LM2467单片三重7.5纳秒的CRT驱动器
2000年10月
LM2467
单片三重7.5纳秒的CRT驱动器
概述
该LM2467是一款集成高压CRT驱动电路
设计用于在彩色显示器应用中使用。该IC CON-
tains三高输入阻抗，宽频带放大器
其中直接驱动CRT的RGB阴极。每
通道有内部增益设置为-20 ，可以驱动CRT
容性负载，以及存在于其它阻性负载
应用中，只限于由封装的功耗。
该IC封装在一个行业标准的9引脚TO -220
模压塑料功率封装。见热考虑
部分。
特点
n
更高的增益，以匹配LM126X CMOS前置放大器
n
0V至3.75V的输入范围
n
稳定与0-20 pF的电容负载和感性
调峰网络
n
方便的TO- 220交错引线封装风格
n
坚持标准LM243X系列引脚是
设计，便于PCB布局
应用
n
1024× 768显示高达85赫兹的刷新
n
像素时钟频率高达95 MHz的
n
利用视频消隐显示器
原理图和接线图
DS200078-2
注意：
标签是在GND
顶视图
订单号LM2467T
DS200078-1
图1.简化示意图
（ 1频道）
2000美国国家半导体公司
DS200078
www.national.com
LM2467
绝对最大额定值
（注1,3）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
偏置电压（ V
BB
)
输入电压（V
IN
)
存储温度范围（T
英镑
)
+90V
+16V
0V至4.5V
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
（焊接，
＆ LT ;
10秒）
ESD容差，人体模型
机器型号
300C
2千伏
250V
工作范围
（注2 ）
V
CC
+ 60V至+ 85V
+ 8V至+ 15V
V
BB
+ 0V至+ 3.75V
V
IN
+ 15V至+ 75V
V
OUT
外壳温度
-20°C + 100℃
无散热器时，请勿操作的一部分。
电气特性
（见
图2
测试电路）
除非另有说明： V
CC
= +80V, V
BB
= + 12V ，C
L
= 8 pF的，T
C
= 50C
DC测试： V
IN
= 2.25VDC
AC测试：输出= 40V
PP
（ 25V - 65V ） ，以1MHz
符号
I
CC
I
BB
V
OUT
A
V
A
V
LE
t
R
t
F
OS
参数
电源电流
偏置电流
直流输出电压
直流电压增益
增益匹配
线性误差
上升时间
下降时间
冲
条件
所有三个通道，无输入信号，
无输出负载
三个通道
没有交流输入信号，V
IN
= 1.25V
没有交流输入信号
（注4 ） ，无交流输入信号
（注4,5） ，无交流输入信号
（注6） ，10％至90％的
（注6） ， 90 ％至10％
（注6 ）
62
18
LM2467
民
典型
30
18
65
20
1.0
5
7.5
8
5
68
22
dB
%
ns
ns
%
最大
单位
mA
mA
V
DC
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。
注2 ：
工作额定值表明该设备可以工作，但不保证特定的性能极限。为保证规范和
测试条件，请参阅电气特性。保证规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能
改变时，该设备未列出的测试条件下操作。
注3 ：
所有电压相对于GND测量，除非另有规定ED 。
注4 ：
计算出的值从每个通道上的电压增益测试。
注5 ：
线性误差是从V直流增益的变化
IN
= 1.0V至V
IN
= 3.5V.
