LM2724A高速3A同步MOSFET驱动器
2003年6月
LM2724A
高速3A同步MOSFET驱动器
概述
该LM2724A是一个双N沟道MOSFET驱动器，其
所用的推挽驱动器的顶部和底部的MOSFET
同时结构。该LM2724A需要一个逻辑输入
并将它分成具有典型的两个互补的信号
20ns的死区时间在两者之间。内置的跨导
保护电路可以防止顶部和底部的MOSFET
从同时开启。用5V时，偏置电压
峰源出和吸收电流的每个驱动程序
LM2724A大约是3A 。输入UVLO （欠压，锁相
出）保证所有的驱动器输出保持低电平，直到
电源轨超出系统在上电门槛
接通电源，或电源轨下降后低于上电
在系统功率阈值由指定的滞后
下来。交叉传导保护电路检测到两个
驱动器输出和电源无法打开驱动程序，直到其他
驱动器的输出是低的。所需的顶端顶栅电压
MOSFET是通过外部自举struc-获得
真实存在。如果不转换，则LM2724A只拟对
195μA从5V电源。的同步操作
底部MOSFET可以通过将SYNC引脚被禁用
地面上。
特点
n
n
n
n
n
n
贯通保护
输入欠电压锁定输出
3A峰值驱动电流
195μA静态电流
在降压配置28V的输入电压
SO -8和LLP封装
应用
n
n
n
n
高电流DC / DC电源
高输入电压开关稳压器
快速瞬态微处理器
笔记本电脑
典型用途
20073501
2003美国国家半导体公司
DS200735
www.national.com
LM2724A
绝对最大额定值
（注1 ）
储存温度
ESD敏感性
人体模型（注4 ）
焊接时间，温度
-65_C到150_C
2.0千伏
10秒， 300℃
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
CC
启动到SW
引导至GND （注2 ）
SW到GND
结温
功耗
（注3）
7V
7V
35V
30V
+150C
720MW （ SO - 8 ）
3.2W （ LLP - 8 ）
工作额定值
（注1 ）
V
CC
结温范围
4.3V至6.8V
-40°C至125°C
电气特性
LM2724A
V
CC
= BOOT = SYNC = 5V， SW = GND = 0V ，除非另有规定。标准结构和限制出现在平原型申请
T
A
= T
J
= + 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内。
符号
电源
I
q_op
TOP DRIVER
山顶上拉电流
拉RDS_ON
峰值下拉电流
下拉RDS_ON
t
4
t
6
t
3
t
5
上升时间
下降时间
拉死区时间
下拉延迟
I
SW
= I
HG
= 0.3A
时序图，C
负载
=
3.3nF
时序图
时序图，从IN
下降沿
I
BOOT
= I
HG
= 0.3A
3.0
1.2
3.2
0.5
17
12
19
27
A
A
ns
ns
ns
ns
静态工作
当前
IN = 0V
145
195
A
参数
条件
民
典型值
最大
单位
BOTTOM DRIVER
山顶上拉电流
拉RDS_ON
峰值下拉电流
下拉RDS_ON
t
8
t
2
t
7
t
1
逻辑
V
UVLO_UP
V
CC
欠压锁退房
阈值上限
V
CC
欠压锁退房
阈值下限
V
CC
欠压锁退房
迟滞
SYNC引脚输入高
SYNC引脚低电平输入
SYNC引脚漏
当前
SYNC = 5V ，灌电流
SYNC = 0V ，源出电流
V
CC
上升从0V向
5V
VCC瀑布从5V走向
0V
V
CC
从5V朝0V下降
0.8
55%
25%
2
10
V
4
V
上升时间
下降时间
拉死区时间
下拉延迟
I
GND
= I
LG
= 0.3A
时序图，C
负载
=
3.3nF
时序图
时序图
I
VCC
= I
LG
= 0.3A
3.2
1.1
3.2
0.6
17
14
22
13
A
A
ns
ns
ns
ns
V
uvlo_dn
2.5
V
V
UVLO_Hys
V
IH_SYNC
V
IL_SYNC
I
leak_SYNC
V
CC
A
www.national.com
4
LM2724A
电气特性
LM2724A
（续）
V
CC
= BOOT = SYNC = 5V， SW = GND = 0V ，除非另有规定。标准结构和限制出现在平原型申请
T
A
= T
J
= + 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内。
符号
I
LEAK_IN
t
on_min1
参数
IN引脚漏电流
最小的正脉冲
宽度IN引脚
（注5 ）
最小的正脉冲
宽度IN引脚为HG到
响应
（注6 ）
最小的正脉冲
宽度IN引脚的LG电子
响应
（注7 ）
最低负脉冲
宽度IN引脚的LG电子
响应
（注8）
最低负脉冲
宽度IN引脚为HG到
