3V
f
SW
= 600千赫
V
CC
= 3.3V, V
SD
= 0V
V
FB
升起
V
FB
落下
V
SS
= 0V
V
SS
= 2.0V
7
LM2745
LM2748
LM2745
LM2748
1.1
1.0
1.3
1.0
条件
V
CC
= 3V至6V
民
0.591
典型值
0.6
2.79
2.42
1.7
1.5
2
1.8
1
10
10
10
90
25
采购
40
20
55
14
2.3
2.1
mA
2.6
2.6
3
A
s
s
A
A
A
nA
最大
0.609
单位
V
V
I
Q_VCC
工作V
CC
当前
SHUTDOWN V
CC
当前
t
PWGD1
t
PWGD2
I
SS -ON
I
SS- OC
PWGD引脚响应时间
PWGD引脚响应时间
SS引脚源电流
SS引脚吸收电流在过
当前
I
SEN
端子源极电流跳闸
点
FB引脚电流
误差放大器的单位增益
带宽
误差放大器的直流增益
误差放大器的转换速率
EAO引脚电流源和
下沉能力
误差放大器输出电压
I
SEN- TH
I
FB
GBW
G
SR
I
EAO
V
EAO
误差放大器器
9
118
2
14
16
最低
最大
1
2.2
兆赫
dB
V / μs的
mA
V
V
3
www.national.com
LM2745/8
电气特性
（续）
V
CC
= 3.3V ，除非另有说明。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
= T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字适用于整个工作温度范围。数据表的最小/最大规格限制通过设计保证，
测试，或者进行统计分析。
符号
参数
BOOT引脚的静态电流
高边MOSFET驱动器
上的上拉电阻
高边MOSFET驱动器
下拉导通电阻
条件
V
BOOT
= 12V, V
SD
= 0
V
BOOT
= 5V
@
350毫安采购
350毫安沉没
民
典型值
18
2.7
0.8
2.7
0.8
最大
90
单位
A
栅极驱动器
I
Q- BOOT
R
HG_UP
R
HG_DN
R
LG_UP
R
LG_DN
振荡器
R
FADJ
= 750 k
PWM频率
f
SW
LM2745外部同步
信号频率
SYNC
L
SYNC
H
D
最大
LM2745同步信号
低门槛
LM2745同步信号
高门槛
最大的高边占空比
R
FADJ
= 100 k
R
FADJ
= 42.2 k
R
FADJ
= 18.7 k
电压摆幅= 0V至V
CC
f
SW
= 250千赫到1兆赫
f
SW
= 250千赫到1兆赫
f
SW
= 300千赫
f
SW
= 600千赫
f
SW
= 1兆赫
V
FB
= 0.575V, V
BOOT
= 3.3V
V
SD
升起
V
FB
= 0.575V, V
BOOT
= 3.3V
V
SD
落下
V
SD
升起
V
SD
落下
V
FB
落下
V
FB
升起
V
FB
落下
V
FB
升起
0.8
0.408
0.677
0.434
0.710
60
90
0.457
0.742
0.232
1.3
2
86
78
67
1.1
250
475
50
300
600
1000
1000
1
V
V
725
千赫
低边MOSFET驱动器上拉
V
BOOT
= 5V
@
350毫安采购
抗性
低侧MOSFET驱动器
下拉导通电阻
350毫安沉没
%
逻辑输入和输出
V
STBY -IH
V
STBY -IL
V
SD -IH
V
SD- IL
V
PWGD - TH- LO
V
PWGD - TH- HI
V
PWGD - HYS
待机高跳变点
待机低跳变点
SD引脚逻辑高电平跳变点
SD引脚逻辑低电平跳变点
PWGD引脚触发点
PWGD引脚触发点
PWGD滞后
V
V
V
V
V
V
mV
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。
工作额定值
将指示该设备的条件
正确运行。
工作额定值
并不意味着保证性能的限制。
注2 ：
功率MOSFET可以在一个单独的1V至14V轨（输入电压V运行
IN
） 。 V的实际下限
IN
取决于选择的外部MOSFET 。
看到在进一步的细节信息应用的MOSFET栅极驱动器部分。
注3 ：
使用ESD人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。
www.national.com
4
QQ：2881677436 复制
