LM2733 0.6 / 1.6 MHz的升压转换器， 40V内部FET开关采用SOT -23
2003年2月
LM2733
0.6 / 1.6 MHz的升压转换器， 40V内部FET
开关采用SOT -23
概述
该LM2733开关稳压器是电流模式升压
转换经营固定的1.6 MHz的频率（ “X”选项）
和600千赫（“Y”选项）。
采用SOT-23封装的，得以实现的最小
功率损耗的内部1A开关，并使用小的电感
器和电容器引起了业界最高的功率
密度。在40V内部开关，使这些解决方案per-
FECT为提高到16V以上的电压。
这些部件有一个逻辑电平关断引脚，可以
用于降低静态电流，延长电池寿命。
保护是通过逐周期的电流提供限制
和热关断。内部补偿DE-简化
签署并减少了元件数量。
开关频率
X
1.6兆赫
Y
0.6兆赫
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
40V DMOS FET开关
1.6兆赫（“X” ），0.6兆赫（ “Y”）的开关频率
低R
DS
（ON）的DMOS FET
开关电流高达1A
宽输入电压范围（ 2.7V - 14V ）
低关断电流（
＆ LT ;
1 A)
5引脚SOT- 23封装
采用微小的电容器和电感器
逐周期电流限制
内部补偿
应用
n
n
n
n
n
白光LED电流源
PDA和掌上型计算机
数码相机
手提电话和游戏
本地升压稳压器
典型应用电路
20055424
20055457
20055401
20055458
2003美国国家半导体公司
DS200554
www.national.com
LM2733
框图
20055403
工作原理
该LM2733是工作在开关转换器IC
采用电流模式控制固定频率（ 0.6或1.6兆赫）
在宽输入电压范围内实现快速瞬态响应
并结合脉冲由脉冲限流保护。
因为这是电流模式控制，一个50 mΩ的检测电阻
器串联的开关FET将被用来提供一个电压
（其正比于场效应管电流）的两个输入端
脉冲宽度调制（PWM）比较器和电流
租限流放大器。
在每个周期的开始， SR锁存器接通
FET 。作为电流通过FET的增加，电压
（正比于该电流值）相加与斜坡的COM
安泰从斜波发生器，然后送入的输入
PWM比较器。当该电压超过所述电压
另一输入（来自跨导放大器来） ，闩锁
复位和曲折的FET关断。由于从信号到来
该跨导放大器，从反馈衍生（其
样品在输出端的电压）时，PWM的动作
比较器不断设置正确的峰值电流通过
场效应管，以保持输出电压值的调节。
Q1和Q2以及R3 - R6形成带隙电压
使用由IC参照保持在调节输出。该
流经Q1和Q2的电流将是相等的，并且
反馈回路将调整稳压输出保持
这一点。正因为如此，该调节的输出总是main-
tained处的电压电平相等的电压在FB节点
由输出电阻分压器的比率"multiplied up" 。
电流限制比较直接馈入触发器，
驱动开关用FET 。如果FET的电流达到
限阈值，则FET被断开，而周期终止
直到下一个时钟脉冲。电流限制输入终止
无论PWM的输出状态的脉冲
比较器。
3
www.national.com
LM2733
绝对最大额定值
（注1 ）
FB引脚电压
SW引脚电压
输入电源电压
关断输入电压
（生存）
θ
J- á
(SOT23-5)
ESD额定值（注3 ）
人体模型
机器型号
-0.4V至+ 6V
-0.4V至+ 40V
-0.4V至+ 14.5V
-0.4V至+ 14.5V
265C/W
2千伏
200V
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
工作结
温度范围
铅温度。 （焊接， 5秒）
功率耗散（注2 ）
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 125°C
300C
内部限制
电气特性
在标准字体限为T
J
= 25°C ，而在极限
黑体字
适用于在整个工作温度范围内
(40C
≤
T
J
≤
+ 125 ℃）。除非另有规定： V
IN
= 5V, V
SHDN
= 5V ，我
L
= 0A.
