LL5711和LL6263
肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
阴极带
MiniMELF （ SOD -80C ）
金属对硅肖特基势垒装置，该装置是
由一个PN结保护环。
低正向压降和快速开关
使其非常适用于保护MOS器件， steer-
荷兰国际集团，偏置和耦合二极管快速切换
和低逻辑电平的应用程序。
这个二极管也是在DO- 35的情况下可用
同类型指定1N5711和1N6263 。
.063 (1.6)
DIA 。
.051 (1.3)
.146 (3.7)
.130 (3.3)
.019 (0.48)
.011 (0.28)
机械数据
案例：
MiniMELF玻璃柜（ SOD -80C ）
重量：
约。 0.05克
阴极带颜色：
绿色
包装代码/选项：
13元“卷（ 8mm带） ， 20K /盒D1 / 10K
每7 “卷轴（8毫米磁带） ， 20K /箱D2 / 2.5K
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值&热特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
峰值反向电压
功率耗散（无限散热器）
最大单周期浪涌10μs的方波
结温
存储温度范围
LL5711
LL6263
符号
V
RRM
P
合计
I
FSM
T
j
T
S
价值
70
60
400
(1)
2.0
125
-55到+150
单位
V
mW
A
°C
°C
电气特性
(T
参数
反向击穿电压
漏电流
正向电压降
结电容
反向恢复时间
LL5711
LL6263
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
（ BR ）R
I
R
V
F
C
合计
t
rr
测试条件
I
R =
10A
V
R
= 50V
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
I
F
= I
R
= 5毫安，
恢复到0.1I
R
民
70
60
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
—
200
0.41
1.0
2.2
1
单位
V
nA
V
pF
ns
注意：
（1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。
10/6/00
LL5711和LL6263
小信号二极管
肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
金属 - 硅是由一个受保护的肖特基势垒器件
PN结保护环。
低正向压降和快速开关使其非常适合
为保护MOS器件，转向，偏置和耦合
二极管，用于快速开关和低逻辑电平的应用程序。
此二极管也是在DO-35的情况下与式可用
指定1N5711和1N6263 。
机械数据
案例： MiniMELF玻璃柜（ SOD- 80 ）
重量：约。 0.05克
阴极带颜色：绿色
最大额定值和热特性
（等级25
o
C环境温度，除非另有规定。 ）
参数
峰值反向电压
功率耗散（无限散热器）
最大单周期浪涌10
u
广场波
结温
存储温度范围
LL5711
LL6263
符号
V
RRM
P
合计
I
FSM
T
j
T
S
价值
70
60
400
(1)
单位
伏
mW
安培
o
2.0
125
-55到+150
C
C
o
电气特性
(T
J
=25
o
C除非另有说明。 ）
参数
反向击穿电压
漏电流
正向电压降
结电容
反向恢复时间
LL5711
LL6263
符号
V
（ BR ）R
I
R
V
F
C
合计
t
rr
测试条件
I
R
=10
uA
V
R
=50V
I
F
=1.0mA
I
F
=15mA
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
I
F
=I
R
=5mA,
恢复到0.1I
R
分钟。
70
60
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
200
0.41
1.0
2.2
1
单位
伏
nA
伏特
pF
ns
注意事项：
1.有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。
694
额定值和特性曲线（ LL5711和LL6263 ）
正向电流的典型变化
和正向电压对初级传导
通过肖特基势垒
10
5
正向电流，I
F
（MA ）
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
0.5
正向电压，V
F
(V)
1
0
0
0.5
正向电压，V
F
(V)
1
正向电流，I
F
（MA ）
80
100
典型的正向传导曲线
结合肖特基势垒
和PN结保护环
60
40
20
典型的电容曲线为
反向电压的函数
反向电流的典型变化
在不同温度
2
TJ = 25
°
C
100
50
20
TA = 125
°
C
二极管电容，镉（PF ）
反向电流，I
R
(
A)
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1
TA = 25
°
C
0
0
10
20
30
40
50
反向电压， V
R
(V)
0.01
0
10
20
30
40
50
反向电压， V
R
(V)
第2页2
启示录02 ： 2005年3月24日
额定值和特性曲线（ LL5711和LL6263 ）
正向电流的典型变化
和正向电压对初级传导
通过肖特基势垒
10
5
正向电流，I
F
（MA ）
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
0.5
正向电压，V
F
(V)
1
0
0
0.5
正向电压，V
F
(V)
1
正向电流，I
F
（MA ）
80
100
典型的正向传导曲线
结合肖特基势垒
和PN结保护环
60
40
20
典型的电容曲线为
反向电压的函数
反向电流的典型变化
在不同温度
2
TJ = 25
°
C
100
50
20
TA = 125
°
C
二极管电容，镉（PF ）
反向电流，I
R
(
A)
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1
TA = 25
°
C
0
0
10
20
30
40
50
反向电压， V
R
(V)
0.01
0
10
20
30
40
50
反向电压， V
R
(V)
第2页2
启示录02 ： 2005年3月24日
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