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LL46
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
这个二极管具有极低的导通电压
和高击穿电压。该装置
e2
是由一个PN结guardring保护
对过大的电压,例如静电
放电。
这个二极管也可在DO35例
类型名称BAT46和SOD123情况
同类型指定BAT46W -V 。
铅(Pb) -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17205
机械数据
案例:
MiniMELF玻璃外壳( SOD80 )
重量:
约。 31毫克
阴极带颜色:
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LL46
订购代码
LL46 - GS18或LL46 - GS08
键入标记
-
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
正向连续电流
重复峰值正向电流
正向电流浪涌
功耗
1)
1)
测试条件
T
AMB
= 25 °C
t
p
< 1秒,
δ
< 0.5 ,T
AMB
= 25 °C
t
p
= 10毫秒,T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 80 °C
符号
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
价值
100
150
1)
350
1)
750
1)
200
1)
单位
V
mA
mA
mA
mW
有效的条件是电极被保持在环境温度
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
工作温度范围
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
300
1)
单位
K / W
°C
°C
°C
125
- 55至+ 125
- 65至+ 150
有效的条件是电极被保持在环境温度
文档编号85673
修订版1.4 , 21 -NOV- 06
www.vishay.com
1
LL46
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向击穿电压
漏电流
2)
测试条件
I
R
= 100微安(脉冲)
V
R
= 1.5 V
V
R
= 1.5 V,T
j
= 60 °C
V
R
= 10 V
V
R
= 10 V ,T
j
= 60 °C
V
R
= 50 V
V
R
= 50 V ,T
j
= 60 °C
V
R
= 75 V
V
R
= 75 V ,T
j
= 60 °C
正向电压
2)
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 250毫安
二极管电容
2)
符号
V
( BR )
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
100
典型值。
最大
0.5
5
0.8
7.5
2
15
5
20
250
450
1000
单位
V
A
A
A
A
A
A
A
A
mV
mV
mV
pF
pF
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
V
R
= 1 V , F = 1兆赫
10
6
脉冲测试吨
p
< 300微秒,
δ
& LT ; 2 %
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
I
F
- 正向电流(mA )
100
T
j
= 60 °C
I
R
- 反向漏电流( μA )
1000
100
10
T
j
= 60 °C
10
25 °C
1
1
0.1
T
j
= 25 °C
0.1
0.01
0
0.2
18546
0.4
0.6
0.8
1
V
F
- 前进
电压
(V)
1.2
0.01
0
18547
20
40
60
80
100
V
R
- 反向
电压
(V)
图1.典型的正向特性
图2.典型的反向特性
www.vishay.com
2
文档编号85673
修订版1.4 , 21 -NOV- 06
LL46
威世半导体
250
200
150
100
50
0
0
20081
P
合计
- 功耗(MW )
20
40
60
80
100
120
140
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图3.容许功耗与环境温度
包装尺寸以毫米(英寸) : DO35
96 12070
文档编号85673
修订版1.4 , 21 -NOV- 06
www.vishay.com
3
LL46
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
4
文档编号85673
修订版1.4 , 21 -NOV- 06
法律免责声明
日前,Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改,恕不另行通知。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
(统称为“Vishay ” ) ,对本文档中的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前,Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的,在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,包括但不限于本文保修
其中,适用于这些产品。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗,救生使用,或维持生命的应用程序,除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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1
LL46
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
这个二极管具有极低的导通电压
和高击穿电压。该装置
是由一个PN结guardring保护
对过大的电压,如
静电放电。
这个二极管也是在DO- 35的情况下可用
键入名称BAT46和SOD- 123案
同类型指定BAT46W -V 。
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
17205
机械数据
案例:
MiniMELF SOD- 80
重量:
约。 31毫克
阴极带颜色:
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LL46
订购代码
LL46 - GS18或LL46 - GS08
键入标记
-
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
正向连续电流
重复峰值正向电流
正向电流浪涌
功耗
1)
1)
测试条件
符号
V
RRM
I
F
价值
100
150
1)
350
1)
750
1)
200
1)
单位
V
mA
mA
mA
mW
t
p
< 1秒,
δ
& LT ; 0.5
t
p
= 10毫秒
T
AMB
= 80 °C
I
FRM
I
FSM
P
合计
有效的条件是电极被保持在环境温度
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
工作温度范围
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
300
1)
单位
K / W
°C
°C
°C
125
- 55至+ 125
- 65至+ 150
有效的条件是电极被保持在环境温度
文档编号85673
修订版1.5 , 05 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
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LL46
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 100微安(脉冲)
V
R
= 1.5 V
V
R
= 1.5 V,T
j
= 60 °C
V
R
= 10 V
漏电流
2)
V
R
= 10 V ,T
j
= 60 °C
V
R
= 50 V
V
R
= 50 V ,T
j
= 60 °C
V
R
= 75 V
V
R
= 75 V ,T
j
