LM2725 / LM2726高速同步MOSFET驱动器
2000年11月
LM2725/LM2726
高速同步MOSFET驱动器
概述
该LM2725 / LM2726是一个家庭的双MOSFET驱动器
可以同时驱动高端MOSFET和底部MOSFET的
推挽结构的同时。它需要一个逻辑电平
PWM输入并将它分成具有两个互补的信号
一个典型20ns的死区时间在两者之间。内置
击穿保护电路可以防止顶部和底部
汤姆从场效应管同时导通。以偏置电压
5V ，峰值采购的年龄和吸收电流为每
的LM2725的驱动约为1.2A ，而LM2726的是
关于3A 。采用SO - 8封装，每一个驱动程序能够处理
50mA
平均
电流。
输入
UVLO
（欠压锁出）保证所有的驱动器输出
保持为低电平，直到电源轨超过了上电门槛
系统上电期间或之后的电源电压以下滴
功率阈值由系统在指定的滞后
断电。交叉传导保护电路DE-
tects两个驱动器输出和电源无法打开驱动程序，直到
其它驱动器的输出是低的。顶栅偏压
需要通过高端MOSFET可以通过获得
外部自举结构。最小脉冲宽度为低
为55ns 。
特点
n
n
n
n
n
n
高峰值输出电流
自适应贯通保护
36V SW引脚的绝对最大电压
输入欠电压锁定输出
典型20ns的内部延迟
塑料8引脚SO封装
应用
n
高电流DC / DC电源
n
高输入电压开关稳压器
n
微处理器
典型用途
DS200072-1
接线图
8引脚小外形封装
DS200072-2
顶视图
2000美国国家半导体公司
DS200072
www.national.com
LM2725/LM2726
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
VCC
CBOOT
CBOOT至SW
申银万国PGND
结温
功耗
（注2 ）
7.5V
42V
8V
36V
+150C
720mW
储存温度
ESD敏感性
人体模型（注3 ）
焊接时间，温度
-65 °到150℃
1千伏
10秒， 300℃
工作额定值
（注1 ）
VCC
结温范围
4V至7V
0°到125℃
电气特性
LM2725
Vcc = CBOOT = 5V ， SW = GND = 0V ，除非另有规定。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
= T
J
= + 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内。
符号
电源
I
q_op
I
Q_SD
TOP DRIVER
山顶上拉电流
拉RDS_ON
峰值下拉电流
下拉RDS_ON
t
4
t
6
t
3
t
5
上升时间
下降时间
拉死区时间
下拉延迟
测试电路1 ，V
BIAS
= 5V,
R = 0.1
I
CBOOT
= I
HG
= 0.7A
测试电路2 ，V
BIAS
= 5V,
R = 0.1
I
SW
= I
HG
= 0.7A
时序图，C
负载
=
3.3nF
时序图
时序图，从
PWM_IN下降沿
测试电路3 ，V
BIAS
= 5V,
R = 0.1
I
VCC
= I
LG
= 0.7A
测试电路如图4所示， V
BIAS
= 5V,
R = 0.1
I
GND
= I
LG
= 0.7A
时序图，C
负载
=
3.3nF
时序图
时序图，从
PWM_IN上升沿
VCC从0V向上升
5V
1.2
2.4
1.0
1.4
17
10
23
21
A
A
ns
ns
ns
ns
静态工作
当前
停机静态
当前
PWM_IN = 0V
EN = 0V， PWM_IN = 0V
180
0.5
250
15
A
参数
条件
民
典型值
最大
单位
A
BOTTOM DRIVER
山顶上拉电流
拉RDS_ON
峰值下拉电流
下拉RDS_ON
t
8
t
2
t
7
t
1
逻辑
V
UVLO_UP
V
uvlo_dn
V
UVLO_Hys
功率门限
欠压锁退房
门槛
欠压锁退房
迟滞
3.0
2.5
0.5
V
V
V
上升时间
下降时间
拉死区时间
下拉延迟
1.2
2.6
2
0.65
18
6
28
15
A
A
ns
ns
ns
ns
3
www.national.com
LM2725/LM2726
电气特性
LM2725
（续）
Vcc = CBOOT = 5V ， SW = GND = 0V ，除非另有规定。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
= T
J
= + 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内。
符号
逻辑
V
IH_EN
V
IL_EN
I
leak_EN
t
ON_MIN
EN引脚输入高
EN引脚低电平输入
EN引脚漏电流
最小的正输入
脉冲宽度
（注4 ）
最低负输入
脉冲宽度
（注5 ）
PWM_IN高层
输入电压
PWM_IN低电平
输入电压
当PWM_IN引脚变为
