LM111 / LM211 / LM311电压比较器
2001年1月
LM111/LM211/LM311
电压比较器
1.0概述
该LM111 ， LM211和LM311是电压比较器，
有输入电流低于近千倍
设备，如LM106或LM710 。它们也被设计
在更大的范围内的电源电压：从标准
±
15V运算放大器提供低至用于5V单电源供电
IC逻辑。其输出与RTL ， DTL和TTL兼容
以及MOS电路。另外，它们可以驱动灯或
继电器，开关电压高达50V时电流高达
50毫安。
两者的输入和LM111 ， LM211或所述的输出
LM311可以从系统地进行分离，并输出
可以驱动称为接地，正电源或负载
负电源。平衡失调和频闪功能是
提供和输出可丝或运算。虽然慢
比LM106和LM710 （ 200纳秒响应时间比40纳秒）
该设备也更不易于寄生振荡
系统蒸发散。该LM111具有相同的引脚配置为
LM106和LM710 。
在LM211是相同的LM111 ，不同之处在于它的perfor-
曼斯指定了一个-25℃至+ 85℃温度范围内
的-55 + 125℃代替。在LM311具有温度
范围为0℃至+ 70℃。
2.0特性
n
n
n
n
n
从单一5V电源工作
输入电流： 150 nA的最大值。在整个温度范围
偏置电流： 20 nA的最大值。在整个温度范围
差分输入电压范围：
±
30V
功耗： 135毫瓦
±
15V
3.0典型应用
平衡失调
（注3）
频闪
00570436
00570437
注意：
不要接地选通引脚。输出关断时电流
从选通引脚拉高。
增加输入级电流
（注1 ）
探测器磁传感器
00570438
注1 ：
增加了典型共模转换从7.0V / μs到18V / μs的。
00570439
2004美国国家半导体公司
DS005704
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LM111/LM211/LM311
3.0典型应用
（注3）
（续）
继电器驱动器与频闪
数字传输隔离
00570440
00570441
*可吸收继电器感应冲击，保护IC的电压严重
在V瞬态
++
线。
注意：
不要接地选通引脚。
选通关输入和输出阶段
（注2 ）
00570442
注意：
不要接地选通引脚。
注2 ：
典型输入电流为50 pA的输入与选通关。
注3 ：
原理图和典型应用上显示的引脚连接是H08金属罐包装。
正峰值检波器
过零点检测器驱动MOS逻辑
00570424
00570423
*固体钽电容器
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LM111/LM211/LM311
4.0绝对最大额定值
该LM111 / LM211
（注10 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
总电源电压（V
84
)
输出到负电源电压
(V
74
)
地面上负电源电压
(V
14
)
差分输入电压
输入电压（注4 ）
输出短路持续时间
工作温度范围
36V
50V
30V
LM111
LM211
焊接温度（焊接， 10秒）
电压引脚频闪
焊接信息
双列直插式封装
焊接（ 10秒）
小外形封装
气相（60秒）
红外（15秒）
-55 ° C至125°C
-25℃至85℃
260C
V
+
5V
260C
215C
220C
±
30V
±
15V
10秒
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“焊接等方法
表面贴装器件。
ESD额定值（注11 ）
300V
电气特性
参数
输入失调电压（注7 ）
输入失调电流
输入偏置电流
电压增益
响应时间（注8 ）
饱和电压
频闪ON电流（注9 ）
输出漏电流
输入失调电压（注7 ）
输入失调电流（注7 ）
输入偏置电流
输入电压范围
饱和电压
输出漏电流
正电源电流
负电源电流
（注6 ）
为LM111和LM211
民
典型值
0.7
4.0
60
40
200
200
0.75
2.0
0.2
1.5
5.0
10
4.0
20
150
最大
3.0
10
100
单位
mV
nA
nA
V / MV
ns
V
mA
nA
mV
nA
nA
V
V
A
mA
mA
条件
T
A
= 25 ° C，R
S
≤50k
T
A
=25C
T
A
=25C
T
A
=25C
T
A
=25C
V
IN
≤5
mV时，我
OUT
-50毫安
T
A
=25C
T
A
=25C
V
IN
≥5
毫伏，V
OUT
=35V
T
A
= 25 ° C，I
频闪
-3毫安
R
S
≤50
k
V
+
=15V, V
= -15V ， 7脚
引体向上可以到5V
V
+
≥4.5V,
V
=0
V
IN
≤6
mV时，我
OUT
≤8
mA
V
IN
≥5
毫伏，V
OUT
=35V
T
A
=25C
T
A
=25C
14.5
13.8,-14.7
0.23
0.1
5.1
4.1
13.0
0.4
0.5
6.0
5.0
注4 ：
该评级适用于
±
15耗材。正输入电压限制为30V以上的负电源。负输入电压限制为等于
负电源电压或低于30V正电源，以较低者为准。
注5 ：
该LM111的最高结温为150℃，而在LM211的为110℃ 。在H08运行在升高的温度下，设备
包必须基于165℃ / W ，结到环境，或20℃/ W，结到外壳的热阻降额。双列直插式的热阻
包是110 ° C / W ，结到环境。
注6 ：
这些规范适用于V
S
=
±
15V和接地引脚接地，并-55C≤T
A
≤+125C,
除非另有说明。与LM211 ，然而，所有
温度规范限制-25C≤T
A
≤+85C.
