LM109 / LM309 5V稳压器
1998年4月
LM109/LM309
5V稳压器
概述
该LM109系列是完整的5V稳压器的制造
一个单一的硅芯片上。它们被设计为地方性法规
在数字逻辑卡,消除了分配问题
联想与单点管理。该装置是
有两种标准晶体管封装。在
固体铁镍钴合金的TO- 5头,它可以提供的输出电流在EX-
为200mA塞斯,如果提供足够的散热。同
在TO- 3封装的功率,可用的输出电流
比1A更大。
监管层基本上井喷证明。限流
被包括来限制峰值输出电流到一个安全值。在
此外,热关断提供,以保持从IC
过热。如果内部消耗过大时,
稳压器将关闭,以防止过热。
相当大的努力被消耗,使这些设备
容易使用,并减少外部元件的数量
堂费。不必绕过输出,尽管这
确实有点改善瞬态响应。输入bypass-
荷兰国际集团是必要的,但是,如果该调节器位于很远的
从电源的滤波电容。稳定性也
由提供很好的抑制负载的方法来实现
或线路瞬变通常看到的TTL逻辑。
虽然主要被设计为固定的电压调节器,所述
在LM109序列的输出可以被设置为电压高于5V,
如图所示。另外,也可以使用该电路作为控制
元件的精密调节,考虑的优点
良好的电流处理能力和热过载
保护。
特点
n
指定为兼容,最坏的情况下,用TTL和
DTL
n
输出电流在1A的过量
n
内部过热保护
n
无需外部元件
原理图
DS007138-1
1999美国国家半导体公司
DS007138
www.national.com
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
输入电压
功耗
35V
内部限制
工作结温范围
LM109
LM309
存储温度范围
焊接温度
(焊接, 10秒)
-55 ° C至+ 150°C
0 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
300C
电气特性
(注2 )
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
TO- 39封装
TO- 3封装
输出电压
条件
民
T
j
= 25C
T
j
= 25C
7.10V
≤
V
IN
≤
25V
T
j
= 25C
5毫安
≤
I
OUT
≤
0.5A
5毫安
≤
I
OUT
≤
1.5A
7.40V
≤
V
IN
≤
25V,
5毫安
≤
I
OUT
≤
I
最大
,
P
& LT ;
P
最大
静态电流
静态电流变化
输出噪声电压
长期稳定性
纹波抑制
热阻,
结到外壳
TO- 39封装
TO- 3封装
15
2.5
15
2.5
° C / W
° C / W
T
j
= 25C
(注3)
50
7.40V
≤
V
IN
≤
25V
7.40V
≤
V
IN
≤
25V
5毫安
≤
I
OUT
≤
I
最大
T
A
= 25C
10赫兹
≤
f
≤
100千赫
10
50
20
mV
dB
40
5.2
10
0.5
0.8
40
5.2
10
0.5
0.8
mA
mA
mA
V
4.6
15
15
50
100
5.4
4.75
15
15
50
100
5.25
mV
mV
V
4.7
LM109
典型值
5.05
4.0
最大
5.3
50
民
4.8
LM309
典型值
5.05
4.0
最大
5.2
50
V
mV
单位
注1 :
“绝对最大额定值”,表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
功能,但不保证特定的性能极限。
注2 :
除非另有说明,这些规范适用于-55
≤
T
j
≤
+ 150℃的LM109和0°C
≤
T
j
≤
+ 125C的LM309 ; V
IN
= 10V ;我
OUT
= 0.1A
对于TO- 39封装或I
OUT
= 0.5A的TO- 3封装。对于TO- 39封装,我
最大
= 0.2A和P
最大
= 2.0W 。对于TO-3封装,我
最大
= 1.0A和P
最大
= 20W.
注3 :
没有一个散热片,所述的TO- 39封装的热电阻为约150°C /瓦,而在TO-3封装的是约35°C /瓦。用热
水槽中,有效的热阻只能接近指定的值,这取决于接收器的效率。
注4 :
请参阅RETS109H图纸LM109H或RETS109K图纸LM109K军用规格。
连接图
金属罐包装
DS007138-33
订单编号LM109H , LM109H / 883或LM309H
见NS包装数H03A
DS007138-34
订单号LM109K钢或
LM309K STEEL
见NS包装数K02A
订单号LM109K / 883
见NS包装数K02C
2
www.national.com
应用提示
1.
旁路输入
该LM109接地用
≥
0.2 F
如果陶瓷或固体钽电容器的主要电容滤波器
Tor是超过4英寸的距离。
5.
