LM2722高速同步/异步MOSFET驱动器
2001年12月
LM2722
高速同步/异步MOSFET驱动器
概述
的LM2722的LM2726家族的一部分，被设计为
多相位控制器配合使用。这部分不同于
通过改变SYNC_EN销的功能LM2726
从整体的芯片使能以一个低侧MOSFET启用。如
结果， SYNC_EN销现在提供的控制
同步和异步操作。有了这个
控制可以在从便携式系统有利
异步操作可以在很轻的更有效
负载。
该LM2722驱动器顶部和底部MOSFET的一个
推挽同时结构。它需要一个逻辑电平
PWM输入并将它分成具有两个互补的信号
一个典型20ns的死区时间在两者之间。内置
交叉导通的保护电路可以防止顶部和
底部场效应管的同时导通。该
交叉传导保护电路检测到两个驱动器
输出并不会打开一个驱动器，直到其他司机
输出为低电平。以偏置电压为5V时，峰值采购
和吸收电流为LM2722的每个驱动程序通常是
3A 。采用SO - 8封装，每一个驱动程序能够处理50毫安
平均电流。输入UVLO （欠压锁输出）
势力驱动器输出低电平，以确保适当的电
和断电操作。栅极驱动器的偏置电压
需要高侧MOSFET是通过获得
外部自举。最小脉冲宽度更是低至55ns 。
特点
n
n
n
n
n
同步或异步操作
自适应贯通保护
输入欠电压锁定输出
典型20ns的内部延迟
塑料8引脚SO封装
应用
n
驱动LM2723 Intel移动CPU的Northwood核心
电源。
n
高电流DC / DC电源
n
高输入电压开关稳压器
n
快速瞬态微处理器
典型用途
20028901
注：国家是英特尔移动电压定位（ IMVP ）被许可人。
2001美国国家半导体公司
DS200289
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LM2722
绝对最大额定值
（注1 ）
储存温度
ESD敏感性
人体模型（注3 ）
焊接时间，温度
-65 °到150℃
1kV
10秒， 300℃
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
VCC
CBOOT
CBOOT至SW
申银万国PGND
结温
功耗
（注2 ）
7.5V
42V
8V
36V
+150C
720mW
工作额定值
（注1 ）
VCC
结温范围
4V至7V
-40至125℃
电气特性
Vcc = CBOOT = 5V ， SW = GND = 0V ，除非另有规定。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
=
T
J
= + 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内。
符号
电源
I
q_op
TOP DRIVER
山顶上拉电流
拉RDS_ON
峰值下拉电流
下拉RDS_ON
t
4
t
6
t
3
t
5
上升时间
下降时间
拉死区时间
下拉延迟
测试电路1 ，V
BIAS
= 5V ，R
= 0.1
I
CBOOT
= I
HG
= 0.7A
测试电路2 ，V
BIAS
= 5V ，R
= 0.1
I
SW
= I
HG
= 0.7A
时序图，C
负载
=
3.3nF
时序图
时序图，从
PWM_IN下降沿
测试电路3 ，V
BIAS
= 5V ，R
= 0.1
I
VCC
= I
LG
= 0.7A
测试电路如图4所示， V
BIAS
= 5V ，R
= 0.1
I
GND
= I
LG
= 0.7A
时序图，C
负载
=
3.3nF
时序图
时序图，从
PWM_IN上升沿
VCC从0V向上升
5V
3.0
1.0
3.2
0.5
17
12
23
27
A
A
ns
ns
ns
ns
静态工作
当前
PWM_IN = 0V
190
300
A
参数
条件
民
典型值
最大
单位
BOTTOM DRIVER
山顶上拉电流
拉RDS_ON
峰值下拉电流
下拉RDS_ON
t
8
t
2
t
7
t
1
逻辑
V
UVLO_UP
V
uvlo_dn
V
UVLO_Hys
V
IH_EN
V
IL_EN
功率门限
欠压锁退房
门槛
欠压锁退房
迟滞
SYNC_EN引脚输入高
SYNC_EN引脚低电平输入
2.4
0.8
4
3.7
3.0
0.7
2.5
V
V
V
V
V
上升时间
下降时间
拉死区时间
下拉延迟
3.2
1.0
3.2
0.5
17
14
28
13
A
A
ns
ns
ns
ns
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4
LM2722
电气特性
符号
I
leak_EN
t
ON_MIN
参数
SYNC_EN品泄漏
当前
最小的正输入
脉冲宽度
（注4 ）
最低负输入
脉冲宽度
（注5 ）
（续）
Vcc = CBOOT = 5V ， SW = GND = 0V ，除非另有规定。标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
A
=
T
J
= + 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内。
条件
EN = 5V
EN = 0V
民
2
2
55
ns
55
当PWM_IN引脚变为
从0V高
当PWM_IN引脚变为
从低5V
典型值
最大
2
2
单位
A
t
OFF_MIN
V
IH_PWM
V
IL_PWM
PWM_IN高电平输入
电压
PWM_IN低电平输入
电压
2.4
0.8
V
注1 ：绝对最大额定值
超出了可能发生损坏设备的限制。
工作额定值
条件是在设备的运行条件
正确。工作额定值并不意味着保证性能的限制。
注2 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
JMAX
，结到环境的热阻，
θ
JA
和
环境温度，T
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗的计算公式：P
最大
= (T
JMAX
-T
A
) /
θ
JA
。的结点到
环境的热阻，
θ
JA
，为LM2722 ，它是172C /瓦。对于一件T
JMAX
150°C和T的
A
25℃ ，最大允许功耗为0.7W 。
注3 ：
ESD机模型的敏感性为100V 。
注4 ：
如果后一个上升沿，下降沿发生超过规定值越早， IC可以间歇性地无法打开的底栅当顶栅是
关。如出现下降沿越快和越早，驾驶员可以开始忽略该脉冲并产生任何输出。
注5 ：
如果后一个下降沿，上升沿出现超过规定值越早， IC可以间歇性地无法打开的顶栅当底栅是
关。如发生上升沿越快和越早，驾驶员可以开始忽略该脉冲并产生任何输出。
时序图
20028903
5
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