LM136A - 2.5 / LM136-2.5QML参考二极管
2007年11月8日
LM136A-2.5/LM136-2.5QML
参考二极管
概述
该LM136A - 2.5 / LM136-2.5集成电路是一种精密
2.5V并联稳压二极管。该单片IC参考电压进行
EnCE的操作为低温度系数为2.5V的齐纳
用0.2Ω的动态阻抗。在第三终端
LM136-2.5允许参考电压和温度的共同
效率可以很容易地修整。
该LM136-2.5是作为精密2.5V低电压REF-有用
erence数字电压表，电源供应器或运算放大器税务局局长
cuitry 。在2.5V使它方便地得到稳定的
从5V逻辑电源的参考。另外，由于
LM136-2.5操作为并联稳压器，它可以用作
无论是正或负的参考电压。
特点
■
可用辐射担保
■
■
■
■
■
■
100拉德（SI ）
—
总剂量
低温COEF网络cient
400宽工作电流
μA
10 mA的
保证温度稳定性
轻松修剪的最低温度漂移
快速开启
3导晶体管包
订购信息
NS型号
LM136H-2.5/883
LM136AH-2.5-SMD
LM136AH-2.5/883
LM136AH-2.5RQV
（注5 ）
LM136AH-2.5RLQV
（注6 ）
5962R0050101VXA
100拉德（SI ）
5962R0050102VXA
100拉德（SI ）
8418003XA
SMD零件编号
NS包装数
H03H
H03H
H03H
H03H
H03H
包装说明
T0-46 ， 3LD金属罐
T0-46 ， 3LD金属罐
T0-46 ， 3LD金属罐
T0-46 ， 3LD金属罐
T0-46 ， 3LD金属罐
接线图
TO-46
金属罐包装
20139720
底部视图
见NS包装数H03H
2007美国国家半导体公司
201397
www.national.com
LM136A-2.5/LM136-2.5QML
LM136A - 2.5电气特性
DC参数
以下条件适用，除非另有规定。
符号
I
ADJ
台达V
Z
V
Z
参数
当前的调整
达齐纳电压
齐纳电压
I
R
= 1毫安
笔记
民
-125
最大
+125
6.0
10
V
ADJ
=打开
V
ADJ
= 0.7V
V
ADJ
= 1.9V
Z
RD
V
刺
反向动态阻抗
温度稳定性
V
Z
=调整到2.490V
（注4 ）
（注4 ）
2.465 2.515
2.44
2.39
2.29
2.49
2.54
2.49
2.49
2.69
0.6
1.0
18
单位
A
mV
mV
V
V
V
V
V
mV
SUB -
群体
1, 2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1, 2, 3
1
2, 3
2, 3
条件
V
ADJ
= 0.7V
0.4mA
≤
I
Z
≤
10毫安
DC漂移参数
三角洲计算在B组，只有小组5 QMLV设备上执行。
符号
V
Z
参数
齐纳电压
条件
V
ADJ
=打开
V
ADJ
= 0.7V
V
ADJ
= 1.9V
笔记
民
10
10
10
最大
+10
+10
+10
单位
mV
mV
mV
SUB -
群体
1
1
1
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。保证
规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低，当设备没有下所列出的测试操作
条件。
注2 ：
最大功耗必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
（最大结温）
θ
JA
（包
结到环境的热阻）和T
A
（环境温度） 。在任何温度下的最大允许功耗为：P
DMAX
= (T
JMAX
- T
A
)/
θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字，以较低者为准。
注3 ：
人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的。
注4 ：
参数测试复不走而已。
注5 ：
前置和后置的照射范围是相同的下DC电气特性列出。这些部件可以是剂量率在空间敏感
环境，并且可以表现出增强的低剂量率的效果。对于所提到的参数辐射终点限制，仅在该条件保证
在MIL-STD- 883规定的，方法1019 。
注6 ：
低剂量率的测试晶片由晶片的基础上被执行时，每试验方法MIL-STD- 883的1019条件D ，没有增强的低剂量
率敏感性（ ELDRS ）的效果。
5
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LM136A - 2.5 / LM136-2.5QML参考二极管