= 60 °C
I
F
- 0.1毫安
正向电压
2)
I
F
= 10毫安
I
F
= 250毫安
二极管电容
2)
符号
V
( BR )
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
100
典型值。
最大
0.5
5
0.8
7.5
2
15
5
20
250
450
1000
单位
V
A
A
A
A
A
A
A
A
mV
mV
mV
pF
pF
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
V
R
= 1 V , F = 1兆赫
10
6
脉冲测试吨
p
< 300微秒,
δ
& LT ; 2 %
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
I
R
- 反向漏电流( μA )
1000
I
F
- 正向电流(mA )
100
T
j
= 60 °C
100
10
T
j
= 60 °C
10
25 °C
1
1
0.1
T
j
= 25 °C
0.1
0.01
0.01
0
0.2
18546
0.4
0.6
0.8
1
V
F
- 前进
电压
(V)
1.2
18547
0
20
40
60
80
100
V
R
- 反向
电压
(V)
图1.典型的正向特性
图2.典型的反向特性
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2
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:文档编号85673
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
修订版1.5 , 05 - 8 - 10
LL46
威世半导体
250
200
150
100
50
0
0
20081
P
合计
- 功耗(MW )
20
40
60
80
100
120
140
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图3.容许功耗与环境温度
包装尺寸
以毫米(英寸):
MiniMELF SOD- 80
阴极indification
*
0.47 ( 0.019)最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
*差距
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐:
2.5 ( 0.098 )最大。
1.25 ( 0.49 )分。
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
5 ( 0.197 )参考。
文件编号: 6.560-5005.01-4
启示录
8
- 日期: 07.June.2006
96 12070
文档编号85673
修订版1.5 , 05 - 8 - 10
2 ( 0.079 )分钟。
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
3
法律免责声明
日前,Vishay
放弃
全部产品,产品规格及数据如有更改,恕不另行通知,以改善
可靠性,功能,设计或其他原因。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理商和雇员,和所有代表及其或其各自的(统称个人,
“威世” ) ,包含在任何数据或任何其他的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前,Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证,声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内, Vishay不承担( i)任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用, ( ii)任何及所有责任,包括但不限于特殊,
间接或附带损失,及(iii)任何和所有的暗示担保,包括适销性和针对特定担保
目的,非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求,常常放置在日前,Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任,以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性,适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异,而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数,包括典型参数,必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明,否则Vishay产品不用于医疗,救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险,并同意
充分赔偿并日前,Vishay及其分销商,免受任何和所有索赔,债务,费用和
引起或导致此类使用或销售,包括律师费方面,即使此类索赔称,赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 11 -MAR- 11
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LL46-GS08
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

电话:0755-82780082
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
LL46-GS08
Vishay(威世)
23+
18000
N/A
只做原装 正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
LL46-GS08
Texas Instruments
㊣10/11+
8114
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
LL46-GS08
Vishay
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
LL46-GS08
Vishay
2025+
26820
DO-213AC
【原装优势★★★绝对有货】
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电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
LL46-GS08
VISHAY
25+23+
37561
LL34
绝对原装正品渠道优势商!全新进口深圳现货原盒原包!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
LL46-GS08
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
24+
22000
164¥/片,原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
LL46-GS08
VIS
25+23+
15500
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
LL46-GS08
VISHAYSMALLSIGNAL
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33000
NA
百分百进口正品原装现货 支持实单!
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
LL46-GS08
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
24+
10000
SOD-80 MiniMELF
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:28636116 复制 点击这里给我发消息 QQ:348965041 复制 点击这里给我发消息 QQ:982121146 复制 点击这里给我发消息 QQ:106368189 复制

电话:0755-66887761
联系人:陈
地址:宝安区石岩街道塘头社区松白路168号
LL46-GS08
VISHAYSMALLSIGNAL
7500
NA
普通
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