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LM25117
LM25117-Q1
www.ti.com
SNVS714D - 2011年4月 - 修订2012年4月
宽输入范围同步降压控制器具有模拟电流监控器
检查样品:
LM25117 , LM25117 -Q1
1
特点
LM25117Q是一个汽车级产品
这是AEC - Q100 1级合格( -40 ° C至
+ 125°C的工作结温)
模拟的峰值电流模式控制
宽工作电压范围为4.5V至42V
强大的3.3A峰值栅极驱动器
自适应死区时间输出驱动器控制
自由运行或同步的时钟高达750kHz的
可选的二极管仿真模式
从0.8V可编程输出
精密1.5 %电压基准
模拟电流监控器
可编程电流限制
打嗝模式过电流保护
可编程软启动和跟踪
可编程输入欠压锁定
可编程切换至外部偏置
供应
热关断
2
描述
该LM25117是一个同步降压控制器,用于降压型稳压器应用的高电压
或各种输入电源。该控制方法是基于电流模式控制采用仿真
电流斜坡。电流模式控制提供前馈固有的线,逐周期电流限制和简化
的环路补偿。使用仿真控制斜坡可降低脉宽的噪声敏感度
调制电路,使需要高输入电压应用中非常小的占空比的可靠控制。
其工作频率为50 kHz至750 kHz范围内设定。该LM25117驱动外部高边和
低侧NMOS功率开关管与自适应死区时间控制。用户可选的二极管仿真模式
为实现更高的效率不连续模式操作在轻负载条件下。高电压偏置
稳压器,可使外部偏置电源进一步提高效率。该LM25117独特的模拟遥测
功能提供了平均输出电流信息。其他功能还包括热关断,频率
同步,打嗝模式电流限制和可调输入欠压锁定。
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2011-2012 ,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LM25117
LM25117-Q1
SNVS714D - 2011年4月 - 修订2012年4月
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典型用途
V
IN
SW
UVLO
VIN
DEMB
VCC
坡道
HB
LM25117
HO
V
OUT
VCCDIS
SW
COMP
FB
CM
RT
水库
LO
CS
CSG
SS AGND PGND
V
OUT
接线图
UVLO
HO
19
18
17
16
SW
NC
VCC
LO
保护地
CSG
15
14
13
7
VCCDIS
8
9
10
CM
11
坡道
12
CS
NC
NC
21
HB
20
UVLO
DEMB
水库
SS
RT
AGND
VCCDIS
FB
COMP
CM
1
2
3
4
5
20
19
18
17
16
VIN
HB
24
HO
SW
VCC
LO
保护地
CSG
23
22
DEMB
水库
SS
RT
AGND
1
2
3
EP
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
VIN
COMP
EP
4
5
6
CS
NC
坡道
图1.顶视图
20引脚HTSSOP EP
图2.顶视图
WQFN - 24 ( 4mmx4mm )
2
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版权所有2011-2012 ,德州仪器
产品文件夹链接:
LM25117 LM25117 -Q1
FB
LM25117
LM25117-Q1
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SNVS714D - 2011年4月 - 修订2012年4月
引脚说明
HTSSOP
1
WQFN
24
名字
UVLO
描述
欠压锁定编程引脚。如果UVLO引脚电压低于0.4V时,稳压器在
关断模式,所有功能被禁用。如果UVLO引脚电压大于0.4V且小于
1.25V ,稳压器处于待机模式与VCC稳压器运行时,SS引脚接地,且无
在HO和LO输出开关。如果UVLO引脚电压高于1.25V时,SS引脚允许
斜坡和脉冲宽度调制栅极驱动信号传递给HO和LO引脚。一个20μA电流
当UVLO超过1.25V,且流经外部UVLO电阻来提供源代码启用
滞后。
可选逻辑输入,使二极管仿真时,在低状态。在二极管仿真模式下,
低边NMOS被锁断的PWM周期的剩余部分检测反向电流后,
(从输出电流流向接地通过低侧NMOS) 。当DEMB为高电平时,二极管仿真
处于关闭状态,允许电流流过所述低侧NMOS在任一方向流动。一个50kΩ的上拉下来
电阻器内部的LM25117保持DEMB引脚为低电平,并启用二极管仿真,如果该引脚
浮动。
重启定时器引脚可配置打嗝模式电流限制。 RES引脚电容
决定控制器自动重启前,仍处于关闭状态的时间。打嗝模式
开始时,控制器经过逐周期电流的256个连续PWM周期
限制。在此之后,一个10μA电流源充电RES引脚电容为1.25V阈值
并重新启动LM25117 。
一个外部电容器和一个内部10μA电流源设置在误差放大器的爬坡速率
软启动期间的参考。 SS引脚保持低电平时VCC< 4V , UVLO < 1.25V或在热
关机。
内部振荡器用RT和AGND之间的一个电阻。该
建议的最大振荡频率为750kHz的。内部振荡器可同步到
通过一个小的耦合电容耦合的正脉冲到RT引脚上的外部时钟。
模拟地。返回的内部0.8V参考电压电路和模拟电路。
可选的输入禁用内部VCC稳压器。如果VCCDIS>1.25V ,内部VCC调节器是
禁用。 VCCDIS有一个内部500kΩ的上拉下拉电阻,使VCC稳压器时,该引脚为
悬空。内部500kΩ的上拉下拉电阻可以通过拉VCCDIS 1.25V以上,可以覆盖