注6 ：
输入来自信号发生器：吨
r
, t
f
＆ LT ;
1纳秒。
www.national.com
2
LM2467
AC测试电路
DS200078-3
注意：
8 pF负载包括寄生电容。
图2.测试电路（单声道）
图2
示出了一个典型的测试电路为LM2467的评价。该电路被设计成允许所述LM2467的测试在一个50Ω
环境，而无需使用昂贵的FET探针。这两个2490Ω电阻形成一个200 ： 1的分压器与50Ω电阻器和
示波器。测试点被包括便于使用示波器probe.The补偿电容器被用来
补偿的两个2490Ω的电阻的寄生电容，实现平坦的频率响应。
3
www.national.com
LM2467
工作原理
该LM2467是一款高电压，单片式三通道CRT
驱动程序适合于高分辨率显示的应用程序。该
LM2467工作在80V和12V电源。该
部分被收容在行业标准的9引脚TO -220
模压塑料功率封装。
的LM2467的电路图中示出
图1 。
该
PNP射极跟随器， Q5 ，提供输入缓冲。 Q1和
Q2形成一个固定增益放大器级联与电阻R1和
R2设置增益在-20 。射极跟随器Q3和Q4
隔离的共源共栅级的从高输出阻抗
阴极射线管阴极的电容，这降低了
该装置的灵敏度加载电容。 Q6提供
偏置到输出射极跟随器级，以减少交叉
在低信号电平失真。
图2
示出了一个典型的测试电路，用于评价
LM2467 。该电路被设计为允许的测试
LM2467在50Ω环境，而不需要使用昂贵的
西伯FET探头。在这个测试电路中，两个4.95kΩ电阻
CON组1时宽带，低电容探头：形成200
连接至一个50Ω同轴电缆和50Ω的负载（如
50Ω示波器输入） 。来自发电机的输入信号
交流耦合到Q5的基极。
应用提示
介绍
美国国家半导体公司（ NSC ）致力于提供AP-
这帮助我们的客户取得褶皱信息
最佳的性能，从我们的产品。在跟着
降脂信息是为了支持此设备的设置
承诺。读者应该知道的优化
使用特定的印刷电路板进行性能
在NSC设计。可以实现性能的变化
由于在印刷电路板和所述物理变化
应用程序。因此，设计师应该知道的COM
分量的值的变化，可能需要以优化
表现在一个给定的应用程序。在此示出的值
文档可以作为一个起点，评价
的目的。当使用高带宽电路的工作，很好
布局的做法也实现最大per-关键
性能。
重要信息
该LM2467性能定位为VGA （ 640×
480 ）为XGA （ 1024× 768 ， 85赫兹的刷新）分辨率的市场。
本文档中所示的应用电路，以优化
性能和保护免受损坏CRT AR-
盖是专为LM2467设计的。如果另一
该LM246X家族的成员的情况下，请参照其
数据表。
电源旁路
由于LM2467是一个宽带放大器，适当
电源旁路是获得最佳性能的关键。
不正确的电源旁路可能会导致大过
拍摄时，振铃或振荡。 0.1 μF电容应
从电源引脚，V连接
CC
和V
BB
，到地，如
贴近LM2467作为实用。此外，一个47 μF或
较大的电解电容应该从两个连接
电源引脚到地合理地接近的LM2467 。
电弧保护
在正常运行CRT ，内部电弧可能偶尔
盟友发生。火花间隙，在200V的范围内，从连接
在CRT阴极至阴极射线管地将限制最大
电压，而是一个值，该值比允许上高得多的
该LM2467 。这种快速，高电压，高能量脉冲可
损坏LM2467输出级。应用电路
所示
图9
旨在帮助钳位电压
的LM2467的到一个安全水平的输出。钳位二极管，
D1和D2 ，应该有一个快速的瞬态响应，高的峰值
额定电流，低串联阻抗，低电容并联
距离。 FDH400或等效二极管建议。办
不使用1N4148二极管的钳位二极管。 D1和D2的
应该有短，低阻抗连接到V
CC
和
分别接地。 D1的阴极应设
非常接近一个单独耦合旁路电容（C3在
图9）。
D2和去耦的接地连接
电容应该是非常接近LM2467地面。这
将显著降低高频电压瞬变
该LM2467将一个arcover期间经受
条件。电阻R2限制了可见的arcover电流
由二极管，而R1的电流限制到LM2467的
以及电压应力在该装置的输出。 R2
应该是一个
1
2
W固碳型电阻器。 R 1可以是一个
1
4
W
金属或碳薄膜型电阻器。具有大的电阻值
器R1和R2将是可取的，但这个有效果
越来越上升和下降时间。电感L1是关键
减小初始的高频电压电平，该
LM2467会遭到。电感不仅
有利于保护装置，但它也将有助于减少上升和
下降时间以及降低EMI 。为了正确电弧保护，
到不能省略任何电弧保护的它是重要组成
所示堂费
图9 。
5
www.national.com
QQ：2881677436 复制
