LM2743低电压N沟道MOSFET同步降压稳压器控制器
2005年2月
LM2743
低压N沟道MOSFET同步降压
DC控制器
概述
该LM2743是一种高速同步降压型稳压器
控制器的精确反馈电压准确度
±
2％。它可以提供简单的下变换输出电压
年龄低至0.6V 。虽然在IC的控制部分
的额定电压为3 6V ，驱动部分被设计成
接受输入电源电压高达16V 。采用自适应
非重叠的MOSFET栅极驱动器有助于避免潜在
直通的问题，同时保持高效率。
该集成电路被设计用于的更具成本效益的选择
仅驱动N沟道MOSFET同时在高压侧和
低端位置。其感测所述低压侧开关的电压降
提供了一个简单，可调电流限制。
固定频率电压模式PWM控制结构
可调范围为50 kHz至1 MHz的一个外部电阻
器。这种广泛的开关频率带来的这种力量
电源设计人员能够灵活地做出更好的权衡BE-
吐温元件尺寸，成本和效率。
其特点包括软启动，输入欠压锁定
（ UVLO）和电源良好（基于欠压和
过压检测） 。此外，在关断引脚
集成电路可以被用于提供启动延迟，并且软启动
针可以用于实现精确的跟踪，为
测序的目的相对于一个外部导轨上。
特点
功率级输入电压从1V到16V
控制级输入电压为3V至6V
输出电压可调低至0.6V
电源良好标记和关机
输出过压和欠压检测
±
2％的反馈电压准确度温度
低端可调电流检测
可调软启动
跟踪和关断和软启动排序
引脚
n
开关频率从50千赫至1 MHz
n
TSSOP -14封装
n
n
n
n
n
n
n
n
n
应用
n
n
n
n
n
3.3V降压调节
电缆调制解调器， DSL和ADSL
激光打印机和喷墨打印机
低电压电源模块
DSP ， ASIC ，内核和I / O
典型用途
20095201
2005美国国家半导体公司
DS200952
www.national.com
LM2743
接线图
20095202
14引脚塑封TSSOP
θ
JA
= 155 ° C / W
订购信息
订单号
LM2743MTC
LM2743MTCX
套餐类型
TSSOP-14
TSSOP-14
NSC封装图
MTC14
MTC14
供货方式
94单位， Raill
2500单位磁带和卷轴
引脚说明
BOOT （引脚1 ）
- 引导针。这是在电源轨
高侧栅极驱动器。当高边MOSFET导通时，
该引脚上的电压应至少有一个栅极阈值
上面的稳压器的输入电压V
IN
正确地打开
MOSFET。看到在应用程序MOSFET栅极驱动器
关于如何选择详细信息MOSFET导信息部分
场效应管。
LG （引脚2 ）
- 低栅极驱动引脚。这是用于栅极驱动器
低侧N沟道MOSFET 。此信号被连动
高侧栅极驱动器的HG （引脚14） ，以避免拍摄开启
通过。
PGND （引脚3 ， 13 ）
- 电源地。这也是在地面
为低侧MOSFET驱动器。这两个引脚必须
连接在一起，在PCB上形成一个接地平面，
这通常还系统地。
SGND （引脚4 ）
- 信号地。它应该连接
适当的接地平面，并适当考虑到良好
布局的做法在开关电源稳压电路。
V
CC
（引脚5 ）
供电线对IC的控制部分。
PWGD （引脚6 ）
- 电源良好引脚。这是一个开漏
输出，这通常是指被连接到V
CC
or
通过一个上拉电阻器的任何其他的低电压源。该
电压此引脚输出下，因此拉低欠压
年龄或过压故障条件以及下输入
UVLO 。
I
SEN
（引脚7 ）
- 电流限制门限设置引脚。此消息
固定40 μA电流。适当值的电阻应
连接在此引脚和低侧的漏极之间
MOSFET（开关节点）。
EAO （引脚8 ）
- 误差放大器的输出。的电压电平
在这个引脚与内部产生的斜坡进行比较
信号，以确定所述占空比。该引脚是必要的
补偿的控制回路。
SS / TRACK （引脚9 ）
- 软启动和跟踪引脚。该引脚
内部连接到错误的非反相输入
在软启动的放大器，事实上，任何时候在SS /
履带销电压恰好是内部参考下面
ENCE电压。为基本软启动功能，一个电容器
最小值1nF的从该引脚与地相连。对
跟踪另一个电源的输出的上升斜坡，连续的
从供应给这个输出NECT一个电阻分压器
引脚应用信息中描述。
FB （引脚10 ）
- 反馈引脚。这是其中的反相输入端
误差放大器，其用于检测输出电压
和补偿的控制回路。
FREQ （引脚11 ）
- 频率调节引脚。该开关频率
昆西是通过将合适的值的电阻器来设定
与此引脚与地之间。根据上面的公式计算