符号
V
IN
I
SW
R
DS
（上）
SHDN
TH
I
SHDN
V
FB
I
FB
I
Q
参数
输入电压
开关电流限制
开关导通电阻
关断阈值
关断引脚偏置电流
反馈引脚参考
电压
反馈引脚偏置电流
静态电流
（注6 ）
I
SW
= 100毫安
设备上
设备关闭
V
SHDN
= 0
V
SHDN
= 5V
V
IN
= 3V
V
FB
= 1.23V
V
SHDN
= 5V ，开关"X"
V
SHDN
= 5V ，开关"Y"
V
SHDN
= 5V ，开关不
V
SHDN
= 0
FB电压线路调整
2.7V
≤
V
IN
≤
14V
0.02
F
SW
D
最大
I
L
开关频率
最大占空比
漏电开关
“X”的选项
“Y”选项
“X”的选项
“Y”选项
没有开关V
SW
= 5V
1.15
0.40
87
93
1.6
0.60
93
96
1
1.85
0.8
%/V
1.205
0
0
1.230
60
2.1
1.1
400
0.024
3.0
2
500
1
2
1.255
1.5
0.50
条件
民
（注4 ）
2.7
1.0
1.5
500
650
典型
（注5 ）
最大
（注4 ）
14
单位
V
A
m
V
A
V
nA
mA
A
兆赫
%
A
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。工作时的电气特性不适用
的阐述下运作的评分用于指定的操作条件下预期的范围的限制之外的设备。
注2 ：
最大功率耗散可以安全地耗散的任何应用程序是的最大结温度T的函数
J
（MAX）= 125℃ ，
为SOT- 23封装的结到环境的热阻，
θ
J- á
= 265 ℃/ W，与环境温度T
A
。最大允许功耗
在任何环境温度下使用该设备的设计可以通过下式来计算：
如果功耗超过上述规定的最大值时，内部热保护电路将保护装置根据需要通过降低输出电压
保持一个安全的结温。
注3 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF电容放电
直接向每个引脚。
注4 ：
限制由检验，统计相关性，或设计保证。
注5 ：
典型的值是来自于大量特征中测试的样品的平均值和代表最可能的预期值
在室温下的参数的。
注6 ：
开关电流限制取决于占空比（见典型性能特性） 。显示限制是占空比
≤
50%.
www.national.com
4
LM2733 0.6 / 1.6 MHz的升压转换器， 40V内部FET开关采用SOT -23
2007年7月
LM2733
0.6 / 1.6 MHz的升压转换器， 40V内部FET开关
采用SOT -23
概述
该LM2733开关稳压器是电流模式升压
转换经营固定的1.6 MHz的频率（ “X”选项）
和600千赫（“Y”选项）。
采用SOT-23封装的，得以实现的最小
功率损耗的内部1A开关，并使用小的电感
器和电容器引起了业界最高的功率
密度。在40V内部开关，使这些解决方案per-
FECT为提高到16V以上的电压。
这些部件有一个逻辑电平关断引脚，可用于
降低静态电流，延长电池寿命。
保护是通过逐周期的电流提供限制
和热关断。内部补偿DE-简化
签署并减少了元件数量。
开关频率
X
1.6兆赫
Y
0.6兆赫
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
40V DMOS FET开关
1.6兆赫（“X” ），0.6兆赫（ “Y”）的开关频率
低R
DS
（ON）的DMOS FET
开关电流高达1A
宽输入电压范围（ 2.7V - 14V ）
低关断电流（ <1 μA ）
5引脚SOT- 23封装
采用微小的电容器和电感器
逐周期电流限制
内部补偿
应用
■
■
■
■
■
白光LED电流源
PDA和掌上型计算机
数码相机
手提电话和游戏
本地升压稳压器
典型应用电路
20055424
20055457
2007美国国家半导体公司
200554
www.national.com
LM2733
框图
20055403
工作原理
该LM2733是工作在开关转换器IC
采用电流模式控制固定频率（ 0.6或1.6兆赫）
在宽输入电压范围内实现快速瞬态响应
并结合脉冲由脉冲限流保护。
因为这是电流模式控制，一个50 mΩ的感测电阻器
串联的开关FET将被用来提供一个电压
（其正比于场效应管电流）的两个输入端
脉冲宽度调制（PWM）比较器和电流
租限流放大器。
