LM193 / LM293 / LM393 / LM2903低功耗低失调电压双比较器
2002年8月
LM193/LM293/LM393/LM2903
低功耗低失调电压双比较器
概述
该LM193系列由两个独立的精密
电压比较器的偏移电压规格为
低至2.0 mV的最大两个比较器，分别为DE-
签订专门从单一电源供电
在很宽的电压范围。从分裂电源操作
用品也是可能的并且在低电源电流
漏极是独立的电源的大小的
电压。这些比较器也有一个独特的characteris-
抽动在于，所述输入共模电压范围包括
地，即使从单个电源操作
电压。
应用领域包括限制比较器，简单的模拟来
数字转换器;脉冲，方波和延迟时间gen-
erators ;广泛的VCO ; MOS时钟定时器;多谐振荡器
和高电压的数字逻辑门。该LM193系列是
旨在与TTL和CMOS直接连接。当
从两个正负电源操作时，
LM193系列将直接与MOS逻辑电路接口在哪里
其低功耗超过标准的一个明显的优势
比较器。
该LM393和LM2903部件都可以在全国的
创新型薄型micro SMD封装，8 （ 12 mil）的大
颠簸。
优势
n
n
n
n
n
n
高精度比较器
降低V
OS
温度漂移
不再需要双电源供电
可感应近地面
兼容所有形式的逻辑
适用于电池供电的电力消耗
特点
n
宽电源
电压范围：
2.0V至36V
±
1.0V至
±
18V
- 单电源或双电源：
n
极低的电源电流消耗（0.7 mA）的 - 独立
电源电压
n
低输入偏置电流：
25 nA的
±
5 nA的
n
低输入失调电流：
±
3毫伏
n
最大失调电压：
n
输入共模电压范围包括地面
n
差分输入电压范围等于电源
电源电压
n
低输出饱和电压，：
250毫伏在4mA
n
输出电压与TTL ， DTL ， ECL ， MOS兼容
和CMOS逻辑系统
n
提供8焊球（ 12 mil）的micro SMD封装
n
见AN- 1112微型SMD考虑
方波振荡器
非反相比较器迟滞
00570909
00570938
2002美国国家半导体公司
DS005709
www.national.com
LM193/LM293/LM393/LM2903
电气特性
+
（续）
（ V = 5V ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
条件
R
L
=
∞
V =5V
V =36V
+
+
LM193
最小值典型值
最大
1
2.5
0.4
1
50
200
300
1.3
6.0
16
250
0.1
400
LM293 ， LM393
最小值典型值
0.4
1
50
200
300
1.3
6.0
16
250
0.1
400
6.0
最大
1
2.5
25
LM2903
最小值典型值
0.4
1
100
300
1.5
16
250
0.1
400
最大
1.0
2.5
单位
mA
mA
V / MV
ns
s
mA
mV
nA
电源电流
电压增益
大信号响应
时间
响应时间
输出灌电流
饱和电压
输出漏电流
R
L
≥15
千欧，V
+
=15V
V
O
= 1V至11V
V
IN
= TTL逻辑摆幅，V
REF
=1.4V
V
RL
= 5V ，R
L
=5.1 k
V
RL
= 5V ，R
L
= 5.1千欧（注7 ）
V
IN
()=1V, V
IN
(+)=0, V
O
≤1.5V
V
IN
()=1V, V
IN
(+)=0, I
SINK
≤4
mA
V
IN
()=0, V
IN
(+)=1V, V
O
=5V
电气特性
（V + = 5V ） （注4 ）
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入共模
电压范围