确切的值应用信息中提供，但
一些典型值（四舍五入至最接近的标准
值）是324千欧为100千赫， 97.6千欧为300千赫， 56.2
kΩ的500千赫， 24.9 kΩ的1兆赫。
SD （引脚12 ）
- 集成电路关断引脚。将此引脚拉至V
CC
保证
在IC处于开启状态。连接到接地禁止集成电路。下
关断，高边和低边驱动器处于关闭状态。这
引脚还提供了电源的精度门槛
测序目的，以及低阈值，以确保
最小静态电流。
HG （引脚14 ）
- 高栅极驱动销。这是用于栅极驱动器
高侧的N沟道MOSFET 。这个信号是互锁
与LG （ 2脚） ，以避免直通。
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2
LM2743
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
CC
启动电压
所有其他引脚
结温
储存温度
焊接信息
焊接温度
（焊接， 10秒）
260C
-0.3至7V
-0.3 21V
-0.3到V
CC
+ 0.3V
150C
-65_C到150_C
红外线或对流（ 20秒）
ESD额定值（注3 ）
235C
2千伏
工作额定值
电源电压范围（V
CC
)
结温范围
(T
J
)
热阻（ θ
JA
)
3V至6V
-40 ° C至+ 125°C
155C/W
电气特性
V
CC
= 3.3V ，除非另有说明。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
= T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字适用于整个工作温度范围。数据表的最小/最大规格限制通过设计保证，
测试，或者进行统计分析。
符号
V
FB
V
ON
参数
FB引脚电压
UVLO门槛值
升起
落下
V
CC
= 3.3V, V
SD
= 3.3V
FSW = 600kHz的
V
CC
= 5V, V
SD
= 3.3V
FSW = 600kHz的
V
CC
= 3.3V, V
SD
= 0V
V
FB
升起
V
FB
落下
V
SS
= 0V
V
SS
= 2.5V
7
1.0
1.0
条件
V
CC
= 3V至6V
民
0.588
典型值
0.6
2.76
2.42
1.5
1.7
110
6
6
10
90
25
40
55
14
2.1
mA
2.1
185
A
s
s
A
A
A
最大
0.612
单位
V
V
I
Q_VCC
工作V
CC
当前
SHUTDOWN V
CC
当前
t
PWGD1
t
PWGD2
I
SS -ON
I
SS- OC
PWGD引脚响应时间
PWGD引脚响应时间
SS引脚源电流
SS引脚吸收电流在
过电流
I
SEN
端子源极电流跳闸
点
误差放大器的单位增益
带宽
误差放大器的直流增益
误差放大器的转换速率
EAO引脚电流源和
下沉能力
误差放大器输出电压
I
SEN- TH
误差放大器器
GBW
G
SR
I
EAO
V
EA
9
106
3.2
V
EAO
= 1.5 ， FB = 0.55V
V
EAO
= 1.5 ， FB = 0.65V
最低
最大
2.6
9.2
1
2
兆赫
dB
V / μs的
mA
V
V
3
www.national.com
LM2743
电气特性
（续）
V
CC
= 3.3V ，除非另有说明。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
= T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字适用于整个工作温度范围。数据表的最小/最大规格限制通过设计保证，
测试，或者进行统计分析。
符号
参数
BOOT引脚的静态电流
高边MOSFET驱动器
上的上拉电阻
高边MOSFET驱动器
下拉导通电阻
低侧MOSFET驱动器
上的上拉电阻
低侧MOSFET驱动器
下拉导通电阻
条件
V
BOOT
= 12V, V
SD
= 0
V
BOOT
- V
SW
= 9.5V
@
350mA
V
BOOT
- V
SW
= 4.5V
@
350mA
V
BOOT
- V
SW
= 9.5V
@
350mA
V
BOOT
- V
SW
= 4.5V
@
350mA
民
典型值
18
3
2
3
2
最大
90
单位
