LM139AQML / LM139QML低功耗低失调电压四路比较器
LM139AQML
LM139QML
2010年10月15日
低功耗低失调电压QUAD比较仪
概述
该LM139系列由四个独立的精密电压
年龄比较器的偏移电压规格低
为2 mV的最大所有四个比较器。这些设计
具体而言，从一个单一的电源在很宽的操作
的电压范围。从分裂电源的操作也
可能和低电源电流消耗是indepen-
凹痕的电源电压的幅度。这些
比较器还具有在该输入一个唯一的特征
共模电压范围包括地面，即使
从一个单一的电源电压下工作。
应用领域包括限制比较器，简单的模拟来
数字转换器;脉冲，方波和延迟时间gener-
ators ;广泛的VCO ; MOS时钟定时器;多谐振荡器和
高电压数字逻辑门。该LM139系列DE-是
签约与TTL和CMOS直接连接。如果能操作
ated从两个正负电源，他们将
与MOS逻辑电直接界面，低功耗
在LM139的/ LM139A超过标准的一个明显的优势
比较器。
特点
■
可用辐射担保
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■
■
■
100拉德（SI ）
—
总剂量
ELDRS免费
100拉德（SI ）
—
宽电源电压范围
LM139 / 139A系列
2至36 V
DC
或± 1至± 18 V
DC
极低的电源电流消耗（0.8 mA）的 - 独立的
电源电压
低输入偏置电流：
25 nA的
低输入失调电流：
± 5 nA的
失调电压：
± 1 mV的
输入共模电压范围包括GND
差分输入电压范围等于电源
电压
低输出饱和电压：
250毫伏在4mA
输出电压与TTL ， DTL ， ECL ， MOS和兼容
CMOS逻辑系统
优势
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■
■
■
■
■
高精度比较器
降低V
OS
温度漂移
不再需要双电源供电
可以感应靠近GND
兼容所有形式的逻辑
适用于电池供电的电力消耗
订购信息
NS型号
LM139E/883
LM139J/883
LM139AW-SMD
LM139AWG-SMD
LM139AE/883
LM139AJ/883
LM139AJRQMLV （注
11)
LM139AJRLQMLV （注
15)
ELDRS免费
LM139AW-QMLV
LM139AW/883
LM139AWG-QMLV
LM139AWG/883
LM139AWGRQMLV （注
11)
LM139AWGRLQMLV （注
15)
ELDRS免费
LM139AWRQMLV （注
11)
5962R9673801VXA
100拉德（SI ）
5962R9673802VXA
100拉德（SI ）
5962R9673801VDA
100拉德（SI ）
5962–9673801VXA
5962R9673801VCA
100拉德（SI ）
5962R9673802VCA
100拉德（SI ）
5962–9673801VDA
5962–8773901DA
5962–8773901XA
SMD零件编号
NS包装数包装说明
E20A
J14A
W14B
WG14A
E20A
J14A
J14A
J14A
W14B
W14B
WG14A
WG14A
WG14A
WG14A
W14B
20端子无引线芯片载体
14LD CERDIP
14LD CERPACK
14LD陶瓷SOIC
20端子无引线芯片载体
14LD CERDIP
14LD CERDIP
14LD CERDIP
14LD CERPACK
14LD CERPACK
14LD陶瓷SOIC
14LD陶瓷SOIC
14LD陶瓷SOIC
14LD陶瓷SOIC
14LD CERPACK
2010美国国家半导体公司
201221
www.national.com
LM139AQML/LM139QML
NS型号
LM139AWRLQMLV （注
15)
ELDRS免费
LM139 MDE （注
15)
ELDRS免费
LM139 MDR （注
11)
SMD零件编号
5962R9673802VDA
100拉德（SI ）
5962R9673802V9A
100拉德（SI ）
5962R9673801V9A
100拉德（SI ）
NS包装数包装说明
W14B
（注
1)
（注
1)
14LD CERPACK
裸模
裸模
注1 ：欲了解更多DIE信息，请访问喜REL网站： www.national.com/analog/space/level_die
连接图
双列直插式封装
20122102
见NS包装NumberJ14A
20122127
见NS包装数W14B ， WG14A
20122144
见NS包装数E20A
www.national.com
2
LM139AQML/LM139QML
LM139
883电气特性
DC参数
以下条件适用，除非另有规定。 + V = 5V ，V
CM
= 0V
符号
I
CC
V
IO
参数
电源电流
电源电流
输入失调电压
条件
R
L
=无穷大
+ V = 30V ，R
L
=无穷大
+V = 30V
+V = 30V, V
CM
= 28.5V
+V = 30V, V
CM
= 28.0V
-5.0
-9.0
-5.0
-9.0
-5.0
-9.0
CMRR
PSRR
± I
BIAS
I
IO
I
CEX
I
SINK
V
SAT
A
V
V
CM
共模抑制比
电源抑制比
输入偏置电流
输入失调电流
输出漏电流
输出灌电流
饱和电压
电压增益
共模电压范围
+V = 30V, V
CM
= 0V至28.5V
+ V = 5V至30V
V
O
= 1.5V
V
O
= 1.5V
+V = 30V, V
O
= 30V
V
O
= 1.5V
I
SINK
= 4毫安
+ V = 15V ，R
L
≥
15K,
V
I
= 1V至
11V
+V = 30V
（注
9)
（注
9)
V
差异
差分输入电压
+V = 30V, -V = 0V, +V
I
= 36V, -V
I
（注
10)
= 0V
+V = 30V, -V = 0V, +V
I
= 0V, -V
I
=
（注
10)
36V
6.0
400
700
50
0
0
V
+
-
(1.5)
V
+
-
(2.0)
500
500
（注
6)
（注
6)
60
60
-100
-300
-25
-100
-1.0
-1.0
25
100
1.0
笔记
民
最大
2.0
2.0
5.0
9.0
5.0
9.0
5.0
9.0
单位
mA
mA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
dB
dB
nA
nA
nA
nA
A
mA
mV
mV
V / MV
V
V
nA
nA
SUB -
群体
1, 2, 3
1, 2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
1
1
2, 3
1
2, 3
1, 2, 3
1
1
2, 3
1
1
2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
AC参数
以下条件适用，除非另有规定。 + V = 5V
符号
t
RLH
t
RHL
参数
响应时间
响应时间
条件
V
OD
=为5mV
V
OD
= 50mV的
V
OD
=为5mV
V
OD
= 50mV的
笔记
民
最大
5.0
0.8
2.5
0.8
单位
S
S
S
S
SUB -
群体
9
9
9
9
5
www.national.com
QQ：2881677436 复制