饱和电压
输出漏电流
差分输入电压
（注9 ）
I
IN （+）
I
IN （ - ）
, V
CM
=0V
I
IN
（ + ）或I
IN
（ - ）与输出的线性范围，
V
CM
= 0V （注5）
V
+
= 30V （注6 ）
V
IN
()=1V, V
IN
(+)=0, I
SINK
≤4
mA
V
IN
()=0, V
IN （+）
=1V, V
O
=30V
保留所有V
IN
“ s≥0V （或V ，如果使用的话） ， （注8）
条件
民
LM193A
典型值
最大
4.0
100
300
0
V
+
2.0
700
1.0
36
单位
mV
nA
nA
V
mV
A
V
电气特性
（V + = 5V ） （注4 ）
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
（注9 ）
I
IN （+）
I
IN （ - ）
, V
CM
=0V
I
IN
（ + ）或I
IN
（ - ）与产出
线性范围，V
CM
=0V
（注5 ）
V
+
= 30V （注6 ）
V
IN
()=1V, V
IN
(+)=0,
I
SINK
≤4
mA
V
IN
()=0, V
IN （+）
=1V, V
O
=30V
保留所有V
IN
' s≥0V （或V ，如果
使用） ， （注8）
条件
LM193
最小值典型值
最大
9
100
300
LM293 ， LM393
最小值典型值
最大
9
150
400
LM2903
最小值典型值
9
50
200
最大
15
200
500
单位
mV
nA
nA
输入共模
电压范围
饱和电压
输出漏电流
差分输入电压
0
V
+
2.0
700
1.0
36
0
V
+
2.0
700
1.0
36
0
400
V
+
2.0
700
1.0
36
V
mV
A
V
注1 ：
对于在高温下操作时， LM393和LM2903必须基于一个125℃的最高结温的热敏电阻的降低的
的适用于该设备焊接在印刷电路板上，在静止空气环境操作170℃ / W 。该LM193 / LM193A / LM293必须降低基础
150℃的最高结温。低偏置耗散和“开 - 关”的输出特性保持芯片功耗非常小（P
D
≤100
毫瓦） ，
提供晶体管允许饱和的输出。
注2 ：
从输出到V短路
+
可能导致过度加热并最终破坏。当考虑短路到地，最大输出
电流为V的量值的约20毫安独立
+
.
注3 ：
当在任何输入电压引线被驱动负此输入电流将只存在。这是由于在输入的PNP的集电极 - 基极结
晶体管成为正向偏置，从而充当输入二极管钳位。除了这个二极管动作，也有横向的NPN寄生晶体管作用
www.national.com
4
LM193/LM293/LM393/LM2903
电气特性
（续）
上的IC芯片。这个晶体管的动作可能会导致比较器的输出电压，以调出V
+
电压电平（或以地面为一个大的过驱动）的时间
持续时间的输入被驱动为负。这不是破坏性的和正常输出状态将重新建立时的输入电压，这是否定的，再次返回
到的值大于-0.3V 。
注4 ：
这些规范被限制为-55C≤T
A
≤+125C,
为LM193 / LM193A 。与LM293的所有温度指标是有限的
25C≤T
A
≤+85C
和LM393温度指标是有限的0C≤T
A
≤+70C.
的LM2903仅限于-40C≤T
A
≤+85C.
注5 ：
输入电流的方向是从IC的由于PNP输入级。这个电流是基本上恒定的，独立的输出的状态，以便
无负载的变化存在于参考或输入线。
注6 ：
输入共模电压或任一输入信号电压不应该被允许超过0.3V去负。共模的上端
电压范围为V
+
-1.5V在25℃ ，但其中一个或两个输入端可以去36V而不损坏，独立Ⅴ的大小的
+
.
