LM199 / LM299 / LM399 / LM3999精密基准
1999年5月
LM199/LM299/LM399/LM3999
精密基准
概述
该LM199系列精密，温度稳定
单片式齐纳二极管提供温度系数的因素
10比高质量的参考齐纳管好。构建
一个单芯片上的温度稳定器电路
并积极参考齐纳。有源电路降低
齐纳到约0.5Ω和AL-动态阻抗
低点稳压超过0.5毫安工作到10 mA的电流
范围中的电压或温度基本上没有变化
系数。此外，一个新的次表面齐纳结构赋予
低噪音和出色的长期稳定性相比ordi-
进制单片齐纳二极管。该软件包是用热敏提供
MAL屏蔽，以减少加热功率，提高温度
TURE调节。
该LM199系列的引用是非常容易使用
和游离的，常常经历的或 - 存在的问题
dinary齐纳二极管。几乎没有滞后于参考
电压与温度循环。此外， LM199是自由的
电压的变化，由于应力的线索。最后，由于
单位是温度稳定，升温时间快。
在LM199可以用在几乎任何应用中代替
普通的齐纳二极管具有更高的性能。有些理想AP-
褶皱被模拟 - 数字转换器，校准标
dards ，精密电压或电流源或精密
电源供应器。此外，在许多情况下， LM199可以重新
放置在现有的设备的引用以最小的
接线的变化。
该LM199系列器件封装在一个标准的她 -
metic TO- 46封装内部的热屏蔽。该LM199是
额定为-55℃至+ 125℃ ，而LM299是
额定工作温度-25℃ + 85℃和LM399是
评分从0℃到+ 70℃。
的LM3999封装在一个标准的TO-92封装和
额定0℃至+ 70°C
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
保证0.0001 ％/℃的温度系数
低动态阻抗 - 0.5Ω
在击穿电压初始容差 - 2 ％
在400 μA夏普击穿
宽工作电流 - 500 μA 10 mA的
宽电源电压范围下稳定
保证低噪音
低功耗的稳定 - 300 mW的25℃
长期稳定性 - 20ppm的
久经考验的可靠性，低应力的封装TO- 46
集成电路气密封装，对于低滞后
经过热循环。 33000000小时在T MTBF
A
=
+ 25°C （T
J
= +86C)
n
认证的长期稳定性提供
n
MIL -STD- 883标准
连接图
金属罐封装（ TO- 46 ）
塑料包装TO- 92
DS005717-10
DS005717-14
顶视图
LM199 / LM299 / LM399 （见附表第4页）
NS包装数H04D
底部视图
LM3999 （见表四页）
NS包装数Z03A
1999美国国家半导体公司
DS005717
www.national.com
绝对最大额定值
（注1 ）
规格为军用/航空产品不
包含在此数据表。请参考下面的可靠性
能力电气测试规范文件：
RETS199X为LM199 ， RETS199AX为LM199A 。
温度稳定电压
LM199/LM299/LM399
LM3999
反向击穿电流
正向电流
LM199/LM299/LM399
LM3999
40V
36V
20毫安
1毫安
-0.1毫安
参考衬底电压V
（RS） -
（注2 ）
工作温度范围
LM199
LM299
LM399/LM3999
存储温度范围
焊接信息
TO- 92封装（ 10秒）
TO-46封装（ 10秒）
40V
0.1V
-55 ° C至+ 125°C
-25 ° C至+ 85°C
-0C至+ 70°C
-55 ° C至+ 150°C
+260C
+300C
电气特性
（注3,6）
参数
反向击穿电压
反向击穿电压
更改与当前
反向动态阻抗
反向击穿
温度COEF网络cient
I
R
= 1毫安
55C≤T
A
≤+85C
+85C≤T
A
≤+125C
25C≤T
A
≤85C
0C≤T
A
≤+70C
RMS噪声
长期稳定性
温度稳定器
电源电流
温度稳定器
电源电压
预热时间至0.05 ％
最初的导通电流
V
S
= 30V ，T
A
= 25C
9≤V
S
≤40,
T
A
= + 25°C ， （注4 ）
3
140
200
3
140
200
美国证券交易委员会。
mA
10赫兹
≤
f
≤
10千赫
稳定， 22C≤T
A
≤28C,
1000个小时，我
R
= 1毫安
±
0.1%
T
A
= 25°C ，静止空气中，V
S
= 30V
T
A
= 55C
9
LM199
LM299
LM399
7
20
8.5
22
14
28
40
9
40
V
20
0.5
0.00003
0.0005
0.00003
1
0.0001
0.0015
0.0001
0.00003
7
20
8.5
15
0.0002
50
0.5
1.5
%/C
%/C
%/C
%/C
V
PPM
mA
条件
0.5毫安
≤
I
R
≤
10毫安
0.5毫安
≤
I
R
≤
10毫安
6.8
LM199H/LM299H
民
典型值
6.95
6
最大
7.1
9
民
6.6
LM399H
典型值
6.95
6
最大
7.3
12
V
mV
单位
