LM25101A ， LM25101B ， LM25101C
www.ti.com
SNVS859B - 2012年7月 - 修订2013年4月
LM25101A / B / C 3A ，2A和1A 80V半桥栅极驱动器
检查样品：
LM25101A ， LM25101B ， LM25101C
1
特点
独立高和低驱动逻辑输入
自举电源电压高达100V DC
同时驱动高侧和低侧N-
沟道MOSFET
快速传播时间（ 25 ns典型）
驱动1000pF的负载与8 ns上升和下降
时
出色的传输延时匹配（ 3纳秒
典型）
电源轨欠压锁定
低功耗
引脚兼容于HIP2100 / HIP2101
套餐
SOIC-8
SO电源垫- 8
WSON -8 （直径4 mm ×4mm）所
WSON -10 （直径4 mm ×4mm）所
MSOP电源垫- 8
2
描述
该LM25101A / B / C高压栅极驱动器
设计用于驱动两高侧和低侧
N沟道MOSFET同步降压或
半桥式配置。在“A”版本提供
栅极驱动，而“B”和“C”版本的全3A
分别为2A和1A 。的输出是
独立控制的TTL输入阈值。
一个集成的高电压二极管被提供给
收费高侧栅极驱动器自举电容。一
鲁棒电平移位器以高速操作，同时
消耗功率低，并提供洁净级别
转换从控制逻辑向高侧栅极
驱动程序。欠压锁定功能被设置在两个
低侧和高侧电源轨。这些设备
在标准的SOIC - 8引脚可用，所以电源
垫-8， WSON -8 （直径4 mm ×4mm的） ， WSON - 10（4毫米×
4毫米）和MSOP电源的Pad- 8封装。
典型应用
电机控制驱动器
半桥和全桥电源转换器
同步降压转换器
两个开关正激电源转换器
推进有源钳位转换器
48V服务器电源
太阳能DC / DC和DC / AC转换
简化的框图
HB
UVLO
水平
移
HI
HO
司机
HS
VDD
UVLO
LI
LO
司机
VSS
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2012-2013 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LM25101A ， LM25101B ， LM25101C
SNVS859B - 2012年7月 - 修订2013年4月
www.ti.com
表1.输入/输出选项
产品型号
LM25101A
LM25101B
LM25101C
输入阈值
TTL
TTL
TTL
峰值输出电流
3A
2A
1A
连接图
VDD
HB
HO
HS
1
2
8
7
LO
VSS
HB
LI
HI
HO
3
2
SO
动力
Pad-8
7
VSS
VDD
1
8
LO
SOIC-8
3
4
6
5
6
LI
HS
4
5
HI
裸露焊盘
连接到VSS
VDD
1
8
LO
VDD
HB
HB
2
7
VSS
HO
6
LI
HS
HS
4
5
HI
NC
4
5
7
6
HI
NC
3
1
2
10
9
LO
VSS
LI
WSON-8
HO
3
WSON-10
8
VDD
HB
HO
HS
MSOP-
PowerPad-8
LO
VSS
LI
HI
2
提交文档反馈
版权所有 2012-2013 ，德州仪器
产品文件夹链接：
LM25101A LM25101B LM25101C
LM25101A ， LM25101B ， LM25101C
www.ti.com
SNVS859B - 2012年7月 - 修订2013年4月
引脚说明
(1)
针＃
SOIC-8
1
SO
动力
Pad-8
1
WSON-
8
(1)
1
WSON-
10
(1)
1
MSOP-
使用PowerPad
-8
(1)
1
名字
描述
应用信息
VDD
正栅极
驱动电源
高侧栅极
自举驱动
轨
高侧栅极
驱动器输出
高边
MOSFET
来源
连接
高侧驱动器
控制输入
低侧驱动器
控制输入
返回地
低侧栅极
驱动器输出
本地使用低ESR / ESL去耦到VSS
电容尽可能靠近IC放置。
连接的自举的正端
电容11B和负极端子到的HS 。该
自举电容应尽量靠近
集成电路越好。
连接到高侧MOSFET，具有一个栅极
总之，低电感的路径。
连接至自举电容的负端
和高侧MOSFET的源极。
该LM25101A / B / C输入有TTL型阈值。
未使用的输入应连接到地面，并没有离开
开。
该LM25101A / B / C输入有TTL型阈值。
未使用的输入应连接到地面，并没有离开
开。
所有的信号都参考这个理由。
连接到低侧MOSFET与一个栅
总之，低电感的路径。
焊接到接地平面之下的集成电路中的热量，以帮助
耗散。
2
2
2
2
2
HB
3
3
3
3
3
HO
4
4
4
4
4
HS
5
5
5
7
5
HI
6
7
8
6
7
8
EP
6
7
8
EP
8
9
10
EP
6
7
8
EP
LI
VSS
LO
EP （ WSON和SO
使用PowerPad和MSOP-
使用PowerPad封装）
(1)
注：这么电源垫 - 8 ， WSON - 8 ， WSON - 10和MSOP -将PowerPAD - 8封装，建议裸露焊盘上
在封装的底面被焊接到接地平面上的印刷电路板，而接地平面应该从伸出
在IC下方，以帮助散热。对于WSON - 10封装，引脚5和6没有任何联系。
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1)
VDD到VSS
HB到HS
李或HI输入
LO输出
HO输出
HS到VSS
HB到VSS
结温
存储温度范围
ESD额定值， HBM
(1)
(2)
(3)
(2)
0.3V
至+ 18V
0.3V
至+ 18V
0.3V
到V
DD
+0.3V
0.3V
到V
DD
+0.3V
V
HS
0.3V
到V
HB
+0.3V
5V
到+ 100V
100V
+150°C
55°C
至+ 150°C
2千伏
