LM113QML参考二极管
2010年12月16日
LM113QML
参考二极管
概述
该LM113是温度补偿，低电压基准
erence二极管。它们的特点是非常紧调控过
除了一个unusually-大范围的工作电流
低击穿电压和良好的温度稳定性。
该二极管被用晶体管和电阻器中合成
单片集成电路。因此，它们具有相同的
低噪音和长期稳定性是现代IC运算放大器。进一
治疗，基准的输出电压只取决于highly-
在上述IC元件的可预测性;这样他们就可以
被制造并提供给紧公差。
特点
■
低击穿电压： 1.220V
■
0.3Ω从500动态阻抗
μA
到20毫安
■
温度稳定度通常为1 ％，比- 55 ° C至125°C
范围
■
紧公差： ± 5 ％或± 1 ％
该参考文献的特征推荐它的使用
在偏置调节电路，低电压电源
或电池供电的设备。的事实，即
击穿电压等于硅的物理性质
-The能带隙电压，使得它可用于许多
温度补偿和温度
测量功能。
订购信息
NS型号
LM113H-SMD
LM113-1H-SMD
LM113-1H-QMLV
LM113WG-QMLV
LM113-1WG-QMLV
SMD零件编号
5962-8671101XA
5962-8671102XA
5962-9684302VXA
5962-9684301VZA
5962-9684302VZA
NS包装数
H02A
H02A
H02A
WG10A
WG10A
包装说明
2LD金属罐
2LD金属罐
2LD金属罐
10LD陶瓷SOIC
10LD陶瓷SOIC
连接图
金属罐包装（H ）
陶瓷SOIC封装（ WG ）
20150021
20150001
见NS包装数H02A
见NS包装数WG10A
2010美国国家半导体公司
201500
www.national.com
LM113电气特性
DC参数
符号
V
ZR
ΔV
ZR
V
F
R
R
参数
齐纳电压
达齐纳电压
正向电压降
反向动态阻抗
I
R
= 1毫安
0.5mA
≤
I
R
≤
20mA
0.5mA
≤
I
R
≤
10mA
I
F
= 1毫安
I
R
= 1毫安
I
R
= 10毫安
（注
4)
条件
笔记
民
1.16
最大
1.28
15
15
1.0
1.0
0.8
单位
V
V
mV
mV
V
SUB -
群体
1
2, 3
1
2, 3
1, 2, 3
4
4
1.157 1.283
DC漂移参数
三角洲计算上QMLV设备在B组，小组5执行而已。
符号
V
ZR
参数
齐纳电压
I
R
= 1毫安
条件
笔记
民
-0.02
最大
0.02
单位
V
SUB -
群体
1
LM113-1电气特性
DC参数
符号
V
ZR
ΔV
ZR
V
F
R
R
参数
齐纳电压
达齐纳电压
正向电压降
反向动态阻抗
I
R
= 1毫安
0.5mA
≤
I
R
≤
20mA
0.5mA
≤
I
R
≤
10mA
I
F
= 1毫安
I
R
= 1毫安
I
R
= 10毫安
（注
4)
条件
笔记
民
最大
单位
V
V
mV
mV
V
SUB -
群体
1
2, 3
1
2, 3
1, 2, 3
4
4
1.210 1.232
1.206 1.234
15
15
1.0
1.0
0.8
DC漂移参数
三角洲计算上QMLV设备在B组，小组5执行而已。
符号
V
ZR
参数
齐纳电压
I
R
= 1毫安
条件
笔记
民
-0.02
最大
0.02
单位
V
SUB -
群体
1
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。保证
规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低，当设备没有下所列出的测试操作
条件。
注2 ：
最大功耗必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
（最大结温）
θ
JA
（包
结到环境的热阻）和T
A
（环境温度） 。在任何温度下的最大允许功耗为：P
DMAX
= (T
JMAX
- T
A
)/
θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字，以较低者为准。
注3 ：
人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的。
注4 ：
保证参数，未经测试。
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4
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