【LM27403www.ti.comSNVS896 A - 2013年8月 - 修订2013年9月同】,IC型号LM27403SQ/NOPB,LM27403SQ/NOPB PDF资料,LM27403SQ/NOPB经销商,ic,电子元器件-51电子网

LM27403

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SNVS896 A - 2013年8月 - 修订2013年9月

同步降压控制器，带温度补偿，电感DCR-基

过电流保护和可编程热关断

检查样品：

LM27403

特点

高达97 ％的效率和93 ％占空比

3 V至20 V的宽输入电压范围

开关频率为200 kHz至1.2 MHz的

电感器DCR-基于过流保护

具有温度补偿

0.6 V参考用1％的反馈精度

30 ns的最小导通时间为低VOUT

集成高电流MOSFET驱动器

- 自适应死区时间控制

超快的线路和负载瞬态响应

- 高GBW误差放大器

- PWM电压前馈

综合VDD偏置电源的LDO Subregulator

可编程系统级OTP

精密使能与迟滞

频率同步

单调预偏置启动与软启动

开漏电源良好指示器

4毫米×4毫米WQFN -24使用PowerPad 封装

应用

DC- DC转换器

高功率密度负载点模块

电信基础设施

嵌入式计算机，服务器，存储

描述

该LM27403是一款功能丰富，易于使用，

同步降压控制器提供卓越

集成度和性能的卓越水平

在高功率密度的效率，点的负载（POL）

直流 - 直流

调节器

的解决方案。

该

电阻 -

可编程开关频率为200 kHz至

1.2兆赫和集成化，高电流MOSFET栅极

自适应死区时间提供灵活性司机

优化的解决方案尺寸并最大限度地提高转换

EF网络效率。

高精度和低输出电压很容易

用0.6 -V ，精度为1％的参考电压得到

有30纳秒的高边MOSFET的最小在一起

可控导通时间。采用无损电感器DC

电阻（DCR）电流传感和廉价的

2N3904三极管到在远程感知温度

电感器的LM27403支持准确，

热补偿过流保护（ OCP ）。

典型应用图

VOUT +

SS / TRACK

COMP

FADJ

SYNC

UVLO

/ EN

OTP

D+

D±

PGOOD

CSの

CS +

CBOOT 18

HG 17

SW 16

VOUT +

VDD

VIN

LM27403

LG 15

VDD 14

GND 13

VIN

VOUT =

D± D+

VIN

GND

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

和电源模块的NexFET是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

LM27403

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描述（续）

该LM27403具有常规电压模式控制环路具有高增益带宽误差放大器和PWM

输入电压前馈，简化了补偿设计，使整个出色的瞬态响应

全线路电压和负载电流范围。强制PWM （ FPWM ）操作消除了频率变化来

在敏感的应用中最大限度地减少EMI。开漏电源良好电路提供电源轨排序和

故障报告。其他功能还包括自动恢复的可编程系统级的热关断，

输出电压远端采样，可配置的软启动，单调启动进入预偏置负载，集成的偏置

供应低压差（ LDO ）稳压器，外接电源跟踪，精确实现与定制

迟滞的可编程输入欠压锁定（UVLO ），以及同步能力差频

敏感和multiregulator应用。该LM27403是在一个4毫米x 4毫米热增强型提供WQFN-

24封装， 0.5毫米间距。

这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理

适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。

ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更

容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。

订购信息

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本月底

文档，或访问该设备的产品文件夹中

www.ti.com 。

绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

(1)

价值

民

VIN ， CS + ， CS- ， SW

(3) (4)

VDD ， PGOOD

SS / TRACK ， SYNC ， FADJ ， COMP ， FB ， RS

电压

(2)

UVLO / EN

CBOOT

(5)

最大

VDD

+ 0.3

敏（V

VIN

+ 0.3, 6)

VDD

150

单位

°C

–0.3

–1

–0.3

–65

–40

CBOOT至SW

CS +到CS-

OTP ， D +，D-

热

静电放电

（ ESD ）

(6)

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

贮藏温度，T

英镑

工作结温，T

人体模型（ HBM ） QSS 009-105 （ JESSD22 - A114A ）

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

只有与该设备在这些或超出下包括的任何其它病症的功能操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有电压都是相对于该网络的接地端子，除非另有说明。

