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LM185-2.5QML
LM185-2.5QML微功耗电压基准二极管
文献编号: SNVS385
LM185-2.5QML微功耗电压基准二极管
2005年11月
LM185-2.5QML
微功耗电压基准二极管
概述
该LM185-2.5是微2端带隙电压
稳压二极管。经营超过20 μA到20 mA电流
范围,它们的特点是极低的动态阻抗
和良好的温度稳定性。片上微调用于
提供严格的电压容限。由于LM185-2.5频带 -
隙基准只使用晶体管和电阻,低噪音
和良好的长期稳定性造成的。
该LM185-2.5的精心设计使得该设备EX-
ceptionally宽容的容性负载,因此很容易
在几乎所有的参考应用程序中使用。宽动态
经营范围允许它的使用,有各种耗材
具有优良的调节。
该LM185-2.5的极低功耗使得它
有用的微电路。该参考电压可以是
用于制造便携式仪表,调节器或通用
模拟电路与电池续航时间的临近保质期。进一
疗法,宽工作电流允许它来代替旧的
用严格的容差部分引用。对于应用程序
需要1.2V见LM185-1.2 。
特点
n
n
n
n
经营20 μA电流至20 mA
0.6Ω的动态阻抗( A级)
低温COEF网络cient
低电压基准 - 2.5V
订购信息
NS型号
LM185H-2.5-SMD
LM185H-2.5/883
LM185WG-2.5-QV
LM185WG-2.5/883
LM185BYH2.5/883
LM185BYH2.5-SMD
LM185BYH2.5-QV
5962–8759406XA
5962–8759406VXA
5962–8759402VYA
5962–8759402YA
JAN型号
5962–8759402XA
NS包装数
H02A
H02A
WG10A
WG10A
H02A
H02A
H02A
包装说明
2LD , T0-46金属罐
2LD , T0-46金属罐
10LD陶瓷SOIC
10LD陶瓷SOIC
2LD , T0-46金属罐
2LD , T0-46金属罐
2LD , T0-46金属罐
连接图
陶瓷SOIC ( WG )
TO- 46金属封装(H )
20156203
20156213
见NS包装数WG10A
底部视图
见NS包装数H02A
2005美国国家半导体公司
DS201562
www.national.com
LM185-2.5QML
原理图
20156201
www.national.com
2
LM185-2.5QML
绝对最大额定值
反向电流
正向电流
工作温度范围
储存温度
(注1 )
30毫安
10毫安
55C
T
A
+ 125C
55C
T
A
+ 150C
150C
300C
260C
最高结温(T
JMAX
) (注2 )
焊接温度(焊接, 10秒)
TO- 46金属
陶瓷SOIC
热阻
θ
JA
T0-46金属罐(静止空气中)
T0-46金属罐( 500LF /最小空气流量)
陶瓷SOIC (静止空气中)
陶瓷SOIC ( 500LF /最小空气流量)
θ
JC
T0-46金属罐
陶瓷SOIC
包装重量(典型)
T0-46金属罐
陶瓷SOIC
ESD容差(注3 )
300C/W
139C/W
194C/W
128C/W
57C/W
23C/W
待定
210毫克
4000V
质量一致性检验
MIL -STD -883方法5005 - A组
小组
1
2
3
4
5
6
7
8A
8B
9
10
11
12
13
14
描述
在静态测试
在静态测试
在静态测试
在动态测试
在动态测试
在动态测试
在功能测试
在功能测试
在功能测试
开关在试验
开关在试验
开关在试验
稳定时间
稳定时间
稳定时间
温度°C
25
125
-55
25
125
-55
25
125
-55
25
125
-55
25
125
-55
3
www.national.com
LM185-2.5QML
LM185-2.5电气特性
DC参数
符号
V
REF
参数
反向击穿电压
I
R
= 20A
I
R
= 30A
I
R
= 1毫安
I
R
= 20mA下
V
REF
/
I
R
反向击穿电压
更改与当前
20A
I
R
1mA
30A
I
R
1mA
1mA
I
R
20mA
V
F
正向偏置电压
I
F
= 2毫安
条件
笔记
最大
单位
V
V
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
V
SUB -
群体
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2.462 2.538
2.425 2.575
2.462 2.538
2.425 2.575
2.462 2.538
2.425 2.575
-1.0
-1.5
-10.0
-20.0
-1.0
1.0
1.5
10.0
20.0
-0.4
DC漂移参数
增量计算上QMLV设备在B组,子组5进行,除非在IPI另有规定。
符号
V
REF
参数
反向击穿电压
I
R
= 20A
I
R
= 20mA下
条件
笔记
-10
-10
最大
10
10
单位
mV
mV
SUB -
群体
1
1
LM185BY - 2.5电气特性
DC参数
符号
V
REF
参数
反向击穿电压
I
R
= 20A
I
R
= 30A
I
R
= 1毫安
I
R
= 20mA下
V
REF
/
I
R
反向击穿电压
更改与当前
20A
I
R
1mA
30A
I
R
1mA
1mA
I
R
20mA
V
F
T
C
正向偏置电压
温度COEF网络cient
I
F
= 2毫安
(注4 )
条件
笔记
最大
单位
V
V
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
V
PPM /°C的
SUB -
群体
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
2.462 2.538
2.425 2.575
2.462 2.538
2.425 2.575
2.462 2.538
2.425 2.575
-1.0
-1.5
-10.0
-20.0
1.0
1.0
1.5
10.0
20.0
0.4
50
DC漂移参数
增量计算上QMLV设备在B组,子组5进行,除非在IPI另有规定。
符号
V
REF
1
V
REF
2
参数
反向击穿电压
反向击穿电压
I
R
= 20A
I
R
= 20mA下
条件
笔记
-10
-10
最大
10
10
单位
mV
mV
SUB -
群体
1
1
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LM185-2.5QML
    -
    -
    -
    -
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
LM185-2.5QML
NS
1331+
200
强势产品
全新原装正品/质量有保证
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电话:400-15695632345
联系人:薛女士
地址:宣州区麒麟大道11号-102
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德州仪器
24+
1002
MODULE
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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