在每个周期的开始，SR锁存接通FET 。
作为电流通过FET的增加，电压（比例
佐丹奴国这个电流）总结与斜过来
斜坡发生器，然后送入PWM的输入
比较器。当此电压超过上电压
其他输入（来自跨导放大器来） ，闩锁复位
和曲折的FET关断。由于信号由跨导来
放大器从所述反馈来自（这样的
电压时的输出）时，PWM比较器的动作
不断设置正确的峰值电流通过场效应管
保持输出电压值的调节。
Q1和Q2以及R3 - R6形成带隙参考电压进行
ENCE使用的IC持有调节输出。该
流经Q1和Q2的电流将是相等的，并且
反馈回路将调整稳压输出保持这一点。
正因为如此，在已调节输出始终保持在
的电压电平相等的电压在FB节点"multiplied
up"由输出电阻分压器的比率。
电流限制比较直接馈入触发器，
驱动开关用FET 。如果FET的电流达到限
阈值时，FET截止，该循环结束之前
下一个时钟脉冲。电流限制输入终止
脉冲无论PWM的输出状态的COM
parator 。
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4
LM2733
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
工作结
温度范围
铅温度。 （焊接， 5秒）
功率耗散（注2 ）
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 125°C
300°C
内部限制
FB引脚电压
SW引脚电压
输入电源电压
关断输入电压
（生存）
θ
J- á
(SOT23-5)
ESD额定值（注3 ）
人体模型
机器型号
-0.4V至+ 6V
-0.4V至+ 40V
-0.4V至+ 14.5V
-0.4V至+ 14.5V
265°C/W
2千伏
200V
电气特性
在标准字体限为T
J
= 25°C ，而在极限
黑体字
适用于在整个工作温度范围内
(40°C
≤
T
J
≤
+ 125 ℃）。除非另有规定： V
IN
= 5V, V
SHDN
= 5V ，我
L
= 0A.
符号
V
IN
I
SW
R
DS
（上）
SHDN
TH
I
SHDN
V
FB
I
FB
I
Q
参数
输入电压
开关电流限制
开关导通电阻
关断阈值
关断引脚偏置电流
反馈引脚参考
电压
反馈引脚偏置电流
静态电流
（注6 ）
I
SW
= 100毫安
设备上
设备关闭
V
SHDN
= 0
V
SHDN
= 5V
V
IN
= 3V
V
FB
= 1.23V
V
SHDN
= 5V ，开关"X"
V
SHDN
= 5V ，开关"Y"
V
SHDN
= 5V ，开关不
V
SHDN
= 0
FB电压线路调整
2.7V
≤
V
IN
≤
14V
“X”
选项
“Y”
选项
D
最大
I
L
最大占空比
漏电开关
“X”
选项
“Y”
选项
没有开关V
SW
= 5V
1.15
0.40
87
93
1.205
0
0
1.230
60
2.1
1.1
400
0.024
0.02
1.6
0.60
93
96
1
1.85
0.8
3.0
2
500
1
2
1.255
1.5
0.50
条件
民
（注4 ）
2.7
1.0
1.5
500
650
典型
（注5 ）
最大
（注4 ）
14
单位
V
A
m
V
A
V
nA
mA
A
%/V
F
SW
开关频率
兆赫
%
A
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。工作时的电气特性不适用
的阐述下运作的评分用于指定的操作条件下预期的范围的限制之外的设备。
注2 ：
最大功率耗散可以安全地耗散的任何应用程序是的最大结温度T的函数
J
（MAX ）= 125°
C，为SOT- 23封装的结到环境的热阻，
θ
J- á
= 265 ℃/ W，与环境温度T
A
。最大允许功率
耗散在任何环境温度下使用该设备的设计可以通过下式来计算：
如果功耗超过上述规定的最大值时，内部热保护电路将保护装置通过降低输出电压为
保持一个安全的结温必需的。
注3 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF电容放电
直接向每个引脚。
注4 ：
限制由检验，统计相关性，或设计保证。
注5 ：
典型的值是来自于大量特征中测试的样品的平均值和代表最可能的预期值
在室温下的参数的。
注6 ：
开关电流限制取决于占空比（见典型性能特性） 。显示限制是占空比
≤
50%.