防止闭锁
对于负载连接到负
电压:
如果LM109的输出被拉到负由一个高电流
租供给,以使输出销大于0.5V的负
相对于所述接地销,所述LM109可以锁断。这
可以通过夹紧接地引脚到输出能够防止
针用锗或肖特基二极管,如图所示。硅
二极管( 1N4001 )的输出还需要保持
从正面输出被拉得太远负。在10Ω
电阻将提高+ V
OUT
by
≈
0.05V.
避免插入调节到“活”插座
IF输入
电压大于10V。输出将上升到内
不受管制的输入2V ,如果接地引脚不
进行接触,有可能损坏负载。该LM109
如果一个大的输出电容是也可能被损坏
充电,然后通过内部钳位排出
齐纳当接地引脚进行接触。
3.
输出钳位齐纳
被设计用来吸收转录
只有sients 。它不会夹住,如果一个故障 - 有效输出
URE发生在内部功率晶体管结构。零点,
NER动态阻抗
≈
4Ω 。连续RMS
电流流入齐纳不应超过0.5A 。
4.
LM109s的并联
供更高的输出电流不
推荐使用。电流共享将几乎nonexist-
耳鼻喉科,导致对器件的电流限制模式操作
具有最高初始输出电压。电流限制
设备也可能会升高到热关断点
( ≈ 175℃ ) 。长期的可靠性不能得到保证
在这些条件下。
2.
DS007138-7
撬棍过压保护
输入撬棍
输出短路器
DS007138-8
DS007138-9
*齐纳是内部的LM109 。
*
*
Q 1 ,必须能承受7A的连续电流,如果不使用定影
在稳压器的输入。 LM109连接线将保险丝在电流大于7A 。
Q2被选为浪涌能力。必须考虑到过滤
电容的大小,变压器的阻抗和保险丝烧断的时间。
触发点是
≈
7.5V.
典型性能特性
最大平均
功率耗散( LM109K )
最大平均
功率耗散( LM309K )
输出阻抗
DS007138-18
DS007138-16
DS007138-17
3
www.national.com
典型性能特性
最大平均
功率耗散( LM109H )
(续)
最大平均
功率耗散( LM309H )
纹波抑制
DS007138-21
DS007138-19
DS007138-20
电流限制
特征
(注5 )
热致输出
电压变化
纹波抑制
DS007138-24
DS007138-22
DS007138-23
注5 :
电流限制折返特性由输入输出电压差来确定,而不是由输出电压。
输入 - 输出电压差(V )
输出电压(V)
输出电压(V)
DS007138-25
DS007138-26
DS007138-27
www.national.com
4
LM109QML 5V稳压器
2005年11月
LM109QML
5V稳压器
概述
该LM109系列是完整的5V稳压器的制造
一个单一的硅芯片上。它们被设计为地方性法规
在数字逻辑卡,消除了分配问题
联想与单点管理。该装置是
有两种标准晶体管封装。在固
铁镍钴合金的TO- 5头,它可以提供的输出电流超过
200毫安,如果提供足够的散热。与TO- 3
功率包,可用输出电流大于
1A.
监管层基本上井喷证明。限流
被包括来限制峰值输出电流到一个安全值。在
此外,热关断提供,以保持从IC
过热。如果内部消耗过大时,
稳压器将关闭,以防止过热。
相当大的努力被消耗,使这些设备
容易使用,并减少外部元件的数量
堂费。不必绕过输出,尽管这
确实有点改善瞬态响应。输入bypass-
荷兰国际集团是必要的,但是,如果该调节器位于很远的
从电源的滤波电容。稳定性也
由提供很好的抑制负载的方法来实现
或线路瞬变通常看到的TTL逻辑。
虽然主要被设计为固定的电压调节器,所述
在LM109序列的输出可以被设置为电压高于5V,
如图所示。另外,也可以使用该电路作为控制
元件的精密调节,考虑的优点
良好的电流处理能力和热过载
保护。
特点
n
指定为兼容,最坏的情况下,用TTL和
DTL
n
输出电流在1A的过量
n
内部过热保护
n
无需外部元件
订购信息
NS型号
LM109H/883
LM109K/883
SMD零件编号
NS包装数
H03A
K02C
包装说明
3LD TO- 39金属罐
2LD TO- 3金属罐
连接图
金属罐包装
20149933
见NS包装数H03A
底部视图
20149934
见NS包装数K02C
底部视图
2005美国国家半导体公司
DS201499
www.national.com