注7 ：
指定的响应时间是用于与5 mV过一个100毫伏的输入步骤。对于较大的过驱动信号300纳秒可以得到，见典型性能
特性部分。
注8 ：
输入电压的正偏移可能超过电源电平。只要其它的电压保持在共模电压范围内，则
比较器将提供一个适当的输出状态。在低输入电压状态必须不低于-0.3V以下（或0.3V电源负极的幅度以下时，
如果使用的话） 。
注9 ：
在输出开关点，V
O
.1.4V,
R
S
=与V 0Ω
+
从5V至30V ;而在整个输入共模范围（ 0V至V
+
-1.5V ） ，在25℃。
注10 ：
请参阅RETS193AX的LM193AH军事规格和RETS193X为LM193H军用规格。
订购信息
包
温度范围
产品型号
LM193H
*
LM193H/883
LM193H-MLS
-55 ° C至125°C
8引脚金属罐
LM193AH-MLS
LM193AH-QMLV
**
LM193AH
LM193AH/883
-25℃至85℃
0 ° C至70℃
LM293H
LM393H
LM193J/883
*
8引脚陶瓷DIP
-55 ° C至125°C
LM193AJ/883
LM193AJ-QMLV
**
LM193AJ-MLS
8引脚DIP成型
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
8引脚SOIC
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
LM393N
LM2903N
LM393M
LM393MX
LM2903M
LM2903MX
LM393TL
LM393TLX
LM2903ITL
LM2903ITLX
TLA08AAA
M08A
N08E
J08A
H08C
NSC图纸
8焊球（ 12密耳）
微型SMD
注意：
*
也可每LM38510 / 11202
注意：
**
见STD军用DWG 5962-94526
5
www.national.com
LM193 / LM293 / LM393 / LM2903低功耗低失调电压双比较器
2002年8月
LM193/LM293/LM393/LM2903
低功耗低失调电压双比较器
概述
该LM193系列由两个独立的精密
电压比较器的偏移电压规格为
低至2.0 mV的最大两个比较器，分别为DE-
签订专门从单一电源供电
在很宽的电压范围。从分裂电源操作
用品也是可能的并且在低电源电流
漏极是独立的电源的大小的
电压。这些比较器也有一个独特的characteris-
抽动在于，所述输入共模电压范围包括
地，即使从单个电源操作
电压。
应用领域包括限制比较器，简单的模拟来
数字转换器;脉冲，方波和延迟时间gen-
erators ;广泛的VCO ; MOS时钟定时器;多谐振荡器
和高电压的数字逻辑门。该LM193系列是
旨在与TTL和CMOS直接连接。当
从两个正负电源操作时，
LM193系列将直接与MOS逻辑电路接口在哪里
其低功耗超过标准的一个明显的优势
比较器。
该LM393和LM2903部件都可以在全国的
创新型薄型micro SMD封装，8 （ 12 mil）的大
颠簸。
优势
n
n
n
n
n
n
高精度比较器
降低V
OS
温度漂移
不再需要双电源供电
可感应近地面
兼容所有形式的逻辑
适用于电池供电的电力消耗
特点
n
宽电源
电压范围：
2.0V至36V
±
1.0V至
±
18V
- 单电源或双电源：
n
极低的电源电流消耗（0.7 mA）的 - 独立
电源电压
n
低输入偏置电流：
25 nA的
±
5 nA的
n
低输入失调电流：
±
3毫伏
n
最大失调电压：
n
输入共模电压范围包括地面
n
差分输入电压范围等于电源
电源电压
n
低输出饱和电压，：
250毫伏在4mA
n
输出电压与TTL ， DTL ， ECL ， MOS兼容
和CMOS逻辑系统
n
提供8焊球（ 12 mil）的micro SMD封装
n
见AN- 1112微型SMD考虑
方波振荡器
非反相比较器迟滞
00570909
00570938
2002美国国家半导体公司
DS005709
www.national.com
LM193/LM293/LM393/LM2903
电气特性
+
（续）
（ V = 5V ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
条件
R
L
=
∞
V =5V
V =36V
+
+
LM193
最小值典型值
最大
1
2.5
0.4
1
50
200
300
1.3
6.0
16
250
0.1
400
LM293 ， LM393
最小值典型值
0.4
1
50
200
300
1.3
6.0
16
250
0.1
400
6.0
最大
1