5
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LM2733
www.ti.com
SNVS209E - 2002年11月 - 修订2013年4月
LM2733 0.6 / 1.6 MHz的升压转换器， 40V内部FET开关采用SOT -23
检查样品：
LM2733
1
特点
40V DMOS FET开关
1.6兆赫（“X” ），0.6兆赫（“Y” ）开关
频率
低R
DS
（ON）的DMOS FET
开关电流高达1A
宽输入电压范围（ 2.7V - 14V ）
低关断电流（ <1 μA ）
5引脚SOT- 23封装
采用微小的电容器和电感器
逐周期电流限制
内部补偿
描述
该LM2733开关稳压器是电流模式
升压转换器运行的固定频率1.6
兆赫（“X”选项）和600千赫（“Y”选项）。
采用SOT-23封装的，得以实现的
最小的功率损耗的内部1A开关，以及使用
小尺寸的电感和电容引起的
业界最高的功率密度。该内部40V
开关使这些解决方案非常适合于提高
对16V或更高的电压。
这些部件有一个逻辑电平关断引脚，可以
可用于降低静态电流和延伸
电池寿命。
保护是通过逐周期的电流提供
限流和热关断。内部补偿
简化了设计，降低了元件数量。
表1.开关频率
X
1.6兆赫
Y
0.6兆赫
2
应用
白光LED电流源
PDA和掌上型计算机
数码相机
手提电话和游戏
本地升压稳压器
典型应用电路
5 V
IN
R3
51K
L1/10PH
V
IN
SHDN
U1
SW
R1/117K
12V
OUT
330mA
（典型值）
C2
4.7PF
D1
MBR0520
LM2733
;
SHDN
GND
FB
GND
C1
2.2PF
R2
13.3K
CF
220pF
5 V
IN
R3
51K
L1/10PH
V
IN
U1
SW
D1
MBR0530
20V
OUT
170mA
（典型值）
C2
4.7PF
LM2733
;
SHDN
GND
FB
R1/205K
SHDN
GND
C1
2.2PF
R2
13.3K
CF
120pF
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2002至13年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LM2733
SNVS209E - 2002年11月 - 修订2013年4月
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5 V
IN
R3
51K
L1/10PH
V
IN
U1
SW
D1
MBR0540
30V
OUT
110mA
（典型值）
C2
4.7PF
LM2733
< ？
SHDN
GND
FB
R1/309K
SHDN
GND
C1
2.2PF
R2
13.3K
CF
82pF
接线图
顶视图
图1. 5引脚SOT- 23封装
见包装数DBV （ R- PDSO - G5 ）
引脚说明
针
1
2
3
4
5
名字
SW
GND
FB
SHDN
V
IN
漏内部FET开关。
模拟和电源地。
反馈点连接到外部电阻分压器。
关断控制输入。连接到V
IN
如果不使用此功能。
模拟和电源输入。
功能
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
2
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LM2733
版权所有 2002至13年，德州仪器
LM2733
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SNVS209E - 2002年11月 - 修订2013年4月
绝对最大额定值
(1) (2)
存储温度范围
工作结温范围
铅温度。 （焊接， 5秒）
功耗
(3)
FB引脚电压
SW引脚电压
输入电源电压
SHDN引脚电压
θ
J- á
(SOT-23)
ESD额定值
(4)
65°C
至+ 150°C
40°C
至+ 125°C
300°C
内部限制
0.4V
为+ 6V
0.4V
至+ 40V
0.4V
到+ 14.5V
0.4V
到VIN + 0.3V
265°C/W
人体模型
机器型号
2千伏
200V
(1)
(2)
(3)
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。电气规格不适用
下的操作的评分阐述的限制之外运行设备时用于指定操作的预定范围
条件。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
最大功率耗散可以安全地耗散的任何应用程序是的最大结温的函数
T
J
（ MAX） = 125 ℃，采用SOT -23封装的结到环境的热阻，
θ
J- á
= 265 ℃/ W，与环境温度，
T
A
。在任何环境温度下使用该设备的设计所允许的最大功率耗散可以使用计算
公式：
如果功耗超过上述规定的最大值时，内部热保护
电路将通过作为保持一个安全的结点温度需要降低输出电压保护器件。
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF的
电容直接排入每个引脚。
(4)
电气特性
在标准字体限为T
J
= 25°C ，而在极限
黑体字
适用于在整个工作温度范围内
(40°C
≤
T
J
≤
+ 125 ℃）。除非另有规定： V
IN
= 5V, V
SHDN
= 5V ，我
L
= 0A.