失调电压，失调电流和偏置电流参数适用于任何电源电压从单一
5V提供高达
±
15V电源。
注7 ：
的偏移电压和偏移给定电流，以任一电源用1 mA负载的一伏内驱动输出所需的最大值。因此，这些
参数定义了一个错误频带和考虑到的电压增益和R最坏情况下的效果
S
.
注8 ：
指定（见定义）的反应时间为5 mV过一个100毫伏的输入步骤。
注9 ：
本说明书中给出的电流必须从选通管脚被吸入，以确保输出正确地禁用的范围内。不要短暂的频闪销
接地;它应该是当前在3至5毫安驱动。
注10 ：
请参阅RETS111X为LM111H ， LM111J和LM111J - 8军用规格。
注11 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
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LM111/LM211/LM311
5.0绝对最大额定值
该LM311
（注12 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
总电源电压（V
84
)
输出到负电源电压
(V
74
)
地面上负电源电压
(V
14
)
差分输入电压
输入电压（注13 ）
功率耗散（注14 ）
ESD额定值（注19 ）
36V
40V
30V
输出短路持续时间
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
电压引脚频闪
焊接信息
双列直插式封装
焊接（ 10秒）
小外形封装
气相（60秒）
红外（15秒）
10秒
0°至70℃
-65_C到150_C
260C
V
+
5V
260C
215C
220C
±
30V
±
15V
500毫瓦
300V
（注15 ）
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“焊接等方法
表面贴装器件。
电气特性
参数
输入失调电压（注16 ）
输入失调电流（注16 ）
输入偏置电流
电压增益
响应时间（注17 ）
饱和电压
频闪对电流（注18 ）
输出漏电流
为LM311
民
典型值
2.0
6.0
100
40
200
200
0.75
2.0
0.2
1.5
5.0
50
10
70
300
14.5
13.8,14.7
0.23
5.1
4.1
13.0
0.4
7.5
5.0
最大
7.5
50
250
单位
mV
nA
nA
V / MV
ns
V
mA
nA
mV
nA
nA
V
V
mA
mA
条件
T
A
= 25 ° C，R
S
≤50k
T
A
=25C
T
A
=25C
T
A
=25C
T
A
=25C
V
IN
≤10
mV时，我
OUT
-50毫安
T
A
=25C
T
A
=25C
V
IN
≥10
毫伏，V
OUT
=35V
T
A
= 25 ° C，I
频闪
-3毫安
V =引脚1 = -5V
输入失调电压（注16 ）
输入失调电流（注16 ）
输入偏置电流
输入电压范围
饱和电压
正电源电流
负电源电流
R
S
≤50K
V
≥4.5V,
V =0
+
V
IN
≤10
mV时，我
OUT
≤8
mA
T
A
=25C
T
A
=25C
注12 ：
“绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。 “
注13 ：
该评级适用于
±
15V电源。正输入电压限制为30V以上的负电源。负输入电压限制为等于
负电源电压或低于30V正电源，以较低者为准。
注14 ：
该LM311的最高结温为110℃ 。对于在升高的温度下操作，在H08封装的器件必须根据降级
在165℃/ W的热阻，结到环境，或20℃/ W，结到管壳。双列直插式封装的热阻为100℃/ W，结到
环境。
注15 ：
这些规范适用于V
S
=
±
15V和1脚在地上， 0°C
＆ LT ;
T
A
＆ LT ;
+ 70°C ，除非另有规定。偏置电压，偏置电流和
偏置电流规格多达申请单5V电源的任何电源电压
±
15V电源。
注16 ：
的偏移电压和偏移给定电流，以任一电源用1 mA负载的一伏内驱动输出所需的最大值。因此，这些
参数定义了一个错误频带和考虑到的电压增益和R最坏情况下的效果
S
.
