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分立半导体
数据表
LLE18150X
NPN硅平面外延
微波功率晶体管
产品speci fi cation
在分离式半导体文件, SC15
1994年9月
飞利浦半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN硅平面外延
微波功率晶体管
特点
扩散发射极镇流电阻器
提供出色的电流分配
并承受高VSWR
叉指结构提供
高效率的发射器
镀金实现非常
的特点,稳定性好
和优良的一生
多单元的几何形状提供了良好的
耗散功率的平衡,
低热阻
内部输入和输出
prematching保证了良好的稳定性
并允许一个更简单的设计
宽带线路。
应用
用于在共发射极使用,
AB类放大器在CW条件
对于与专业应用
1.7 GHz和2.0 GHz的。
描述
NPN硅平面外延
在微波功率晶体管
FO- 229胶帽的金属陶瓷
法兰封装,具有发射
连接到FL法兰。
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
顶视图
手册中, 4列
LLE18150X
快速参考数据
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在一个共发射极AB类
扩增fi er 。
的模式
手术
AB类( CW)
f
(千兆赫)
1.85
V
CE
(V)
24
I
CQ
(A)
0.05
P
L1
(W)
≥12
G
po
( dB)的
≥7.8
η
C
(%)
(典型值) 。 43
Z
i
; Z
L
()
参见图6
与7
钉扎 - FO- 229
1
2
3
集热器
BASE
发射极连接到佛罗里达州安格
描述
1
c
b
3
e
2
MAM112
Fig.1简化外形和符号。
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的板坯不被损坏。
所有的人谁处理,使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后,可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
1994年9月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN硅平面外延
微波功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
CER
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
i
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD
1.可达0.2毫米的陶瓷。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
输入功率
总功耗
储存温度
结温
焊接温度
t
10秒;注1
F = 1.85 GHz的; V
CE
= 24 V ; AB类
T
mb
= 75
°C
条件
发射极开路
R
BE
= 220
开基
集电极开路
LLE18150X
分钟。
65
马克斯。
45
30
22
3
3
4
25
+150
200
235
单位
V
V
V
V
A
W
W
°C
°C
°C
30
P合计
(W)
20
MBD741
10
0
0
50
100
150
200
牛逼MB ( ℃)
图2功率降额曲线。
1994年9月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN硅平面外延
微波功率晶体管
热特性
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
参数
从结热阻安装基座
从安装底座到散热片的热阻
条件
T
j
= 100
°C
LLE18150X
马克斯。
3.6
0.2
单位
K / W
K / W
特征
T
mb
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
V
( BR ) CER
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 20 V
I
C
= 10毫安
I
E
= 10毫安
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 3 V
30
45
3
15
分钟。
马克斯。
1.5
100
单位
mA
V
V
V
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 0 mA时;
BE
= 220
应用信息
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在共射AB类放大器呃。
的模式
手术
AB类( CW)
f
(千兆赫)
1.85
V
CE
(V)
24
I
CQ
(A)
0.05
P
L1
(W)
≥12
典型值。 15
G
po
( dB)的
≥7.8
TYP 。 8.5
η
C
(%)
(典型值) 。 43
Z
i
; Z
L
()
参见图6
与7
1994年9月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN硅平面外延
微波功率晶体管
LLE18150X
手册,全页宽
30
30
2.0
6.0 2.5
1.0
8.0
3.0 2.5
7.0
2.5
4.0
7.0
5.0
3.0
40
1.0
13.0
0.7
2.0
40
0.7
4.0
17.0
1.0
4.0 3.0
6.0
6.0
2.5
9.0
MBD731
手册,全页宽
C5
V BB
C6
VCC
F1
输入
L1
L2
C1
C3
C2
C4
产量
MBD732
该测试电路被分成两个独立的两半,每一个为30 ×40毫米的尺寸。
尺寸(mm) 。
基材: Epsilam 10 。
厚度: 0.635毫米。
介电常数:
ε
r
= 10.
图3 Prematching测试电路板。
1994年9月
5
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