由一个电阻分压器连接到一个外部偏置电源。
反馈。反相内部误差放大器的输入端。一个电阻分压器从输出到该引脚套
的输出电压电平。 FB引脚的调节阈值为0.8V 。
输出内部误差放大器。环路补偿网络应连接在此之间
引脚和FB引脚。
电流监视器输出。提供所感测的电感器电流的平均值。直接监控CM之间
和AGND 。 CM应悬空时不使用的位。
PWM斜坡信号。一个外部电阻和电容之间连接的SW引脚, RAMP引脚和
AGND引脚设置PWM斜坡斜率。选择合适的元件值可产生一个RAMP
信号,模拟的电感器的AC分量的斜率正比于输入电源电压。
电流检测放大器的输入端。连接至电流检测电阻的高侧。
开地连接到电流检测电阻器。直接连接到电流的低侧
检流电阻。
电源接地返回引脚的低边NMOS栅极驱动器。直接连接到电流的低侧
检流电阻。
低边NMOS栅极驱动输出。连接到低侧同步NMOS晶体管的栅极
通过一条短而低电感的路径。
偏置电源引脚。本地去耦使用低ESR / ESL电容尽量靠近控制器PGND
成为可能。
开关降压稳压器的节点。连接到自举电容的源极端子
高侧NMOS晶体管和低侧NMOS管通过一个短,低电感的漏极端子
路径。
高边NMOS栅极驱动输出。通过一个连接到高侧NMOS晶体管的栅极
总之,低电感的路径。
高边驱动器电源的自举栅极驱动器。连接到外部引导的阴极
二极管和自举电容。自举电容器提供电流到高侧充电
NMOS的栅极,应尽可能靠近控制器可能。
电源电压输入源VCC稳压器。
包装的裸焊盘。电气隔离。应焊接到接地平面,以减少
热阻。
没有电接触。
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3
2
1
DEMB
3
2
水库
4
3
SS
5
4
RT
6
7
5
7
AGND
VCCDIS
8
9
10
11
8
9
10
11
FB
COMP
CM
坡道
12
13
14
15
16
17
12
13
14
15
16
18
CS
CSG
保护地
LO
VCC
SW
18
19
19
20
HO
HB
20
EP
22
EP
6
VIN
EP
NC
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LM25117 LM25117 -Q1
LM25117
LM25117-Q1
SNVS714D - 2011年4月 - 修订2012年4月
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引脚说明(续)
HTSSOP
WQFN
17
21
23
名字
NC
NC
NC
描述
没有电接触。
没有电接触。
没有电接触。
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1)
VIN至AGND
SW到AGND
HB和SW
VCC到AGND
何为SW
LO至AGND
FB , DEMB , RES , VCCDIS , UVLO至AGND
CM , COMP至AGND
(3)
SS波,锯齿波, RT到AGND
CS , CSG ,PGND至AGND
ESD额定值HBM
(4)
(2)
-0.3 45V
-3.0至45V
-0.3 15V
-0.3 15V
-0.3 HB + 0.3V
-0.3 VCC + 0.3V
-0.3 15V
-0.3至7V
-0.3至7V
-0.3 0.3V
2kV
-55 ° C至+ 150°C
+150°C
储存温度
结温
(1)
(2)
(3)
(4)
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是在什么条件下
在装置的操作旨在是功能性的,但并不能保证特定性能极限。为规范和测试
条件请参阅电气特性表。
请参阅应用信息时,输入电源电压低于VCC电压。
这些引脚是输出引脚。因此,它们没有指定到外部施加的电压。
人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。
工作额定值
(1)
VIN
(2)
VCC
HB和SW
结温
(1)
(2)
4.5V至42V
4.5V至14V
4.5V至14V
-40°C至+ 125°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是在什么条件下
在装置的操作旨在是功能性的,但并不能保证特定性能极限。为规范和测试
条件请参阅电气特性表。
最小VIN工作电压是指通过内部高压启动稳压器和VCC上没有外部负载提供VCC 。
4
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LM25117 LM25117 -Q1
LM25117
LM25117-Q1
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SNVS714D - 2011年4月 - 修订2012年4月
电气特性
在标准型限为T
J
= 25只;在限额
黑体字
适用于-40° C至结温范围
+ 125°C 。最小和最大极限值通过测试,设计或统计相关规定。典型值
最可能的参数指标在T
J
= 25 ℃,仅供参考。除非另有规定,否则
符合以下条件: V
VIN
= 24V, V
VCCDIS
= 0V ,R
T
= 25kΩ的上LO &何空载。
符号
VIN电源
I
BIAS
I
关闭
V
CC ( REG )
VIN工作电流
VIN关断电流
VCC法规
VCC降( VIN至VCC )
VCC采购电流限制
I
VCC
VCC工作电流
(1)
(1)
参数
V
SS
= 0V
测试条件
典型值
4.8
0.4
16
最大
6.2
0.55
40
8.2
0.14
0.5
5.0
7.3
4.15
单位
mA
mA
A
V
V
V
mA
