LM195 / LM395超可靠的功率晶体管
1999年6月
LM195/LM395
超可靠的功率晶体管
概述
该LM195 / LM395的速度快，单片功率晶体管
与完整的过载保护。这些装置，其作用
作为高增益功率晶体管，也包括在芯片上，
电流限制，功率限制和热过载保护
化使它们几乎不可能从任何破坏
式过载。在标准的TO-3晶体管功率封装
年龄的增长， LM195将提供负载电流超过1.0A的
并且可以在500 ns的开关40V 。
列入热量限制，该功能不会轻易可用
能够在分立设计，提供了几乎绝对的保护
化防止过载。功耗过大或inad-
等同于散热引起热限制电路
关闭装置防止过热。
在LM195中提供可靠性的显著增加以及
为简化电源电路。在一些应用中，在那里
保护是异常困难，如开关稳压器，
灯或螺线管驱动器，其中正常功耗为
低， LM195是特别有利的。
该LM195是易于使用，只有少数需要的注意事项
被观察到。集电极到发射极电压过高的DE-可以
STROY的LM195与任何功率晶体管。当DE-
副用作射极跟随器的低源阻抗
ANCE ，它必须插入一个5.0K的电阻串联
基铅，以防止可能的射极跟随器振荡器
系统蒸发散。尽管该设备是通常作为发射极稳定跟着
低，电阻消除烦恼没有可能
降解性能。最后，由于它具有良好的频
昆西响应，电源旁路建议。
对于低功率应用（在100 mA时） ，指的是
LP395超可靠的功率晶体管。
该LM195 / LM395可在标准的TO- 3动力
包和固体伐TO-5 。该LM195的额定OP-
关合作，从-55℃ + 150℃，在0℃的LM395来
+125C.
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
内部热限制
超过1.0A的输出电流大
3.0 μA典型的基极电流
500 ns的开关时间
2.0V饱和
底座可以驱动高达40V的电压而不损坏
与CMOS或TTL直接接口
100％电气老化
简化电路
DS006009-1
1999美国国家半导体公司
DS006009
www.national.com
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
集电极到发射极电压
LM195
LM395
集电极 - 基极电压
LM195
LM395
基地发射极电压（正向）
LM195
LM395
42V
36V
42V
36V
42V
36V
基地发射极电压（反向）
集电极电流
功耗
工作温度范围
LM195
LM395
存储温度范围
焊接温度
（焊接， 10秒）
20V
内部限制
内部限制
-55 ° C至+ 150°C
0 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
260C
预处理
100 ％的烧机在热限制
电气特性
（注2 ）
参数
集电极 - 发射极工作电压
（注4 ）
基地发射极击穿电压
集电极电流
TO-3 ，TO- 220
TO-5
饱和电压
基极电流
静态电流（我
Q
)
基地发射极电压
开关时间
热阻结到
案例（注3 ）
V
CE
≤
15V
V
CE
≤
7.0V
I
C
≤
1.0A ，T
A
= 25C
0
≤
I
C
≤
I
最大
0
≤
V
CE
≤
V
CEmax
V
be
= 0
0
≤
V
CE
≤
V
CEmax
I
C
≤ 1.0A ，T
A
= +25C
V
CE
= 36V ，R
L
= 36,
T
A
= 25C
TO- 3封装（ K）
TO- 5封装（H ）
TO- 220封装（t ）
1.2
1.2
2.2
1.8
1.8
3.0
2.0
0.9
500
2.3
12
3.0
15
2.0
5.0
5.0
1.0
1.0
2.2
1.8
1.8
3.0
2.0
0.9
500
2.3
12
4
3.0
15
6
2.2
10
10
A
A
V
A
mA
V
ns
° C / W
° C / W
° C / W
0
≤
V
CE
≤
V
CEmax
42
36
60
V
条件
民
I
Q
≤
I
C
≤
I
最大
LM195
典型值
最大
42
民
LM395
典型值
最大
36
V
单位
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。
注2 ：
除非另有说明，这些规范适用于-55
≤
T
j
≤
+ 150℃的LM195和0°C
≤
+ 125C的LM395 。
注3 ：
没有一个散热片， TO-5封装的热电阻是约+ 150°C / W ，而在TO-3封装的为+ 35°C /瓦。
注4 ：
所选设备具有更高的击穿可用。
注5 ：
是指军事LM195H的RETS195H和RETS195K图纸和LM195K版本规格。
3
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