LM27222高速4.5A同步MOSFET驱动器
2006年3月
LM27222
高速4.5A同步MOSFET驱动器
概述
该LM27222是一款双N沟道MOSFET驱动器设计
来驱动的MOSFET推挽配置，典型地
在同步降压型稳压器使用。该LM27222采用
来自控制器的PWM输出，并提供适当的
定时与驱动电平的输出级的MOSFET。适配
略去贯通保护防止破坏和艾菲
效率降低直通电流，从而保证了RO-
胸围的设计能够与几乎所有的MOSFET使用。
自适应贯通保护电路还降低了
死区时间降到低至10ns的，确保最高
运行效率。峰源和吸收电流
为LM27222的每个驱动器约3A和4.5安培
分别与5V的栅极电压。系统的性能也
通过保持传播延迟降低到8ns的提高。艾菲
效率再次在所有负载电流通过抑制改善
移植同步，非同步，和二极管仿真
通过LEN销模式。最小输出脉冲
宽度来实现，在MOSFET的输出是低达
为30ns 。这实现了高的操作频率以非常高的
在降压型稳压器的设计转换率。支持低
在笔记本电脑系统电源状态时， LM27222只画
5μA从5V电源时， IN和LEN投入不足或
浮动。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
自适应贯通保护
10ns的死区时间
为8ns传播延迟
30ns的最短接通时间
0.4Ω上拉下来， 0.9Ω上拉了司机
4.5A峰值驱动电流
MOSFET容错设计
5μA静态电流
在降压配置30V最大输入电压
4V至6.85V的工作电压
SO -8和LLP封装
应用
n
n
n
n
大电流降压和升压转换器
快速瞬态DC / DC电源
单端正激输出整流
CPU和GPU核心电压调节器
典型用途
20117902
图1 。
2006美国国家半导体公司
DS201179
www.national.com
LM27222
接线图
20117901
顶视图
SO- 8 （ NS封装＃ M08A ）
θ
JA
= 172 ° C / W
or
LLP - 8 （ NS封装＃ SDC08A ）
θ
JA
= 39 ° C / W
订购信息
订单号
LM27222M
LM27222MX
LM27222SD
LM27222SDX
LLP-8
SDC08A
SIZE
SO-8
NSC绘图＃
M08A
套餐类型
轨
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
供货方式
95单位/铁
2500个/卷
1000个/卷
4500个/卷
引脚说明
针＃
1
2
引脚名称
SW
HG
引脚功能
高侧驱动器返回。应连接到高侧和低侧MOSFET的公共节点。
高侧栅极驱动输出。应连接到高侧MOSFET的栅极。推倒
内部有10K电阻到SW防止虚假打开高侧MOSFET时的
驱动器处于关闭状态。
自举。接受一个自举电压供电的高边驱动器。
接受来自控制器的PWM信号。高电平有效。内部下拉至GND，一个150K
电阻器，以防止杂散转弯的高侧MOSFET的当控制器处于非活动状态。
低侧栅极启用。高电平有效。内部下拉至GND，一个150K电阻，以防止
伪导通的低侧MOSFET的当控制器处于非活动状态。
连接到+ 5V电源。
低侧栅极驱动器输出。应连接到低压侧MOSFET的栅极。内部下拉至
GND用一个10K的电阻，以防止虚假开启低边MOSFET的驱动程序时关闭。
地面上。
3
4
5
6
7
8
CB
IN
LEN
V
CC
LG
GND
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2
LM27222
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
CC
到GND
CB到GND
CB申银万国
SW到GND （注2 ）
LEN ，IN ， LG到GND
HG到GND
结温
-0.3V至7V
-0.3V至36V
-0.3V至7V
-2V至36V
-0.3V到V
CC
+ 0.3V
≤
7V
-0.3V至36V
+150C
功率耗散（注3 ）
储存温度
ESD敏感性
人体模型
720mW
-65 °到150℃
2kV
工作额定值
（注1 ）
VCC
结温范围
CB （最大）
4V至6.85V
-40至125℃
33V
电气特性
（注4 ）
Vcc = CB = 5V， SW = GND = 0V ，除非另有规定。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
= T
J
=
+ 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内（ -40℃
≤
T
J
≤
125C).