LM136A-2.5
LM136-2.5QML
参考二极管
概述
该LM136A - 2.5 / LM136-2.5集成电路是一种精密
2.5V并联稳压二极管。该单片IC参考电压进行
EnCE的操作为低温度系数为2.5V的齐纳
用0.2Ω的动态阻抗。在第三终端
LM136-2.5允许参考电压和温度的共同
效率可以很容易地修整。
该LM136-2.5是作为精密2.5V低电压REF-有用
erence数字电压表，电源供应器或运算放大器税务局局长
cuitry 。在2.5V使它方便地得到稳定的
从5V逻辑电源的参考。另外，由于
LM136-2.5操作为并联稳压器，它可以用作
无论是正或负的参考电压。
2009年9月1日
特点
■
可用辐射担保
■
■
■
■
■
■
100拉德（SI ）
—
总剂量
低温COEF网络cient
400宽工作电流
μA
10 mA的
保证温度稳定性
轻松修剪的最低温度漂移
快速开启
3导晶体管包
订购信息
NS型号
LM136H-2.5/883
LM136AH-2.5-SMD
LM136AH-2.5/883
LM136AH-2.5RQV
（注
5)
LM136AH-2.5RLQV
（注
6)
5962R0050101VXA
100拉德（SI ）
5962R0050102VXA
100拉德（SI ）
8418003XA
SMD零件编号
NS包装数
H03H
H03H
H03H
H03H
H03H
包装说明
T0-46 ， 3LD金属罐
T0-46 ， 3LD金属罐
T0-46 ， 3LD金属罐
T0-46 ， 3LD金属罐
T0-46 ， 3LD金属罐
接线图
TO-46
金属罐包装
20139720
底部视图
见NS包装数H03H
2009美国国家半导体公司
201397
www.national.com
LM136A-2.5/LM136-2.5QML
LM136A - 2.5电气特性
DC参数
以下条件适用，除非另有规定。
符号
I
ADJ
台达V
Z
V
Z
参数
当前的调整
达齐纳电压
齐纳电压
I
R
= 1毫安
笔记
民
-125
最大
+125
6.0
10
V
ADJ
=打开
V
ADJ
= 0.7V
V
ADJ
= 1.9V
Z
RD
V
刺
反向动态阻抗
温度稳定性
V
Z
=调整到2.490V
（注
4)
（注
4)
2.465 2.515
2.44
2.39
2.29
2.49
2.54
2.49
2.49
2.69
0.6
1.0
18
单位
A
mV
mV
V
V
V
V
V
mV
SUB -
群体
1, 2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1, 2, 3
1
2, 3
2, 3
条件
V
ADJ
= 0.7V
0.4mA
≤
I
Z
≤
10毫安
DC漂移参数
三角洲计算在B组，只有小组5 QMLV设备上执行。
符号
V
Z
参数
齐纳电压
条件
V
ADJ
=打开
V
ADJ
= 0.7V
V
ADJ
= 1.9V
笔记
民
10
10
10
最大
+10
+10
+10
单位
mV
mV
mV
SUB -
群体
1
1
1
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。保证
规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低，当设备没有下所列出的测试操作
条件。
注2 ：
最大功耗必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
（最大结温）
θ
JA
（包
结到环境的热阻）和T
A
（环境温度） 。在任何温度下的最大允许功耗为：P
DMAX
= (T
JMAX
- T
A
)/
θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字，以较低者为准。
注3 ：
人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的。
注4 ：
参数测试复不走而已。
注5 ：
前置和后置的照射范围是相同的下DC电气特性列出。这些部件可以是剂量率在空间敏感
环境，并且可以表现出增强的低剂量率的效果。对于所提到的参数辐射终点限制，仅在该条件保证
在MIL-STD- 883规定的，方法1019 。
注6 ：
低剂量率的测试晶片由晶片的基础上被执行时，每试验方法MIL-STD- 883的1019条件D ，没有增强的低剂量
率敏感性（ ELDRS ）的效果。
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