2.5
25
LM2903
最小值典型值
0.4
1
100
300
1.5
16
250
0.1
400
最大
1.0
2.5
单位
mA
mA
V / MV
ns
s
mA
mV
nA
电源电流
电压增益
大信号响应
时间
响应时间
输出灌电流
饱和电压
输出漏电流
R
L
≥15
千欧，V
+
=15V
V
O
= 1V至11V
V
IN
= TTL逻辑摆幅，V
REF
=1.4V
V
RL
= 5V ，R
L
=5.1 k
V
RL
= 5V ，R
L
= 5.1千欧（注7 ）
V
IN
()=1V, V
IN
(+)=0, V
O
≤1.5V
V
IN
()=1V, V
IN
(+)=0, I
SINK
≤4
mA
V
IN
()=0, V
IN
(+)=1V, V
O
=5V
电气特性
（V + = 5V ） （注4 ）
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入共模
电压范围
饱和电压
输出漏电流
差分输入电压
（注9 ）
I
IN （+）
I
IN （ - ）
, V
CM
=0V
I
IN
（ + ）或I
IN
（ - ）与输出的线性范围，
V
CM
= 0V （注5）
V
+
= 30V （注6 ）
V
IN
()=1V, V
IN
(+)=0, I
SINK
≤4
mA
V
IN
()=0, V
IN （+）
=1V, V
O
=30V
保留所有V
IN
“ s≥0V （或V ，如果使用的话） ， （注8）
条件
民
LM193A
典型值
最大
4.0
100
300
0
V
+
2.0
700
1.0
36
单位
mV
nA
nA
V
mV
A
V
电气特性
（V + = 5V ） （注4 ）
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
（注9 ）
I
IN （+）
I
IN （ - ）
, V
CM
=0V
I
IN
（ + ）或I
IN
（ - ）与产出
线性范围，V
CM
=0V
（注5 ）
V
+
= 30V （注6 ）
V
IN
()=1V, V
IN
(+)=0,
I
SINK
≤4
mA
V
IN
()=0, V
IN （+）
=1V, V
O
=30V
保留所有V
IN
' s≥0V （或V ，如果
使用） ， （注8）
条件
LM193
最小值典型值
最大
9
100
300
LM293 ， LM393
最小值典型值
最大
9
150
400
LM2903
最小值典型值
9
50
200
最大
15
200
500
单位
mV
nA
nA
输入共模
电压范围
饱和电压
输出漏电流
差分输入电压
0
V
+
2.0
700
1.0
36
0
V
+
2.0
700
1.0
36
0
400
V
+
2.0
700
1.0
36
V
mV
A
V
注1 ：
对于在高温下操作时， LM393和LM2903必须基于一个125℃的最高结温的热敏电阻的降低的
的适用于该设备焊接在印刷电路板上，在静止空气环境操作170℃ / W 。该LM193 / LM193A / LM293必须降低基础
150℃的最高结温。低偏置耗散和“开 - 关”的输出特性保持芯片功耗非常小（P
D
≤100
毫瓦） ，
提供晶体管允许饱和的输出。
注2 ：
从输出到V短路
+
可能导致过度加热并最终破坏。当考虑短路到地，最大输出
电流为V的量值的约20毫安独立
+
.
注3 ：
当在任何输入电压引线被驱动负此输入电流将只存在。这是由于在输入的PNP的集电极 - 基极结
晶体管成为正向偏置，从而充当输入二极管钳位。除了这个二极管动作，也有横向的NPN寄生晶体管作用
www.national.com
4
LM193/LM293/LM393/LM2903
电气特性
（续）
上的IC芯片。这个晶体管的动作可能会导致比较器的输出电压，以调出V
+
电压电平（或以地面为一个大的过驱动）的时间
持续时间的输入被驱动为负。这不是破坏性的和正常输出状态将重新建立时的输入电压，这是否定的，再次返回
到的值大于-0.3V 。
注4 ：
这些规范被限制为-55C≤T
A
≤+125C,
为LM193 / LM193A 。与LM293的所有温度指标是有限的
25C≤T
A
≤+85C
和LM393温度指标是有限的0C≤T
A
≤+70C.
的LM2903仅限于-40C≤T
A
≤+85C.
注5 ：
输入电流的方向是从IC的由于PNP输入级。这个电流是基本上恒定的，独立的输出的状态，以便
无负载的变化存在于参考或输入线。
注6 ：
输入共模电压或任一输入信号电压不应该被允许超过0.3V去负。共模的上端
电压范围为V
+
-1.5V在25℃ ，但其中一个或两个输入端可以去36V而不损坏，独立Ⅴ的大小的
+
.
