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LM185-1.2QML
LM185-1.2QML微功耗电压基准二极管
文献编号: SNVS384
LM185-1.2QML微功耗电压基准二极管
2005年10月
LM185-1.2QML
微功耗电压基准二极管
概述
该LM185-1.2是一个微2端子带隙电压
稳压二极管。操作过一个10μA到20mA电流
范围内,它具有极低的动态阻抗和
良好的温度稳定性。片上微调用于亲
韦迪严格的电压容限。由于LM185-1.2带隙
参考仅使用晶体管和电阻器,低噪音和
良好的长期稳定的结果。
该LM185-1.2的精心设计使得该设备EX-
ceptionally宽容的容性负载,因此很容易
在几乎所有的参考应用程序中使用。宽动态
经营范围允许它的使用,有各种耗材
具有优良的调节。
该LM185-1.2的极低功耗使得它
有用的微电路。该参考电压可以是
用于制造便携式仪表,调节器或通用
模拟电路与电池续航时间的临近保质期。
此外,较宽的工作电流,可以它来代替旧的
用严格的容差部分引用。
特点
n
n
n
n
10μA的工作电流至20mA
1Ω最大动态阻抗(典型值)
低温COEF网络cient
低电压基准 - 1.235V
订购信息
NS型号
LM185E-1.2/883
LM185H-1.2-SMD
LM185H-1.2-QV
LM185WG-1.2/883
LM185BYH-1.2-SMD
LM185WG-1.2-QV
JAN型号
5962–87594012A
5962–8759401XA
5962–8759401VXA
5962–8759401YA
5962–8759405XA
5962–8759401VYA
NS包装数
E20A
H02A
H02A
WG10A
H02A
WG10A
包装说明
20LD LCC
2 LD T0-46
2 LD T0-46
10LD陶瓷SOIC
2 LD T0-46
10LD陶瓷SOIC
连接图
全封闭无引线芯片载体( E)
TO-46
金属罐包装(H )
20156106
20156135
见NS包装数E20A
底部视图
见NS包装数H02A
2005美国国家半导体公司
DS201561
www.national.com
LM185-1.2QML
连接图
(续)
陶瓷SOIC ( WG )
20156134
见NS包装数WG10A
原理图
20156107
www.national.com
2
LM185-1.2QML
绝对最大额定值
(注1 )
反向电流
正向电流
工作温度范围
最高结温(T
JMAX
) (注2 )
储存温度
引线温度(焊接10秒)
陶瓷SOIC
TO- 46封装
20LD LCC封装
热阻
θ
JA
金属罐(静止空气中)
金属罐( 500LF /最小空气流量)
20LD LCC (静止空气中)
20LD LCC ( 500LF /最小空气流量)
陶瓷SOIC (静止空气中)
陶瓷SOIC ( 500LF /最小空气流量)
θ
JC
金属罐
20LD LCC
陶瓷SOIC
包装重量(典型)
金属罐
20LD LCC
陶瓷SOIC
ESD容差(注3 )
待定
待定
210mg
4KV
57C/W
25C/W
23C/W
300C/W
139C/W
100C/W
73C/W
194C/W
128C/W
260C
300C
300C
30mA
10mA
55C
T
A
+125C
+150C
55C
T
A
+150C
质量一致性检验
MIL -STD -883方法5005 - A组
小组
1
2
3
4
5
6
7
8A
8B
9
10
11
12
13
14
描述
在静态测试
在静态测试
在静态测试
在动态测试
在动态测试
在动态测试
在功能测试
在功能测试
在功能测试
开关在试验
开关在试验
开关在试验
稳定时间
稳定时间
稳定时间
温度°C
25
125
-55
25
125
-55
25
125
-55
25
125
-55
25
125
-55
3
www.national.com
LM185-1.2QML
LM185-1.2电气特性
DC参数
符号
V
REF
参数
反向击穿电压
I
R
= 10A
I
R
= 20A
I
R
= 1毫安
I
R
= 20mA下
V
REF
/
I
R
反向击穿电压
更改与当前
10A
I
R
1mA
20A
I
R
1mA
1mA
I
R
20mA
V
F
正向偏置电压
I
F
= 2毫安
条件
笔记
最大
单位
V
V
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
V
SUB -
群体
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
1.223 1.247
1.205
1.205
1.205
-1.0
-1.5
-10.0
-20.0
-1.0
1.26
1.26
1.26
1.0
1.5
10.0
20.0
-0.4
1.223 1.247
1.223 1.247
DC漂移参数
三角洲计算上QMLV设备在B组,小组5进行,除非对IPI另有规定。
符号
V
R
参数
反向击穿电压
I
R
= 10A
I
R
= 20mA下
条件
笔记
-0.01
-0.01
最大
0.01
0.01
单位
V
V
SUB -
群体
1
1
LM185BY - 1.2电气特性
DC参数
符号
V
REF
参数
反向击穿电压
I
R
= 10A
I
R
= 20A
I
R
= 1毫安
I
R
= 20mA下
V
REF
/
I
R
反向击穿电压
更改与当前
10A
I
R
1mA
20A
I
R
1mA
1mA
I
R
20mA
V
F
T
C
正向偏置电压
温度COEF网络cient
I
F
= 2毫安
(注4 )
条件
笔记
最大
单位
V
V
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
V
PPM /°C的
SUB -
群体
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1.223 1.247
1.205
1.205
1.205
-1.0
-1.5
-10.0
-20.0
-1.0
1.26
1.26
1.26
1.0
1.5
10.0
20.0
-0.4
50
1.223 1.247
1.223 1.247
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
功能,但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。保证
规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低,当设备没有下所列出的测试操作
条件。
注2 :
最大功耗必须在高温下会减小,由T决定
JMAX
(最大结温)
θ
JA
(包结
到环境的热阻) ,以及T
A
(环境温度) 。在任何温度下的最大允许功耗为:P
DMAX
= (T
JMAX
- T
A
)/θ
JA
在绝对最大额定值,以较低者为准定数。
注3 :
人体模型, 1.5kΩ的串联100pF的。
注4 :
平均温度系数被定义为参考电压的最大偏差,在操作时间之间的所有测得的温度
&放大器;牛逼
最大
通过(T除以
最大
T
) 。将测得的温度(T
)是-55℃ , 25℃ , 125℃ &或
V
REF
/ (T
最大
T
)
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4
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联系人:薛女士
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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NSC
1333+
200
N/A
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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