(3)
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是在一定条件下
被指定的设备的哪些操作。工作额定值并不意味着性能的限制。由于性能的限制和相关测试
环境，请参阅电气特性表。
在应用程序的协节点由外部低位的N -MOSFET的体二极管钳位，因此在HS节点将通常不
超过-1V 。然而，在一些应用中，电路板的电阻和电感，可能会导致在HS节点超过该规定的电压
短暂。如果出现负瞬变，房协电压不得大于VDD - 15V负。例如，如果VDD = 10V时，
在HS负瞬变不得超过-5V 。
人体模型（ HBM ）是一个100 pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。 2千伏除了2脚的所有引脚，
引脚3和4，它的额定电压为1000V的HBM 。机器模型（ MM ）的评级为100V 。
版权所有 2012-2013 ，德州仪器
提交文档反馈
3
产品文件夹链接：
LM25101A LM25101B LM25101C
LM25101A ， LM25101B ， LM25101C
SNVS859B - 2012年7月 - 修订2013年4月
www.ti.com
推荐工作条件
VDD
HS
HB
HS摆率
结温
+ 9V至+ 14V
1V
以100V - VDD
V
HS
+ 8V至V
HS
+14V
< 50 V / ns的
40°C
至+ 125°C
电气特性
在标准型限为T
J
= 25 ℃时;粗体字体的极限值适用于结点温度（T
J
）范围为-40°C
至+ 125°C 。最小和最大极限值通过测试，设计或统计相关规定。典型值
最可能的参数指标在T
J
= 25 ℃，仅供参考。除非另有规定，V
DD
=
V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ，在LO和HO空载
(1)
.
符号
电源电流
I
DD
I
DDO
I
HB
I
HBO
I
HBS
I
HBSO
V
IL
V
IHYS
R
I
V
DDR
V
DDH
V
HBR
V
HBH
(1)
VDD静态电流， LM25101A / B / C
VDD工作电流
HB总静态电流
HB总工作电流
HB到VSS电流，静态
HB到VSS电流，工作
输入电压阈值LM25101A / B / C
输入电压迟滞LM25101A / B / C
输入下拉电阻
VDD上升阈值
VDD阈值迟滞
HB上升阈值
HB阈值迟滞
5.7
100
6.0
李= HI = 0V
F = 500千赫
李= HI = 0V
F = 500千赫
HS = HB = 100V
F = 500千赫
上升沿
1.3
0.25
2.0
0.06
1.6
0.1
0.4
1.8
50
200
6.9
0.5
6.6
0.4
7.1
400
7.4
2.3
0.4
3
0.2
3
10
mA
mA
mA
mA
A
mA
V
mV
k
V
V
V
V
参数
条件
民
典型值
最大
单位
输入引脚
欠压保护
最小和最大限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过关联指定
利用统计质量控制（ SQC）方法。这些极限值可用来计算平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
4
提交文档反馈
版权所有 2012-2013 ，德州仪器
产品文件夹链接：
LM25101A LM25101B LM25101C
LM25101A ， LM25101B ， LM25101C
www.ti.com
SNVS859B - 2012年7月 - 修订2013年4月
电气特性（续）
在标准型限为T
J
= 25 ℃时;粗体字体的极限值适用于结点温度（T
J
）范围为-40°C
至+ 125°C 。最小和最大极限值通过测试，设计或统计相关规定。典型值
最可能的参数指标在T
J
= 25 ℃，仅供参考。除非另有规定，V
DD
=
V
HB
= 12V, V
SS
= V
HS
= 0V ，在LO和HO空载
(1)
.
符号
自举二极管
V
DL
V
DH
RD
V
OL
低电流正向电压
大电流正向电压
动态电阻LM25101A / B / C
低电平输出电压LM25101A
低电平输出电压LM25101B
低电平输出电压LM25101C
V
OH
高电平输出电压LM25101A
高电平输出电压LM25101B
高电平输出电压LM25101C
I
OHL
山顶上拉电流LM25101A
山顶上拉电流LM25101B
山顶上拉电流LM25101C
I
OLL
峰值下拉电流LM25101A
峰值下拉电流LM25101B
峰值下拉电流LM25101C
热阻
θ
JA
结到环境
(2)
参数
条件
I
VDD -HB
= 100 A
I
VDD -HB
= 100毫安
I
VDD -HB
= 100毫安
I
HO
= I
LO
= 100毫安
民
典型值
0.52
0.8
1.0
0.12
0.16
0.28
最大
0.85
1
1.65
0.25
0.4
0.65
0.45
0.60
1.10
单位
V
V
LO &何栅极驱动器
V
I
HO
= I
LO
= 100毫安
V
OH
= VDD- LO或
V
OH
= HB - HO
HO ， LO = 0V
0.24
0.28
0.60
3
2
1
V
A
HO ， LO = 12V
3
2
1
A
SOIC-8
SO电源垫- 8
WSON-8
WSON-10
MSOP电源垫- 8
170
40
40
40
80
° C / W
(2)
该
θ
JA
是不是一个给定的恒定的包和依赖于所述印刷电路板的设计和操作环境。
版权所有 2012-2013 ，德州仪器
提交文档反馈
5
产品文件夹链接：
LM25101A LM25101B LM25101C
QQ：2881677436 复制
