【LM25116www.ti.comSNVS509D - 2007年4月 - 修订2013年2月宽范围】,IC型号LM25116MH/NOPB,LM25116MH/NOPB PDF资料,LM25116MH/NOPB经销商,ic,电子元器件-51电子网

LM25116

www.ti.com

SNVS509D - 2007年4月 - 修订2013年2月

宽范围同步降压控制器

检查样品：

LM25116

特点

仿真峰值电流模式

宽工作电压范围高达42V

我低

关机（ < 10 μA ）

驱动标准或逻辑电平MOSFET

强大的3.5A峰值栅极驱动器

自由运行或同步操作，以1 MHz的

可选的二极管仿真模式

可编程输出从1.215V至36V

精密1.5 ％电压基准

可编程电流限制

可编程软启动

可编程输入欠压锁定

自动切换至外部偏置电源

HTSSOP - 20裸露焊盘

热关断

描述

该LM25116是一个同步降压控制器

用于从降压稳压器的应用

高电压或各种输入电源。该

控制方法是基于电流模式控制

利用仿真电流斜坡。电流模式

控制具有固有的输入电压前馈，逐

周期电流限制和简化环路补偿。

使用仿真控制斜坡可降低噪音

脉宽调制电路的灵敏度，

允许非常小的占空比的可靠控制

必要在高输入电压的应用程序。该

工作频率是可编程的，从50 kHz到

1兆赫。该LM25116驱动外部高边和

低侧NMOS功率开关管与自适应死区

时间控制。用户可选的二极管仿真模式

能够为改善非连续模式操作

效率在轻负载条件下。低静态

电流关断禁用控制器和

功耗低于10 μA的总输入电流。

其他功能还包括一个高电压偏置

调节器，自动切换至外部偏置

提高了工作效率，热关断，频率

同步，逐周期电流限制和

可调输入欠压锁定。该装置是

在动力增强的HTSSOP - 20封装

设有一个裸露的芯片连接垫，以帮助热

耗散。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

所有商标均为其各自所有者的财产。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

LM25116

SNVS509D - 2007年4月 - 修订2013年2月

www.ti.com

典型用途

VIN

UV2

UVLO

UV1

RT / SYNC

COMP

坡道

AGND PGND

CSG

DEMB

VOUT

VCCX

FB2

OUT

SYNC

LM25116

VCC

OUT

坡道

FB1

接线图

VIN

UVLO

RT / SYNC

坡道

AGND

COMP

VOUT

HTSSOP-20

DEMB

保护地

CSG

VCCX

VCC

图1.顶视图

见包装数PWP0020A

提交文档反馈

产品文件夹链接：

LM25116

LM25116

www.ti.com

SNVS509D - 2007年4月 - 修订2013年2月

引脚说明

针

名字

VIN

UVLO

描述

芯片的电源电压，输入电压监控器和输入到VCC调节器。

如果UVLO引脚低于1.215V ，稳压器将处于待机模式（ VCC稳压器运行时，开关稳压器

禁用）。如果UVLO引脚电压高于1.215V ，稳压器正常运行。外部分压器可用于

设置欠压关断阈值。有一个固定的5 μA上拉电流该引脚，当EN为高电平。 UVLO是

拉到地在一个限流状况存在256个时钟周期的事件。

内部振荡器设置这个引脚和AGND引脚之间的一个电阻。建议的频率

范围是50kHz到1MHz 。内部振荡器可以由AC耦合的正被同步至外部时钟

边到这个节点。

如果EN引脚低于0.5V时，稳压器处于低功耗状态，从VIN绘图低于10 μA 。 EN必须

以上为3.3V正常运行拉。

斜坡控制信号。连接在这个引脚和AGND引脚之间的外部电容设置用于斜坡斜率

电流模式控制。

模拟地。连接到PGND通过在LM25116的裸露焊盘接地连接。

外部电容和内部10 μA电流源设定软启动时间常数误差放大器的崛起

参考。 SS引脚VCC < 4.5V时保持低电平时， UVLO < 1.215V ， EN输入为低电平或热关断。

从稳压输出反馈信号。该引脚被连接到内部误差放大器的反相输入端。该

调节阈值是1.215V 。

输出内部误差放大器。环路补偿网络应连接在此引脚和FB之间

引脚。

输出监视器。直接连接到输出电压。

低边MOSFET的源极电压监视器二极管仿真。对于启动进入预偏置负载，此引脚到地

在南方电网的连接。对于完全同步操作，使用DEMB和地之间的外部串联电阻

提高上述导通电压的低侧SW二极管仿真阈值。

电流检测放大器的输入端。连接到电流检测电阻器的顶端或如果低双面MOSFET的漏极

DS （ ON）

电流检测用。

电流检测放大器的输入端。连接到检测电阻器的底部或低侧MOSFET的源极，如果

DS （ ON）

电流检测用。

电源地。连接到AGND通过在LM25116的裸露焊盘接地连接。

通过一条短而低电感的路径连接至低边同步MOSFET的栅极。

本地去耦使用低ESR / ESL电容尽量靠近控制器尽可能地PGND 。

可选的输入，用于从外部供给的VCC 。如果VCCX > 4.5V ， VCCX内部连接到VCC和内部

VCC稳压器被禁用。如果VCCX是未使用的，它应该连接到地。

高边驱动器电源的自举栅极驱动。连接到自举二极管的阴极和所述正极端子

的自举电容。自举电容器提供电流到高侧MOSFET的栅极充电，并且应

放在尽可能靠近控制器越好。

通过一条短而低电感的路径连接至高压侧同步MOSFET的栅极

开关节点。连接到所述自举电容器的负极端子与高侧的源极端子

MOSFET。

裸露焊盘。焊接到地平面。

RT / SYN

坡道

AGND

COMP

VOUT

DEMB

CSG

保护地

VCC

VCCX

提交文档反馈

产品文件夹链接：

LM25116

LM25116

SNVS509D - 2007年4月 - 修订2013年2月

www.ti.com

这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

绝对最大额定值

VIN至GND

VCC ， VCCX ， UVLO到GND

(2)