注17 ：
指定（见定义）的反应时间为5 mV过一个100毫伏的输入步骤。
注18 ：
本说明书中给出的电流必须从选通管脚被吸入，以确保输出正确地禁用的范围内。不要短暂的频闪
引脚接地;它应该是当前在3至5毫安驱动。
注19 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
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LM111QML电压比较器
二〇〇八年六月三十○日
LM111QML
电压比较器
概述
在LM111是一个电压比较器，它具有输入电流
近千倍，如设备比
LM106或LM710 。它也被设计成工作在更宽的
电源电压范围内：从标准的± 15V运算放大器的支持
层数下来用于逻辑IC的单5V电源。该
输出是与RTL ， DTL和TTL以及MOS兼容
电路。此外，它可以驱动灯或继电器，开关电压
年龄高达50V时电流高达50 mA的电流。
两者的输入和LM111的输出可被分离
从系统接地，并提到该输出可以驱动负载
接地，正电源或负电源。抵消
平衡和频闪功能提供和输出可以
是电线或运算。虽然比LM106和LM710慢
（200纳秒的响应时间比40纳秒）的装置也少得多
易寄生振荡。该LM111具有相同的引脚
配置为LM106和LM710 。
特点
■
可用放射保证
■
■
■
■
■
■
■
■
50拉德（SI ）
—
高剂量率
100拉德（SI ）
—
低剂量ELDRS免费
从单一5V电源工作
输入电流： 200最大呐。过温
偏置电流： 20 nA的最大值。在整个温度范围
差分输入电压范围： ± 30V
功耗： 135 mW的± 15V
电源电压，单5V至±15V
失调电压空能力
频闪功能
订购信息
NS型号
LM111E-SMD
LM111H-SMD
LM111J-8-SMD
LM111WG-SMD
LM111E/883
LM111H/883
LM111J-8/883
LM111J/883
LM111W/883
LM111WG/883
LM111HLQMLV （注12 ）
高剂量率ONLY
LM111J - 8LQMLV （注12 ）
高剂量率ONLY
LM111WGLQMLV （注12 ）
高剂量率ONLY
LM111WLQMLV （注12 ）
高剂量率ONLY
LM111HRLQMLV （注14 ）
ELDRS仅限免费
LM111J - 8RLQMLV （注14 ）
ELDRS仅限免费
LM111WGRLQMLV （注14 ）
ELDRS仅限免费
LM111WRLQMLV （注14 ）
ELDRS仅限免费
5962L0052401VGA
50K RD （SI ）
5962L0052401VPA
50K RD （SI ）
5962L0052401VZA
50K RD （SI ）
5962L0052401VHA
50K RD （SI ）
5962R0052402VGA
10万次（SI ）
5962R0052402VPA
10万次（SI ）
5962R0052402VZA
10万次（SI ）
5962R0052402VHA
10万次（SI ）
SMD零件编号
5962-8687701Q2A
5962-8687701QGA
5962-8687701QPA
5962-8687701QZA
NS包装数
E20A
H08C
J08A
WG10A
E20A
H08C
J08A
J14A
W10A
WG10A
H08C
J08A
WG10A
W10A
H08C
J08A
WG10A
W10A
包装说明
20LD无引线芯片载体
8引脚TO- 99金属罐
8引脚CERDIP
10LD陶瓷SOIC
20LD无引线芯片载体
8引脚TO- 99金属罐
8引脚CERDIP
14LD CERDIP
10LD CERPACK
10LD陶瓷SOIC
8引脚TO- 99金属罐
8引脚CERDIP
10LD陶瓷SOIC
10LD CERPACK
8引脚TO- 99金属罐
8引脚CERDIP
10LD陶瓷SOIC
10LD CERPACK
2008美国国家半导体公司
201285
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LM111QML
绝对最大额定值
正电源电压
负电源电压
总电源电压
输出到负电源电压
GND为负电源电压
差分输入电压
灌电流
输入电压
（注3）
功耗
（注4 ）
8 Ld的CERDIP
8 LD金属罐
10 LD CERPACK
10 LD陶瓷SOIC
20 Ld的LCC
输出短路持续时间
最大电流频闪
工作温度范围
热阻
θ
JA
（注2 ）
+30.0V
-30.0V
36V
50V
30V
±30V
50mA
±15V
为400mW @ 25°C
为330mW @ 25°C
为330mW @ 25°C
为330mW @ 25°C
500mW的25°C
10秒
10mA
-55°C
≤
T
A
≤
125°C
8 LD CERDIP （静止空气@ 0.5W ）
8 LD CERDIP （ 500LF /最小空气流量@ 0.5W ）
8 LD金属罐（静止空气@ 0.5W ）
8 LD金属罐（ 500LF /最小空气流量@ 0.5W ）
10陶瓷SOIC （静止空气@ 0.5W ）
10陶瓷SOIC （ 500LF /最小空气流量@ 0.5W ）
10 CERPACK （静止空气@ 0.5W ）
10 CERPACK （ 500LF /最小空气流量@ 0.5W ）
14 LD CERDIP （静止空气@ 0.5W ）
14 LD CERDIP （ 500LF /最小空气流量@ 0.5W ）
20 LD LCC （静止空气@ 0.5W ）
20 LD LCC （ 500LF /最小空气流量@ 0.5W ）
θ
JC
8 Ld的CERDIP
8 LD金属罐PKG
10 LD陶瓷SOIC
10 LD CERPACK
14 Ld的CERDIP
20 Ld的LCC
存储温度范围
最高结温
引线温度（焊接， 60秒）
电压引脚频闪
包装重量（典型）
8 LD金属罐
8 Ld的CERDIP
10 LD CERPACK
10 LD陶瓷SOIC
14 Ld的CERDIP
20 Ld的LCC
ESD额定值
（注5 ）
134°C/W
76°C/W
162°C/W
92°C/W
231°C/W
153°C/W
231°C/W
153°C/W
97°C/W
65°C/W
90°C/W
65°C/W
21°C/W
50°C/W
24°C/W
24°C/W
20°C/W
21°C/W
-65°C
≤
T
A
≤
150°C
175°C
300°C
V
+
= -5V
965mg
1100mg
250mg
225mg
待定
待定
300V
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