响应
（注9 ）
高电平输入
电压
低电平输入
电压
当IN引脚变为高
0V
当IN引脚从低电平变为
5V
55%
25%
V
CC
条件
IN = 0V ，源出电流
IN = 5V ，灌电流
160
民
典型值
最大
2
10
单位
A
t
on_min2
45
t
on_min3
10
ns
t
off_min1
40
t
off_min2
5
V
IH_IN
V
IL_IN
注1 ：绝对最大额定值
超出了可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
条件是在设备的运行条件
正确。该gaurnteed规范仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低，当这部分不被下操作
上市条件。
注2 ：
如果BOOT的电压超过该值时， ESD结构会降低。
注3 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
JMAX
，结到环境的热阻，
θ
JA
和
环境温度，T
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗的计算公式：P
最大
= (T
JMAX
-T
A
) /
θ
JA
。的结点到
环境的热阻，
θ
JA
为LM2724A是172C /瓦。对于一件T
JMAX
150°C和T的
A
25℃ ，最大允许功耗为0.7W 。该
θ
JA
为
LM2724A LLP封装为39℃ / W 。对于一件T
JMAX
150°C和T的
A
25℃ ，最大允许功耗为3.2W 。
注4 ：
ESD机模型的敏感性为200V 。
注5 ：
如果IN引脚的正脉冲宽度低于该值，但高于吨
on_min2
中，脉冲是在内部延伸至吨
on_min1
，所以将HG宽度将是一个恒定
值。
注6 ：
如果IN引脚的正脉冲宽度低于该值，但高于吨
on_min3
，则HG停止响应，而LG仍然响应脉冲。
注7 ：
如果IN端子的正脉冲宽度低于该值时，脉冲将被完全忽略。无论HG或LG将回应。
注8 ：
如果IN引脚的负脉冲宽度低于该值，但高于吨
off_min2
，那么LG停止响应，而HG仍然响应。
注9 ：
如果IN端子的负脉冲宽度低于该值时，脉冲将被完全忽略。无论HG或LG将回应。
5
www.national.com
LM2724A高速3A同步MOSFET驱动器
2003年6月
LM2724A
高速3A同步MOSFET驱动器
概述
该LM2724A是一个双N沟道MOSFET驱动器，其
所用的推挽驱动器的顶部和底部的MOSFET
同时结构。该LM2724A需要一个逻辑输入
并将它分成具有典型的两个互补的信号
20ns的死区时间在两者之间。内置的跨导
保护电路可以防止顶部和底部的MOSFET
从同时开启。用5V时，偏置电压
峰源出和吸收电流的每个驱动程序
LM2724A大约是3A 。输入UVLO （欠压，锁相
出）保证所有的驱动器输出保持低电平，直到
电源轨超出系统在上电门槛
接通电源，或电源轨下降后低于上电
在系统功率阈值由指定的滞后
下来。交叉传导保护电路检测到两个
驱动器输出和电源无法打开驱动程序，直到其他
驱动器的输出是低的。所需的顶端顶栅电压
MOSFET是通过外部自举struc-获得
真实存在。如果不转换，则LM2724A只拟对
195μA从5V电源。的同步操作
底部MOSFET可以通过将SYNC引脚被禁用
地面上。
特点
n
n
n
n
n
n
贯通保护
输入欠电压锁定输出
3A峰值驱动电流
195μA静态电流
在降压配置28V的输入电压
SO -8和LLP封装
应用
n
n
n
n
高电流DC / DC电源
高输入电压开关稳压器
快速瞬态微处理器
笔记本电脑
典型用途
20073501
2003美国国家半导体公司
DS200735
www.national.com
LM2724A
绝对最大额定值
（注1 ）
储存温度
ESD敏感性
人体模型（注4 ）
焊接时间，温度
-65_C到150_C
2.0千伏
10秒， 300℃
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
CC
启动到SW
引导至GND （注2 ）
SW到GND
结温
功耗
（注3）
7V
7V
35V
30V
+150C
720MW （ SO - 8 ）
3.2W （ LLP - 8 ）
工作额定值
（注1 ）
V
CC
结温范围
4.3V至6.8V
-40°C至125°C
电气特性
LM2724A
V
CC
= BOOT = SYNC = 5V， SW = GND = 0V ，除非另有规定。标准结构和限制出现在平原型申请
T
A
= T
J
= + 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内。
符号