mA
mA
V
V
V
SS
= 0V, V
VCCDIS
= 2V
V
SS
= 0V, V
UVLO
= 0V
空载
V
VIN
= 4.5V ,无需外部负载
V
VIN
= 5.0V ,我
CC
= 20mA下
V
VCC
= 0V
V
SS
= 0V, V
VCCDIS
= 2V
V
SS
= 0V, V
VCCDIS
= 2V, V
VCC
= 14V
VCC欠压阈值
VCC欠压滞后
VCC禁用
VCCDIS阈值
VCCDIS滞后
VCCDIS输入电流
VCCDIS下拉电阻
UVLO
UVLO阈值
UVLO滞环电流
UVLO关断阈值
UVLO关断迟滞
软启动
I
SS
SS电流源
SS下拉电阻
误差放大器器
V
REF
V
OH
V
OL
A
OL
f
BW
t
何(OFF)的
t
开(分钟)
振荡器
f
SW1
f
SW2
频率1
频率2
RT输出电压
RT同步正阈值
同步脉冲宽度
(1)
工作电流不包括电流转换成第r
T
电阻器。
2.6
100
R
T
= 25k
R
T
= 10k
180
430
FB参考电压
FB输入偏置电流
COMP输出高电压
COMP输出低电压
DC增益
单位增益带宽
强制HO关断时间
最小HO导通时间
COMP到PWM比较器的失调
V
VIN
= 42V
260
测量FB , FB = COMP
V
FB
= 0.8V
I
来源
= 3毫安
I
SINK
= 3毫安
2.8
788
V
SS
= 0V
7
UVLO上升
V
UVLO
= 1.4V
UVLO下降
1.22
15
0.23
V
VCCDIS
= 0V
VCCDIS上升
1.22
VCC上升
3.75
30
6.85
VCC稳压器
7.6
0.05
0.4
42
4.0
5.8
4.0
0.2
1.25
0.06
-20
500
1.25
20
0.3
0.1
10
13
800
1
1.29
V
V
nA
k
1.29
25
V
A
V
V
12
24
812
A
mV
nA
V
0.26
80
3
320
100
1.2
200
480
1.25
3.2
3.95
220
530
440
V
dB
兆赫
ns
ns
V
千赫
千赫
V
V
ns
PWM比较器
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LM25117 LM25117 -Q1
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LM25117QPMH/NOPB
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
LM25117QPMH/NOPB
TI
21+
4823
HTSSOP20
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:3449124707 复制
电话:0755-23915992/23140719
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
LM25117QPMH/NOPB
TI
24+
68500
HTSSOP20
一级代理/放心采购
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电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
LM25117QPMH/NOPB
TI/德州仪器
24+
22000
HTSSOP-20
自家的现货库存,只原装现正品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615954 复制

电话:19129493510
联系人:李
地址:福田区上步工业区101栋4楼
LM25117QPMH/NOPB
TI
22+
4823
HTSSOP20
进口原装
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
LM25117QPMH/NOPB
TI
4513
22+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
LM25117QPMH/NOPB
TI
新年份
18600
20HTSSOP
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
LM25117QPMH/NOPB
Texas Instruments
24+
10000
20-HTSSOP
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
LM25117QPMH/NOPB
Texas Instruments
24+
10000
20-PowerTSSOP (0.173, 4.40mm Width)
原厂一级代理,原装现货
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电话:18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人:朱
地址:福田区振兴西路华康大厦2栋315室
LM25117QPMH/NOPB
TI
23+
4513
HTSSOP20
原装正品,价优
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联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
LM25117QPMH/NOPB
TI(德州仪器)
23+
18000
N/A
只做原装 正品现货
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