注7 ：
指定的响应时间是用于与5 mV过一个100毫伏的输入步骤。对于较大的过驱动信号300纳秒可以得到，见典型性能
特性部分。
注8 ：
输入电压的正偏移可能超过电源电平。只要其它的电压保持在共模电压范围内，则
比较器将提供一个适当的输出状态。在低输入电压状态必须不低于-0.3V以下（或0.3V电源负极的幅度以下时，
如果使用的话） 。
注9 ：
在输出开关点，V
O
.1.4V,
R
S
=与V 0Ω
+
从5V至30V ;而在整个输入共模范围（ 0V至V
+
-1.5V ） ，在25℃。
注10 ：
请参阅RETS193AX的LM193AH军事规格和RETS193X为LM193H军用规格。
订购信息
包
温度范围
产品型号
LM193H
*
LM193H/883
LM193H-MLS
-55 ° C至125°C
8引脚金属罐
LM193AH-MLS
LM193AH-QMLV
**
LM193AH
LM193AH/883
-25℃至85℃
0 ° C至70℃
LM293H
LM393H
LM193J/883
*
8引脚陶瓷DIP
-55 ° C至125°C
LM193AJ/883
LM193AJ-QMLV
**
LM193AJ-MLS
8引脚DIP成型
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
8引脚SOIC
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
LM393N
LM2903N
LM393M
LM393MX
LM2903M
LM2903MX
LM393TL
LM393TLX
LM2903ITL
LM2903ITLX
TLA08AAA
M08A
N08E
J08A
H08C
NSC图纸
8焊球（ 12密耳）
微型SMD
注意：
*
也可每LM38510 / 11202
注意：
**
见STD军用DWG 5962-94526
5
www.national.com
微型电路数据表
MNLM193A -X REV 1B3
原始创建日期： 95年5月18日
最后更新日期： 04年6月14日
最后一个主要的修订日期： 97年9月2日
低功耗低失调电压双比较器
概述
的LM193A由两个独立的精密电压比较器，具有一个偏移
电压规格低至为2.0mV最大的两个比较而设计
特别是从在宽电压范围的单电源供电。
从分裂电源的操作也有可能和低电源电流
漏极独立于电源电压的magniture的。这些比较也
在一个独特的特性的输入共模电压范围包括地面，
即使从单电源电压下工作。
应用领域包括限制比较器，简单的模拟 - 数字转换器;脉冲，
方波和延时发生器;广泛的VCO ; MOS时钟定时器;多谐振荡器和
高电压数字逻辑门。该LM193A旨在与TTL直接接口
和CMOS 。当从两个加号和减号电源工作时， LM193A将直接
接口与MOS逻辑，他们的低功耗是一个明显的优势超过标准
比较器。
工业编号
LM193A
NS零件编号
LM193AH-QMLV
LM193AH/883
LM193AJ-QMLV
LM193AJ/883
总理模
LM193A
控制文件
参见功能Page
处理
MIL -STD -883方法5004
Subgrp说明
1
2
3
4
5
6
7
8A
8B
9
10
11
在静态测试
在静态测试
在静态测试
在动态测试
在动态测试
在动态测试
在功能测试
在功能测试
在功能测试
开关在试验
开关在试验
开关在试验
温度（
o
C)
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
+25
+125
-55
质量一致性检验
MIL -STD -883方法5005
1
MNLM193A -X REV 1B3
微型电路数据表
（绝对最大额定值）
（注1 ）
电源电压，V +
36VDC或+ 18VDC
差分输入电压
（注6 ）
36Vdc
输入电压
-0.3Vdc到+ 36VDC
输入电流（VIN < -0.3伏）
（注5 ）
50mA
最高结温
150 C
功耗
（注2,3）
金属罐
CERDIP
输出短路到GND
（注4 ）
工作温度范围
-55℃ + 125
热阻
ThetaJA
金属罐（静止空气中）
（ 500LF /最小气流）
CERDIP
（静止空气中）
（ 500LF /最小气流）
ThetaJC
金属罐
CERDIP
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD容差
（注7 ）
660mW
780mW
连续
174 C / W
99 C / W
146 C / W
85 C / W
44 C / W