从0V高
当PWM_IN引脚变为
从低5V
2.4
0.8
V
EN = VCC = 5V
VCC = 5V ， EN = 0V
2
2
55
ns
55
2.4
0.8
2
2
V
V
A
参数
条件
民
典型值
最大
单位
t
OFF_MIN
V
IH_PWM
V
IL_PWM
电气特性
LM2726
Vcc = CBOOT = 5V ， SW = GND = 0V ，除非另有规定。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
= T
J
= + 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内。
符号
电源
I
q_op
I
Q_SD
TOP DRIVER
山顶上拉电流
拉RDS_ON
峰值下拉电流
下拉RDS_ON
t
4
t
6
t
3
t
5
上升时间
下降时间
拉死区时间
下拉延迟
测试电路1 ，V
BIAS
= 5V,
R = 0.1
I
CBOOT
= I
HG
= 1.0A
测试电路2 ，V
BIAS
= 5V,
R = 0.1
I
SW
= I
HG
= 1.0A
时序图，C
负载
=
3.3nF
时序图
时序图，从
从下降沿PWM_IN
测试电路3 ，V
BIAS
= 5V,
R = 0.1
I
VCC
= I
LG
= 1.0A
测试电路如图4所示， V
BIAS
= 5V,
R = 0.1
I
GND
= I
LG
= 1.0A
时序图，C
负载
=
3.3nF
时序图
3.0
1.2
3.2
0.5
17
12
19
27
A
A
ns
ns
ns
ns
静态工作
当前
停机静态
当前
PWM_IN = 0V
EN = 0V， PWM_IN = 0V
185
0.5
250
15
A
参数
条件
民
典型值
最大
单位
A
BOTTOM DRIVER
山顶上拉电流
拉RDS_ON
峰值下拉电流
下拉RDS_ON
t
8
t
2
t
7
www.national.com
3.2
1.1
3.2
0.6
17
14
12
A
A
ns
ns
ns
上升时间
下降时间
拉死区时间
4
LM2725/LM2726
电气特性
LM2726
（续）
Vcc = CBOOT = 5V ， SW = GND = 0V ，除非另有规定。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
= T
J
= + 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内。
符号
BOTTOM DRIVER
t
1
逻辑
V
UVLO_UP
V
uvlo_dn
V
UVLO_Hys
V
IH_EN
V
IL_EN
I
leak_EN
t
ON_MIN
功率门限
欠压锁退房
门槛
欠压锁退房
迟滞
EN引脚输入高
EN引脚低电平输入
EN引脚漏电流
最小的正输入
脉冲宽度
（注4 ）
最低负输入
脉冲宽度
（注5 ）
PWM_IN高层
输入电压
PWM_IN低电平
输入电压
当PWM_IN引脚变为
从0V高
当PWM_IN引脚变为
从低5V
2.4
0.25
V
EN = VCC = 5V
VCC = 5V ， EN = 0V
2
2
55
ns
55
2.4
0.25
2
2
VCC从0V向上升
5V
2.8
2.5
0.3
V
V
V
V
V
A
下拉延迟
时序图，从
PWM_IN上升沿
13
ns
参数
条件
民
典型值
最大
单位
t
OFF_MIN
V
IH_PWM
V
IL_PWM
注1 ：绝对最大额定值
超出了可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
条件是在设备的运行条件
正确。工作额定值并不意味着保证性能的限制。
注2 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
JMAX
，结到环境的热阻，
θ
JA
和
环境温度，T
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗的计算公式：P
最大
= (T
JMAX
-T
A
) /
θ
JA
。的结点到
环境的热阻，
θ
JA
为LM2725 / LM2726为172℃ / W 。对于一件T
JMAX
150°C和T的
A
25℃ ，最大允许功耗为0.7W 。
注3 ：
ESD机模型的敏感性为100V 。
注4 ：
如果后一个上升沿，产生一个下降沿比指定值越早， IC可以间歇性地无法打开的底栅当顶栅处于关闭状态。
如出现下降沿越快和越早，驾驶员可以开始忽略该脉冲并产生任何输出。
注5 ：
如果后一个下降沿，产生一个上升沿比指定值越早， IC可以间歇性地无法打开的顶栅当底门是关闭的。
如发生上升沿越快和越早，驾驶员可以开始忽略该脉冲并产生任何输出。
5
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