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。
电气特性
（注3）
参数
反向击穿电压
反向击穿电压
更改与当前
反向动态阻抗
反向击穿
温度COEF网络cient
RMS噪声
长期稳定性
温度稳定器
温度稳定器
电源电压
预热时间至0.05 ％
V
S
= 30V ，T
A
= 25C
3
条件
民
0.6毫安
≤
I
R
≤
10毫安
0.6毫安
≤
I
R
≤
10毫安
I
R
= 1毫安
0C
≤
T
A
≤
70C
10赫兹
≤
f
≤
10千赫
稳定，22C
≤
T
A
≤
28C,
1000个小时，我
R
= 1毫安
±
0.1%
T
A
= 25°C ，静止空气中，V
S
= 30V
6.6
LM3999Z
典型值
6.95
6
0.6
0.0002
7
20
12
18
36
5
最大
7.3
20
2.2
0.0005
单位
V
mV
%/C
V
PPM
mA
V
美国证券交易委员会。
www.national.com
电气特性
（注3）
参数
最初的导通电流
（续）
LM3999Z
民
典型值
140
最大
200
mA
单位
条件
9
≤
V
S
≤
40, T
A
= 25C
电气特性
（注3,6）
参数
反向击穿电压
反向击穿电压
更改与当前
反向动态阻抗
反向击穿
温度COEF网络cient
I
R
= 1毫安
55C≤T
A
≤+85C
+85C≤T
A
≤+125C
25C≤T
A
≤85C
0C≤T
A
≤+70C
RMS噪声
长期稳定性
温度稳定器
电源电流
温度稳定器
电源电压
预热时间至0.05 ％
最初的导通电流
V
S
= 30V ，T
A
= 25C
9≤V
S
≤40,
T
A
= + 25°C ， （注4 ）
3
140
200
3
140
200
美国证券交易委员会。
mA
10赫兹
≤
f
≤
10千赫
稳定， 22C≤T
A
≤28C,
1000个小时，我
R
= 1毫安
±
0.1%
T
A
= 25°C ，静止空气中，V
S
= 30V
T
A
= 55C
9
LM199A
LM299A
LM399A
7
20
8.5
22
14
28
40
9
40
V
20
0.5
0.00002
0.0005
0.00002
1
0.00005
0.0010
0.00005
0.00003
7
20
8.5
15
0.0001
50
0.5
1.5
%/C
%/C
%/C
%/C
V
PPM
mA
条件
0.5毫安
≤
I
R
≤
10毫安
0.5毫安
≤
I
R
≤
10毫安
LM199AH ， LM299AH
民
6.8
典型值
6.95
6
最大
7.1
9
民
6.6
LM399AH
典型值
6.95
6
最大
7.3
12
V
mV
单位
注2 ：
基板电连接到所述温度稳定的负端子。可以应用到为参考的任一接线端上的电压
ENCE是40V更积极的或0.1V比基体更负。
注3 ：
这些规范适用于30V应用的温度稳定剂和-55C≤T
A
≤+125C
为LM199 ; -25C≤T
A
≤+85C
为LM299和
0C≤T
A
≤+70C
为LM399和LM3999 。
注4 ：
这个初始电流可以通过添加适当的电阻器和电容器到加热器电路被减小。参见性能曲线图，以DE-
termine值。
注5 ：
不要在TCE的聚砜的热屏蔽洗LM199 。
注6 ：
军事RETS电气测试规范可用于LM199H / 883 ， LM199AH / 883 ，和LM199AH -20的请求/ 883 。
订购信息
初始
公差
2%
5%
5%
LM399H
LM399AH
LM3999Z
Z03A
和饱和的标准单元，所以，任何一个偏差
组不会造成错误指示。的确，这compari-
子进程最近使用专门的自动化
这是定制设计的重新制备的计算机程序
拍摄对象噪声的数据（并且需要重复读取） ，和记录
5 7的最佳读数的平均值，就如同一个明智
标准的工程师将拒绝难以置信的读数。
为LM199AH -20的典型特性示BE-
低。这个电脑打印出每个参考的形式
稳定性是随单位。
LM299AH
LM299H
LM199AH ， LM199AH / 883
0 ° C至+ 70°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
NS
包
H04D
H04D
认证的长期漂移
美国国家半导体LM199AH - 20 ， LM299AH -20 ，
和LM399AH -50均采用超稳定的齐纳特意引用
从生产LM199AH ， LM299AH中选择运行，
LM399AH和试验，确认20的长期稳定性，
20 ，或50 ppm的每1000小时，分别该装置是
测定每168小时和每个设备的电压是
记录并比较了这样一种方式，来显示所述偏差
从它的初始值。各个测量是用一
的可能，最坏情况下的偏差
±
2 ppm时，相比于
参考电压，它是由若干组的衍生
NBS可追踪的参考，如LM199AH - 20的， 1N827的，
www.national.com
4
QQ：2880707522 复制