SW引脚可以容忍负电压尖峰低至-10 V和高达30伏的持续时间达10毫微秒。

低边MOSFET尽管有体二极管，在实际应用中的寄生电感会导致SW引脚的电压振铃

消极的。

该CBOOT销可以容忍的正电压尖峰高达35伏特的持续时间达10毫微秒。

人体模型（ HBM ）是一个100 - pF电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。

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热信息

LM27403

热公制

(1)

JCtop

JCbot

(1)

结至环境热阻

结至外壳（顶部）热阻

结至电路板的热阻

结至顶部的特征参数

结至电路板的特征参数

结至外壳（底部）热阻

RTW （ WQFN ）

24针

32.7

31.2

11.2

0.2

11.2

1.4

° C / W

单位

有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅

IC封装热度量

申请报告，

SPRA953.

推荐工作条件

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

(1)

民

VIN

VDD

PGOOD

UVLO / EN

SS / TRACK

SYNC

(1)

(2)

(3)

输入电压

(2)

SW引脚电压

(3)

VDD引脚电压

PGOOD引脚电压

UVLO / EN引脚电压

SS / TRACK引脚电压

SYNC引脚电压

RS引脚电压

工作结温

工作自由空气的温度

VIN连接到VDD

VIN

3.0

–0.3

2.6

–0.1

–40

4.7

喃

最大

5.5

敏（V

VIN

, 5.5)

VDD

5.5

0.1

+125

单位

°C

推荐工作条件是在何种条件下设备的操作意在功能，但不

保证性能极限。

VDD是内部线性稳压器偏置电源的输出。在正常操作条件下，在VIN大于5.5 V ， VDD

不能依赖于任何外部电压源。在一个应用程序， VIN介于3.0 V和5.5 V ， VIN连接到VDD

最大化的偏置电源轨电压。

给定的低侧MOSFET和寄生电感的体二极管时，SW的电压不应超过-3V，在一个真正的

应用程序。

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电气特性

在T

= -40 ° C至+ 125°C和V

VIN

= 12 V时，所有参数处于零功耗（除非另有说明）。最小和

最大的限制是确保通过测试，设计或统计数据。典型值代表最可能的参数

正常规格在T

= 25 ℃，仅供参考。

参数

操作规范

Q- SD

参考

UVLO

UVLO_Hys

开关

FADJ

= 4.12 kΩ

最大

OFF- MIN

ON- MIN

VDD

VDO

VDD

qBoot

-3dB

VOL

来源

SINK

COMP -MAX

COMP -MIN

开关频率

最大占空比

最小关断时间

最小可控导通时间

Subregulator输出电压

输入输出电压差

VDD电流限制

CBOOT引脚漏电流

误差放大器的开环带宽

误差放大器的直流增益

COMP源电流

COMP灌电流

最大COMP电压

最低COMP电压

电流限制比较器的失调

电压

限流电流抵消

顺从电压

温度COEF网络cient

电流限制打嗝延迟

= 0.1 A （拉）

= -0.1 A（下拉）

源电流（拉）

灌电流（下拉）

CSの

= 3 V,

ΔV

= 59.4毫伏

(1)

, T

= 25°C

CSの

= 3 V， D +短路到D-

VIN

– V

CSの

ΔI

< 5 ％

参考

ΔV

(2)