A
栅极驱动器
I
Q- BOOT
R
HG_UP
R
HG_DN
R
LG_UP
R
LG_DN
振荡器
R
FADJ
= 702.1 k
F
SW
PWM频率
R
FADJ
= 98.74 k
R
FADJ
= 45.74 k
R
FADJ
= 24.91 k
D
最大的高边占空比
F
SW
= 300kHz的
F
SW
= 600kHz的
F
SW
= 1MHz的
V
FB
= 0.575V, V
BOOT
= 3.3V, V
SD
升起
V
FB
= 0.575V, V
BOOT
= 3.3V, V
SD
落下
V
SD
升起
V
SD
落下
FB下降
FB上升
FB下降
FB上升
0.8
0.408
0.677
0.434
0.710
60
90
0.457
0.742
0.232
1.3
475
50
300
600
1000
80
76
73
1.1
%
725
千赫
逻辑输入和输出
V
V
STBY -IH
待机高跳变点
待机低跳变点
SD引脚逻辑高电平跳变点
SD引脚逻辑低电平跳变点
PWGD引脚触发点
PWGD引脚触发点
PWGD滞后
V
V
V
V
V
V
mV
STBY -IL
V
V
SD -IH
SD- IL
V
PWGD - TH- LO
V
PWGD - TH- HI
V
PWGD - HYS
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。
工作额定值
将指示该设备的条件
正确运行。
Opearting评级
并不意味着保证性能的限制。
注2 ：
功率MOSFET可以在一个单独的1V至16V轨（输入电压V运行
IN
） 。 V的实际下限
IN
取决于选择的外部MOSFET 。
注3 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5KΩ的电阻向每个引脚放电。
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4
LM2743
典型性能特性
英法fi效率（V
OUT
= 1.2V)
V
CC
= 3.3V ，女
SW
= 300kHz的
英法fi效率（V
OUT
= 2.5V)
V
CC
= 3.3V ，女
SW
= 300kHz的
20095240
20095257
英法fi效率（V
OUT
= 3.3V)
V
CC
= 5V ，女
SW
= 300kHz的
V
CC
工作电流加上BOOT电流与频率
FDS6898A场效应管（T
A
= 25C)
20095241
20095245
BOOT引脚电流与温度的
BOOT电压= 3.3V
F
SW
= 300kHz的， FDS6898A场效应管，空载
BOOT引脚电流与温度的
BOOT电压= 5V
F
SW
= 300kHz的， FDS6898A场效应管，空载
20095242
20095243
5
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LM2743
www.ti.com
SNVS276G - 2004年4月 - 修订2013年3月
LM2743低电压N沟道MOSFET同步降压稳压器控制器
检查样品：
LM2743
1
特点
功率级输入电压从1V到16V
控制级输入电压为3V至6V
输出电压可调低至0.6V
电源良好标记和关机
输出过压和欠压
发现
± 2 ％反馈电压准确度
温度
低端可调电流检测
可调软启动
跟踪和排序与关断和
软启动引脚
开关频率从50千赫至1 MHz
TSSOP -14封装
描述
该LM2743是一种高速同步降压
一个准确的反馈电压稳压控制器
的± 2％的精度。它可以提供简单的倒
转换为输出电压低至0.6V 。虽然
IC的控制部分的额定为3 6V，
驱动部分被设计成接受输入
电源电压高达16V 。采用自适应的非
重叠MOSFET栅极驱动器，有助于避免
在保持潜在的直通问题
高效率。该IC是专为更经济
仅驱动N沟道MOSFET的有效选择
同时在高侧和低侧的位置。它检测
用于提供所述低压侧开关的电压降
操作简单，可调电流限制。
固定频率电压模式PWM控制
架构是可调节的，从50 kHz至1 MHz的
一个外部电阻。这个宽范围开关
频率使电源设计人员
灵活性之间做出更好的权衡
部件的尺寸，成本和效率。
其特点包括软启动，输入欠压
锁定（UVLO ）和电源良好（基于两个