符号
V
IN
I
SW
R
DS
（上）
SHDN
TH
I
SHDN
V
FB
I
FB
I
Q
参数
输入电压
开关电流限制
开关导通电阻
关断阈值
关断引脚偏置电流
反馈引脚参考电压
反馈引脚偏置电流
静态电流
SEE
(3)
条件
民
(1)
2.7
1.0
1.5
典型
(2)
1.5
500
最大
(1)
14
650
0.50
单位
V
A
m
V
A
V
nA
I
SW
= 100毫安
设备上
设备关闭
V
SHDN
= 0
V
SHDN
= 5V
V
IN
= 3V
V
FB
= 1.23V
V
SHDN
= 5V ，开关"X"
V
SHDN
= 5V ，开关"Y"
V
SHDN
= 5V ，开关不
V
SHDN
= 0
1.205
0
0
1.230
60
2.1
1.1
400
0.024
0.02
1.15
0.40
87
93
1.6
0.60
93
96
1
1.85
0.8
3.0
2
500
1
2
1.255
mA
A
%/V
兆赫
%
A
Δ
V
FB
ΔV
IN
F
SW
D
最大
I
L
(1)
(2)
(3)
FB电压线路调整
开关频率
最大占空比
漏电开关
2.7V
≤
V
IN
≤
14V
“X”的选项
“Y”选项
“X”的选项
“Y”选项
没有开关V
SW
= 5V
限制由检验，统计相关性，或设计规定。
典型的值是来自于大量特征中测试的样品的平均值，代表最
可能期望在室温下该参数的值。
开关电流限制取决于占空比（见典型性能特性） 。显示限制是占空比
≤
50%.
版权所有 2002至13年，德州仪器
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LM2733
3
LM2733
SNVS209E - 2002年11月 - 修订2013年4月
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典型性能特性
除非另有规定： V
IN
= 5V ， SHDN引脚连接到V
IN
.
智商V
IN
（活动）与温度 - "X"
1.06
1.05
1.04
智商ACTIVE （毫安）
1.03
1.02
1.01
1
0.99
0.98
-50
智商V
IN
（活动）与温度 - "Y"
-25
0
25
50
75
100 125 150
温度（
o
C)
图2中。
振荡器频率与温度 - "X"
网络连接gure 3 。
振荡器频率与温度 - "Y"
0.615
0.610
振荡器频率（MHz）
0.605
0.600
0.595
0.590
0.585
0.580
0.575
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
温度（
o
C)
图4中。
马克斯。占空比与温度 - "X"
93.4
93.3
最大占空比（ ％ ）
最大占空比
93.2
93.1
93.0
92.9
92.8
92.7
-40
图5中。
马克斯。占空比与温度 - "Y"
96.55
96.5
96.45
96.4
96.35
96.3
96.25
96.2
96.15
96.1
-25
0
25
50
75
100
125
96.05
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
温度（
o
C)
温度（
o
C)
图6 。
图7 。
4
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LM2733
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SNVS209E - 2002年11月 - 修订2013年4月
典型性能特性（续）
除非另有规定： V
IN
= 5V ， SHDN引脚连接到V
IN
.
反馈电压与温度
R
DS
（ ON）与温度
网络连接gure 8 。
电流限制与温度
图9 。
R
DS （ ON）
VS V
IN
网络连接gure 10 。
效率与负载电流（V
OUT
= 12V ） - "X"
图11 。
效率与负载电流（V
OUT
= 15V ） - "X"
100
90
80
效率（％）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
200
400
600
800
1000
负载电流（mA ）
V
IN
= 3.3V
V
IN
= 10V
V
IN
= 5V
图12 。
图13 。
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