电源
I
q_op
TOP DRIVER
山顶上拉电流
拉RDS_ON
峰值下拉电流
下拉RDS_ON
t
4
t
6
t
3
t
5
上升时间
下降时间
拉死区时间
下拉延迟
I
SW
= I
HG
= 0.3A
时序图，C
负载
=
3.3nF
时序图
时序图，从IN
下降沿
I
BOOT
= I
HG
= 0.3A
3.0
1.2
3.2
0.5
17
12
19
27
A
A
ns
ns
ns
ns
静态工作
当前
IN = 0V
145
195
A
参数
条件
民
典型值
最大
单位
BOTTOM DRIVER
山顶上拉电流
拉RDS_ON
峰值下拉电流
下拉RDS_ON
t
8
t
2
t
7
t
1
逻辑
V
UVLO_UP
V
CC
欠压锁退房
阈值上限
V
CC
欠压锁退房
阈值下限
V
CC
欠压锁退房
迟滞
SYNC引脚输入高
SYNC引脚低电平输入
SYNC引脚漏
当前
SYNC = 5V ，灌电流
SYNC = 0V ，源出电流
V
CC
上升从0V向
5V
VCC瀑布从5V走向
0V
V
CC
从5V朝0V下降
0.8
55%
25%
2
10
V
4
V
上升时间
下降时间
拉死区时间
下拉延迟
I
GND
= I
LG
= 0.3A
时序图，C
负载
=
3.3nF
时序图
时序图
I
VCC
= I
LG
= 0.3A
3.2
1.1
3.2
0.6
17
14
22
13
A
A
ns
ns
ns
ns
V
uvlo_dn
2.5
V
V
UVLO_Hys
V
IH_SYNC
V
IL_SYNC
I
leak_SYNC
V
CC
A
www.national.com
4
LM2724A
电气特性
LM2724A
（续）
V
CC
= BOOT = SYNC = 5V， SW = GND = 0V ，除非另有规定。标准结构和限制出现在平原型申请
T
A
= T
J
= + 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内。
符号
I
LEAK_IN
t
on_min1
参数
IN引脚漏电流
最小的正脉冲
宽度IN引脚
（注5 ）
最小的正脉冲
宽度IN引脚为HG到
响应
（注6 ）
最小的正脉冲
宽度IN引脚的LG电子
响应
（注7 ）
最低负脉冲
宽度IN引脚的LG电子
响应
（注8）
最低负脉冲
宽度IN引脚为HG到
响应
（注9 ）
高电平输入
电压
低电平输入
电压
当IN引脚变为高
0V
当IN引脚从低电平变为
5V
55%
25%
V
CC
条件
IN = 0V ，源出电流
IN = 5V ，灌电流
160
民
典型值
最大
2
10
单位
A
t
on_min2
45
t
on_min3
10
ns
t
off_min1
40
t
off_min2
5
V
IH_IN
V
IL_IN
注1 ：绝对最大额定值
超出了可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
条件是在设备的运行条件
正确。该gaurnteed规范仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低，当这部分不被下操作
上市条件。
注2 ：
如果BOOT的电压超过该值时， ESD结构会降低。
注3 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
JMAX
，结到环境的热阻，
θ
JA
和
环境温度，T
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗的计算公式：P
最大
= (T
JMAX
-T
A
) /
θ
JA
。的结点到
环境的热阻，
θ
JA
为LM2724A是172C /瓦。对于一件T
JMAX
150°C和T的
A
25℃ ，最大允许功耗为0.7W 。该
θ
JA
为
LM2724A LLP封装为39℃ / W 。对于一件T
JMAX
150°C和T的
A
25℃ ，最大允许功耗为3.2W 。
注4 ：
ESD机模型的敏感性为200V 。
注5 ：
如果IN引脚的正脉冲宽度低于该值，但高于吨
on_min2
中，脉冲是在内部延伸至吨
on_min1
，所以将HG宽度将是一个恒定
值。
注6 ：
如果IN引脚的正脉冲宽度低于该值，但高于吨
on_min3
，则HG停止响应，而LG仍然响应脉冲。
注7 ：
如果IN端子的正脉冲宽度低于该值时，脉冲将被完全忽略。无论HG或LG将回应。
注8 ：
如果IN引脚的负脉冲宽度低于该值，但高于吨
off_min2
，那么LG停止响应，而HG仍然响应。
注9 ：
如果IN端子的负脉冲宽度低于该值时，脉冲将被完全忽略。无论HG或LG将回应。
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