欠压和过压检测） 。在
此外，该IC的关断引脚，可用于
提供启动延迟，以及软启动引脚可
用于实现精确的跟踪，为
测序的目的相对于外部
轨。
2
应用
3.3V降压调节
电缆调制解调器， DSL和ADSL
激光打印机和喷墨打印机
低电压电源模块
DSP ， ASIC ，内核和I / O
典型用途
V
CC
= 3.3V
D
1
V
IN
= 3.3V
C
BOOT
R
CC
R
引体向上
V
CC
HG
BOOT
R
CS
Q1
+
C
IN
1,2
C
CC
SD
PWGD
频率
R
FADJ
C
SS
SS / TRACK
SGND
EAO
C
C1
C
C2
L1
V
OUT
= 1.2V@4A
LM2743
I
SEN
LG
保护地
保护地
FB
R
C2
C
C3
R
FB1
R
FB2
+
C
O
1,2
R
C1
图1.典型应用电路
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2004-2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LM2743
SNVS276G - 2004年4月 - 修订2013年3月
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接线图
1
2
3
4
5
6
7
BOOT
LG
保护地
SGND
V
CC
PWGD
I
SEN
LM2743
HG
保护地
SD
频率
FB
SS / TRACK
EAO
14
13
12
11
10
9
8
图2. 14引脚塑封TSSOP
θ
JA
= 155 ° C / W
引脚说明
BOOT （引脚1 ）
- 引导针。这是在电源轨的栅极驱动器。当高边MOSFET导通时，该引脚上的电压
应高于调节器的输入电压V中的至少一个栅极阈值
IN
正确地开启MOSFET 。看
MOSFET栅极
DRIVERS
在
应用信息
节中有关如何选择MOSFET的更多细节。
LG （引脚2 ）
- 低栅极驱动引脚。这是用于低侧N沟道MOSFET的栅极驱动器。这个信号被互锁的高侧栅极
开车HG （引脚14 ） ，以避免直通。
PGND （引脚3 ， 13 ）
- 电源地。这也是接地的低侧MOSFET驱动器。这两个引脚必须连接到一起
所述印刷电路板形成一个接地平面，这通常还系统地。
SGND （引脚4 ）
- 信号地。应适当地连接到接地平面，充分考虑到良好的布局做法
开关电源稳压电路。
V
CC
（引脚5 ）
供电线对IC的控制部分。
PWGD （引脚6 ）
- 电源良好引脚。这是一个开放漏极输出，它通常是指被连接到V
CC
或任何其他的低电压
源通过一个上拉电阻。选择的上拉电阻，使得电流进入该引脚保持小于1毫安。对于大多数
应用程序的上拉电阻推荐值为100 kΩ的。该引脚上的电压在欠压输出从而拉低
或过压故障条件以及下输入欠压锁定。
I
SEN
（引脚7 ）
- 电流限制门限设置引脚。这源固定40 μA电流。适当值的电阻应连接
这个引脚和低侧MOSFET的漏极之间（开关节点）。
EAO （引脚8 ）
- 误差放大器的输出。该引脚上的电压电平与内部产生的斜坡信号，以确定比较
占空比。该引脚是必要的补偿控制回路。
SS / TRACK （引脚9 ）
- 软启动和跟踪引脚。在软这个引脚内部连接到误差放大器的非反相输入端
开始，并在事实上任何时间在SS / TRACK引脚电压恰好低于内部参考电压。对于基本的软启动功能，
最小值为1 nF的电容从这个引脚连接到地面。要跟踪的另一个电源的输出的上升斜坡，连接
从供应到该引脚的输出中所描述的电阻分压器
应用程序的信息。
FB （引脚10 ）
- 反馈引脚。这是误差放大器，其用于感测输出电压和补偿的反相输入端
控制回路。
FREQ （引脚11 ）
- 频率调节引脚。开关频率是由该引脚之间连接的合适值的电阻设置
地面上。根据上面的公式计算的精确值是在提供
应用信息，
但一些典型值（上舍入到
最接近的标准值） 324 kΩ的100千赫， 97.6 kΩ的300千赫， 56.2 kΩ的500千赫， 24.9 kΩ的1兆赫。
SD （引脚12 ）
- 集成电路关断引脚。将此引脚拉至V
CC
以确保在IC处于开启状态。连接到接地禁止集成电路。下关断，这两个
高侧和低侧驱动器都关闭。该引脚也提供电源排序目的的精密的阈值，以及一个低
阈值，以确保最小的静态电流。