符号
电源
I
q_op
工作静态电流
IN = 0V ，LEN = 0V
IN = 0V ，LEN = 5V
高侧驱动器
山顶上拉电流
R
H- PU
R
H- PD
t
4
t
6
t
3
t
5
t
ON_MIN
拉RDS_ON
峰值下拉电流
下拉RDS_ON
上升时间
下降时间
拉死区时间
下拉延迟
最小的正输出
脉冲宽度
山顶上拉电流
R
L- PU
R
L- PD
t
8
t
2
t
7
t
1
拉RDS_ON
峰值下拉电流
下拉RDS_ON
上升时间
下降时间
拉死区时间
下拉延迟
HG -SW下拉电阻
LG- GND下拉
阻力
LEN - GND下拉
阻力
IN- GND下拉电阻
漏电流
I
LEAK_IN
IN引脚漏电流
IN = 0V ，源出电流
IN = 5V ，灌电流
50
33
nA
A
I
GND
= I
LG
= 0.3A
时序图，C
负载
=为3.3nF
时序图，C
负载
=为3.3nF
时序图
时序图
I
VCC
= I
LG
= 0.3A
I
SW
= I
HG
= 0.3A
时序图，C
负载
=为3.3nF
时序图，C
负载
=为3.3nF
时序图
时序图
I
CB
= I
HG
= 0.3A
3
0.9
4.5
0.4
17
12
9.5
16.5
30
1.5
2.5
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
500
5
540
15
30
650
825
A
A
参数
条件
民
典型值
最大
单位
低侧驱动器
3.2
0.9
4.5
0.4
17
14
11.5
7.7
10k
10k
150K
150K
1.5
2.5
A
A
ns
ns
ns
ns
下拉抗力
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4
LM27222
电气特性
（注4 ）
符号
I
leak_LEN
逻辑
V
IH_LEN
V
IL_LEN
V
IH_IN
V
IL_IN
LEN低到高门槛
LEN高至低阈值
低到高门槛
高到低阈值
阈值迟滞
参数
LEN引脚漏电流
（续）
Vcc = CB = 5V， SW = GND = 0V ，除非另有规定。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
= T
J
=
+ 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内（ -40℃
≤
T
J
≤
125C).
条件
LEN = 0V ，源出电流
LEN = 5V ，灌电流
从低到高的转变
高向低过渡
从低到高的转变
高向低过渡
30
0.7
30
65
民
典型值
200
33
65
最大
单位
nA
A
％V的
CC
％V的
CC
％V的
CC
％V的
CC
V
注1 ：绝对最大额定值
超出了可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
条件是在设备的运行条件
正确。工作额定值并不意味着保证性能的限制。
注2 ：
SW引脚可以申请10％的最大占空比为1秒的最长期限-2V至-0.5伏。不存在占空比或最大
时效期为-0.5V至30伏的SW引脚的电压范围。
注3 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
JMAX
，结到环境的热阻，
θ
JA
和
环境温度，T
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗的计算公式：P
最大
= (T
JMAX
-T
A
) /
θ
JA
。的结点到
环境的热阻，
θ
JA
，对于LM27222M ，它是165℃ / W 。对于一件T
JMAX
150°C和T的
A
25℃ ，最大允许功耗为0.76W 。该
θ
JA
对于LM27222SD是42C /瓦。对于一件T
JMAX
150°C和25°C的TA ，最大允许功耗为3W 。
注4 ：
最小和最大限制是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计数据得以保证
质量控制（ SQC）方法。这些极限值可用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
时序图
20117904
5
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