33 C / W
+260 C
500V
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。
工作额定值表明该设备可以工作，但不
保证特定的性能限制。为保证规范和测试
条件，请参阅电气特性。保证规格适用
仅对于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低
当设备未列出的测试条件下操作。
最大功耗必须在高温下会减小，是
由TJMAX （最高结温） ， ThetaJA （包结到决定
环境的热阻） ，和TA （环境温度） 。所允许的最大
在任何温度下功耗为PDMAX = （ TJMAX - TA ） / ThetaJA或数
在绝对最大额定值，以较低者为准给出。
该LM193A必须基于一个150℃的最高结温降额。低
偏置耗散和输出的开 - 关特性保持芯片
耗散非常小（ PD<100mV ） ，提供晶体管被允许的输出
饱和。
从输出到V +短路可能导致过度加热并最终
破坏。当考虑短路到地，最大输出电流为
约20μA独立的V +的大小。
注2 ：
注3 ：
注4 ：
3
MNLM193A -X REV 1B3
微型电路数据表
（续）
注5 ：
此输入电流将只存在时，在任何输入的引线上的电压
负电。这是由于在输入的PNP的集电极 - 基极结
晶体管成为正向偏置，从而充当输入二极管钳位。在
除了这个二极管动作，也有横向的NPN寄生晶体管作用
上的IC芯片。这个晶体管的动作可以引起的输出电压
比较器去V +电压电平（或对地大的过驱动），用于
该输入被驱动为负的持续时间。这不是破坏性的，并
正常输出状态将重新建立时的输入电压，为负时，
再次返回到一个值大于-0.3Vdc 。
输入电压的正偏移可能超过电源电平。只要
其它的电压保持共模范围内时，比较器将提供一个
正确的输出状态。在低输入电压状态必须不低于-0.3Vdc （或
负电源的幅度低于0.3Vdc ，如果使用的话） 。
人体模型， 1.5K欧姆串联100pF的。
注6 ：
注7 ：
4
MNLM193A -X REV 1B3
微型电路数据表
电气特性
DC参数
（以下条件适用于以下所有参数，除非另有说明）。
DC ： V + = 5V ， VCM = 0
符号
ICC
参数
电源电流
RL =无穷大
V + = 36V ， RL =无穷大
ICEX
输出漏
当前
输出灌
当前
输出饱和
电压
输入失调
电压
V + = 30V ， VCM = 0
V + = 30V ， VIN + = 1V ， VO = 30 ， VIN- = 0
-0.65
-1.0
ISINK
VO = 1.5V ， VIN- = 1V ， VIN + = 0
6.0
4.0
VSAT
ISINK = 4mA时VIN- = 1V ， VIN + = 0
0.4
0.7
VIO
-2.0
-4.0
-2.0
-4.0
V + = 30V ， VCM = 28.5V
V + = 30V ， VCM = 28.0V
IIB +
输入偏置
当前
输入偏置
当前
输入失调
当前
共模
电压
电源
抑制比
共模
抑制比
迪FF erential
输入电压
VOUT = 1.5V
-2.0
-4.0
-100
-300
Iib-
VOUT = 1.5V
-100
-300
IIO
卢比= 50欧姆，输出电压= 1.5V
-25
-100
VCM
V+ = 30V
1
1
PSRR
CMRR
VDIFF
V + = 5V至30V ，卢比= 50欧姆
V + = 30V ， VCM = 0V至28.5V ，
RS = 50欧姆
V + = 30V ， + VIN = 36V ， -Vin = 0V
V + = 30V ， + VIN = 0V ， -Vin = + 36V
AVS
电压增益
V + = 15V ， 1V < = VOUT < = 11V ，
RPULLUP = 15K
4
4
2
2
50
25
60
60
500
500
2.0
4.0
2.0
4.0
2.0
4.0
-1
-1
-1
-1
25
100
28.5
28
条件
笔记
PIN的
名字
民
最大
1.0
2.5
0.65
1.0
单位
mA
mA
uA
uA
mA
mA
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
dB
dB
nA
nA
SUB -
群体
1, 2,
3
1, 2,
3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
1
1, 2,
3
1, 2,
3
V / mV的4
V / mV的5,6
5
QQ：2881677436 复制