HG （引脚14 ）
- 高栅极驱动销。这是对高侧的N沟道MOSFET的栅极驱动器。这个信号互锁与LG （引脚2）至
避免直通。
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
2
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版权所有 2004-2013年，德州仪器
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绝对最大额定值
(1) (2)
V
CC
启动电压
I
SEN
所有其他引脚
结温
储存温度
焊接信息
ESD额定值
(1)
(2)
(3)
(3)
-0.3至7V
-0.3 21V
-0.3 9.5V
-0.3到V
CC
+ 0.3V
150°C
65°C
至150℃
焊接温度（焊接， 10秒）
红外线或对流（ 20秒）
260°C
235°C
2千伏
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。
工作额定值
表示为条件
该设备正常运行。
工作额定值
并不意味着特定的性能极限。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。
工作额定值
电源电压范围（V
CC
)
结温范围（T
J
)
热阻（ θ
JA
)
3V至6V
40°C
至+ 125°C
155°C/W
电气特性
(1)
V
CC
= 3.3V ，除非另有说明。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
= T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字适用于整个工作温度范围。数据表的最小/最大规格限制由设计规定，
测试，或者进行统计分析。
符号
V
FB
V
ON
参数
FB引脚电压
UVLO门槛值
升起
落下
V
CC
= 3.3V, V
SD
= 3.3V
FSW = 600kHz的
V
CC
= 5V, V
SD
= 3.3V
FSW = 600kHz的
V
CC
= 3.3V, V
SD
= 0V
V
FB
升起
V
FB
落下
V
SS
= 0V
V
SS
= 2.5V
25
7
1.0
1.0
条件
V
CC
= 3V至6V
民
0.588
典型值
0.6
2.76
2.42
1.5
1.7
110
6
6
10
90
40
55
14
2.1
mA
2.1
185
A
s
s
A
A
A
最大
0.612
单位
V
V
I
Q_VCC
工作V
CC
当前
SHUTDOWN V
CC
当前
t
PWGD1
t
PWGD2
I
SS -ON
I
SS- OC
I
SEN- TH
GBW
G
SR
I
EAO
V
EA
PWGD引脚响应时间
PWGD引脚响应时间
SS引脚源电流
SS引脚吸收电流在过
当前
I
SEN
端子源极电流跳变点
误差放大器的单位增益
带宽
误差放大器的直流增益
误差放大器的转换速率
EAO引脚电流源和
下沉能力
误差放大器输出电压
误差放大器器
9
106
3.2
V
EAO
= 1.5 ， FB = 0.55V
V
EAO
= 1.5 ， FB = 0.65V
最低
最大
(1)
2.6
9.2
1
2
兆赫
dB
V / μs的
mA
V
V
功率MOSFET可以在一个单独的1V至16V轨（输入电压V运行
IN
） 。 V的实际下限
IN
取决于选择的
外部MOSFET 。
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电气特性
(1)
（续）
V
CC
= 3.3V ，除非另有说明。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
= T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字适用于整个工作温度范围。数据表的最小/最大规格限制由设计规定，
测试，或者进行统计分析。
符号
栅极驱动器
I
Q- BOOT
R
HG_UP
R
HG_DN
R
LG_UP
R
LG_DN
振荡器
R
FADJ
= 702.1 k
f
SW
PWM频率
R
FADJ
= 98.74 k
R
FADJ
= 45.74 k
R