SW ， CS到GND

HB和SW

何为SW

VOUT到GND

南玻到GND

LO至GND

SS到GND

FB到GND

DEMB至GND

RT与GND

EN到GND

ESD额定值， HBM

(3)

存储温度范围

结温

(1)

(2)

(3)

(1)

-0.3V至45V

-0.3 16V

-3.0至45V

-0.3 16V

-0.3 HB + 0.3V

-0.3 45V

-1V至1V

-0.3 VCC + 0.3V

-0.3至7V

-0.3到Vcc

-0.3至7V

-0.3 45V

2千伏

-55 ° C至+ 150°C

+150°C

最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。

这些引脚不得超过VIN 。

人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。 LO ， HO和HB的额定电压为1kV的。 2kV的

评级VIN除外的所有引脚的额定电流为1.5KV 。

(1) (2)

工作额定值

VIN

VCC ， VCCX

HB和SW

DEMB至GND

结温

(1)

(2)

6V至42V

4.75V至15V

-0.3V至2V

-40°C至+ 125°C

额定工作值是在何种条件下设备的操作旨在发挥作用。工作额定值并不意味着

规定的性能极限。对于指定的性能限制和相关的测试环境，请参阅电气特性表。

注： RAMP ， COMP输出引脚。因此，它们没有指定到外部施加的电压。

电气特性

在标准型限为T

= 25只;在限额

粗体

则适用于-40 ° C至结温范围

+ 125 ℃，仅供参考。除另有规定外，适用下列条件： VIN = 24V ， VCC =

7.4V ， VCCX = 0V ， EN = 5V ，R

= 16 kΩ的上LO和HO空载。

符号

VIN电源

BIAS

BIASX

STDBY

CC （ REG ）

VIN工作电流

VIN关断电流

VCC法规

VCC LDO模式关闭

VCC法规

VCC采购电流限制

VCCX开关阈值

VCCX切换滞后

提交文档反馈

产品文件夹链接：

LM25116

VIN = 6V

VCC = 0V

VCCX上升

5.0

4.3

VCCX = 0V

VCCX = 5V

EN = 0V

7.1

4.6

7.4

10.6

5.9

4.5

0.25

4.7

6.0

6.5

1.5

7.7

参数

条件

民

典型值

最大

单位

VCC稳压器

LM25116

www.ti.com

SNVS509D - 2007年4月 - 修订2013年2月

电气特性（续）

在标准型限为T

= 25只;在限额

粗体

则适用于-40 ° C至结温范围

+ 125 ℃，仅供参考。除另有规定外，适用下列条件： VIN = 24V ， VCC =

7.4V ， VCCX = 0V ， EN = 5V ，R

= 16 kΩ的上LO和HO空载。

符号

参数

VCCX开关的RON

DS （ ON）

VCCX泄漏

VCCX下拉电阻

VCC欠压阈值

VCC欠压滞后

HB直流偏置电流

EN输入

VIL MAX

VIH分钟

EN输入低阈值

EN输入高门槛

EN输入偏置电流

UVLO门槛值

UVLO门限待机

UVLO阈值迟滞

UVLO上拉电流源

UVLO下拉

DS （ ON）

软启动

SS电流源

SS二极管仿真匝道关闭

门槛

SS到FB偏移

SS输出低电压

误差放大器器

REF

FB参考电压

FB输入偏置电流

COMP吸入/源出电流

何（OFF）的

开（分钟）

振荡器

SW1

SW2

频率1

频率2

RT输出电压

RT同步正阈值

电流限制

CS （ TH ）

CS （ THX ）

周期接一个周期的检测电压

阈值（ CSG - CS ）

周期接一个周期的检测电压

阈值（ CSG - CS ）

CS偏置电流

南玻偏置电流

电流限制定时器故障

条件

ICCX = 10毫安

VCCX = 0V

VCCX = 3V

VCC上升

HB - SW = 15V

民

典型值

3.8

-200

100

最大

6.2

单位

4.3

4.5

0.2

125

4.7

200

0.5

3.3

VEN = 3V

VEN = 0.5V

VEN = 42V

UVLO上升

UVLO = 0V

1.170

-7.5

-1

-3

1.215

0.1

5.4

SS = 0V

SS上升

FB = 1.25V

下沉100 μA ， UVLO = 0V

测量FB引脚FB = COMP

FB = 2V

320

VIN = 42V ，C

坡道

= 50 pF的

RT = 16 kΩ的

RT = 5 kΩ的

180

480

1.191

3.0

VCCX = 0V ， RAMP = 0V

VCCX = 5V ， RAMP = 0V

CS = 42V

CS = 0V

CSG = 0V

= 16千欧，（200千赫），（ 256时钟周期）

105

-1

1.28

提交文档反馈

产品文件夹链接：

LM25116

450

100

200

535

1.215

3.5

110

122

220

590

1.239

4.0

126

139

125

580

1.195

160

1.215

1.231

500

210

1.262

兆赫

千赫

DC增益

单位增益带宽

强制HO关断时间

最小HO导通时间

PWM比较器