测试条件

= 0.6 V（不切换）

UVLO / EN

= 0 V

民

典型值

3.5

最大

5.0

606

165

2.8

单位

静态电流

关机静态电流

FB引脚电压精度

FB引脚偏置电流

输入欠压锁定

UVLO迟滞

594

= 0.65 V

VIN

瑞星，V

VDD

升起

VIN

下降，V

VDD

落下

925

435

185

90%

110

–165

2.6

600

2.7

250

1050

500

215

93%

150

内部UVLO

1150

555

250

190

千赫

FADJ

= 20 kΩ

FADJ

= 95.3 kΩ

= 500千赫

= 0.5 V，F

= 500千赫

= 0.7 V，F

= 500千赫

VDD

= 25毫安

VDD

= 15毫安， V

VIN

= 3.0 V

VDD

= 4.0 V

CBOOT

– V

= 4.5 V

VDD SUBREGULATOR和引导

4.2

4.7

150

106

0.5

= 0.5 V

= 0.7 V

= 0.5 V

= 0.7 V

100

3.9

0.5

5.3

兆赫

误差放大器器

过电流保护

CS_OFFSET

CS-CV1

CS-CV2

CS -TC

CL -DELAY

DS(ON)1

DS(ON)2

DRV- HG- SRC

DRV- HG- SINK

–3.5

9.3

3.4

9.9

5.0

3.5

10.5

6.6

800

160

187

1.5

1.0

1.5

2.0

212

NA /毫伏

VIN

= 12 V

VIN

= 3 V

栅极驱动器

高边MOSFET驱动器导通状态

阻力

高边MOSFET驱动器峰值

当前

CBOOT

– V

= 4.5 V

负载

= 3 nF的

(1)

(2)

所指定的参数是基于在25 ℃的2N3904晶体管来计算。

19.9乘以从NA /毫伏扩展到ppm / ° C（假设2N3904三极管温度传感器与理想因子

=1.004).

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电气特性（续）

在T

= -40 ° C至+ 125°C和V

VIN

= 12 V时，所有参数处于零功耗（除非另有说明）。最小和

最大的限制是确保通过测试，设计或统计数据。典型值代表最可能的参数

正常规格在T

= 25 ℃，仅供参考。

参数

DS(ON)3

DS(ON)4

DRV- LG- SRC

DRV- LG- SINK

DEAD

SS- PD

SS- INT

PGS

PGL

OVT

HYS

UVT

HYS

尖峰脉冲

UVLO1

UVLO2

UVLO - HYS

UVLO1

UVLO2

IH -SYNC

IL -SYNC

SYNC

FSW -L

SYNC

FSW -H

SYNC

D+1

D+2

OTP

OTP -TC

旅

TRIP- HYS

OTP

SHD

SHD- HYS

(3)

(4)

低侧MOSFET驱动器导通状态

阻力

低侧MOSFET驱动器峰值

当前

自适应死区时间

软启动电流源

软启动下拉电阻

内部软启动超时

PGOOD低灌电流

PGOOD泄漏电流

过电压阈值

OVT滞后

欠压阈值

UVT滞后

抗尖峰脉冲时间

逻辑低阈值

逻辑高门槛

UVLO / EN电压滞后

UVLO / EN上拉电流，禁用

UVLO / EN上拉电流，使

SYNC引脚V

最低时钟频率同步

最大时钟频率同步

SYNC引脚的输入电流

D +引脚状态当前1

D +引脚状态2的电流

远程热稳定电流

OTP

温度COEF网络cient

远程热跳变点

迟滞

OTP性，热关断

OTP （ NOM ）

= 80.7 kΩ,

ΔV

= 79.3毫伏

(3)

, T

125°C

–5%

150

ΔV

= 79.3毫伏

(3)

参考

ΔV

(4)

测试条件

= 4.5 V

负载

= 3 nF的

= 0.1 A （拉）

= -0.1 A（下拉）

源电流（拉）

灌电流（下拉）

民

典型值

1.5

0.9

1.5

2.0

最大

单位

软启动

SS / TRACK

= 0 V

SS / TRACK

= 0.6 V

1.0

3.0

330

1.28

PGOOD

= 0.2 V, V

= 0.75 V

PGOOD

= 5 V

上升，RS连接至GND

下降，RS连接至GND

上升，RS连接至GND

下降，RS连接至GND

PGOOD

上升沿和下降沿

UVLO / EN

落下

UVLO / EN

升起

UVLO / EN

落下

UVLO / EN

= 0 V

UVLO / EN

= 1.25 V

0.94

1.11

139

0.8

5.5

0.8

200

1.2

100

13.5

158

14.6

187

1.15

°C

15.5

213

86%

100

111% 116.5%

3.5%

91%

0.985

1.15

165

1.8

10.5

1.03

1.18

190

2.7

15.5

千赫

兆赫

NA /毫伏

97%

123%

5.0

电源良好

UVLO / ENABLE

时钟同步

外部温度检测及热关断

内部热关断阈值上升

内部热关断阈值

迟滞

所指定的参数是基于在125℃下一个2N3904晶体管来计算。

19.9乘以从NA /毫伏扩展到ppm / ° C（假设2N3904三极管温度传感器与理想因子

=1.004).

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