FADJ
= 24.91 k
D
最大的高边占空比
f
SW
= 300kHz的
f
SW
= 600kHz的
f
SW
= 1MHz的
V
FB
= 0.575V, V
BOOT
= 3.3V, V
SD
升起
V
FB
= 0.575V, V
BOOT
= 3.3V, V
SD
落下
V
SD
升起
V
SD
落下
FB下降
FB上升
FB下降
FB上升
0.8
0.408
0.677
0.434
0.710
60
90
0.457
0.742
0.232
1.3
475
50
300
600
1000
80
76
73
1.1
%
725
千赫
BOOT引脚的静态电流
V
BOOT
= 12V, V
SD
= 0
18
3
2
3
2
90
A
高边MOSFET驱动器上拉
V
BOOT
= 5V @ 350毫安采购
抗性
高边MOSFET驱动器上拉
打击性
低边MOSFET驱动器上拉
抗性
低边MOSFET驱动器上拉
打击性
HG = 5V @ 350毫安采购
V
BOOT
= 5V @ 350毫安采购
LG = 5V @ 350毫安采购
参数
条件
民
典型值
最大
单位
逻辑输入和输出
V
STBY -IH
V
STBY -IL
V
SD -IH
V
SD- IL
V
PWGD - TH- LO
V
PWGD - TH- HI
V
PWGD - HYS
待机高跳变点
待机低跳变点
SD引脚逻辑高电平跳变点
SD引脚逻辑低电平跳变点
PWGD引脚触发点
PWGD引脚触发点
PWGD滞后
V
V
V
V
V
V
mV
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LM2743
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SNVS276G - 2004年4月 - 修订2013年3月
典型性能特性
英法fi效率（V
OUT
= 1.2V)
V
CC
= 3.3V ，女
SW
= 300千赫
100
V
IN
= 3.3V
90
80
100
90
英法fi效率（V
OUT
= 2.5V)
V
CC
= 3.3V ，女
SW
= 300千赫
效率（％）
70
60
50
40
30
20
V
IN
= 12V
V
IN
= 5V
效率（％）
80
70
60
50
40
30
20
V
IN
= 12V
V
IN
= 3.3V
V
IN
= 5V
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0
输出电流（A ）
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0
输出电流（A ）
网络连接gure 3 。
图4中。
V
CC
工作电流以及电流BOOT
vs
频率
FDS6898A场效应管（T
A
= 25°C)
25
英法fi效率（V
OUT
= 3.3V)
V
CC
= 5V ，女
SW
= 300千赫
100
90
80
PLUS BOOT电流（mA）
V
CC
工作电流
19
效率（％）
70
60
50
40
30
V
IN
= 12V
V
IN
= 5V
13
6
20
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0
输出电流（A ）
0
0.05
0.25
0.45
0.65
0.85
1.05
频率（MHz）
图5中。
BOOT引脚电流
vs
温度BOOT电压= 3.3V
f
SW
= 300千赫， FDS6898A场效应管，空载
6.7
6.6
图6 。
BOOT引脚电流
vs
温度BOOT电压= 5V
f
SW
= 300千赫， FDS6898A场效应管，空载
10
9.9
BOOT引脚电流（mA）
6.5
6.4
6.3
6.2
6.1
6
5.9
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（
o
C)
BOOT引脚电流（mA）
9.8
9.7
9.6
9.5
9.4
9.3
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（
o
C)
图7 。
网络连接gure 8 。
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