日前，Vishay
LL4148 / LL4448
威世半导体
快速开关二极管
特点
硅外延平面二极管
电气数据等同于设备1N4148
分别1N4448
应用
极速开关
94 9371
机械数据
案例：
MiniMELF玻璃柜（ SOD -80C ）
重量：
约。 30.8毫克
阴极带颜色：
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LL4148
LL4448
类型分化
V
RRM
= 100 V, V
F
@ I
F
50毫安< 1 V ，单二极管
V
RRM
= 100 V, V
F
@ I
F
百毫安< 1 V ，单二极管
订购代码
LL4148 - GS18或LL4148 - GS08
LL4448 - GS18或LL4448 - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
平均正向电流
功耗
V
R
= 0
t
p
= 1
s
测试条件
符号
V
RRM
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
P
V
价值
100
75
2
500
300
150
500
单位
V
V
A
mA
mA
mA
mW
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
交界处的环境
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
500
175
- 65 + 175
单位
K / W
°C
°C
文档编号85557
修订版1.7 ， 06 -FEB -04
www.vishay.com
1
LL4148 / LL4448
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前，Vishay
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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4
文档编号85557
修订版1.7 ， 06 -FEB -04
LL4148 / LL4448
威世半导体
小信号快速开关二极管
特点
硅外延平面二极管
电气数据相同的设备
e2
分别1N4148和1N4448
铅（Pb） -free组件
在ACC的组成部分。 RoHS指令2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
应用
极速开关
94 9371
机械数据
案例：
MiniMELF玻璃外壳（ SOD80 ）
重量：
约。 31毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LL4148
LL4448
类型分化
V
RRM
= 100 V, V
F
=最大。 1000毫伏，在我
F
= 50毫安
V
RRM
= 100 V, V
F
=最大。 1000毫伏，在我
F
= 100毫安
订购代码
LL4148 - GS18或LL4148 - GS08
LL4448 - GS18或LL4448 - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
平均正向电流
功耗
V
R
= 0
t
p
= 1 s
测试条件
符号
V
RRM
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
P
V
价值
100
75
2
500
300
150
500
单位
V
V
A
mA
mA
mA
mW
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
500
175
- 65 + 175
单位
K / W
°C
°C
文档编号85557
修订版1.8 ， 24 -MAR -06
www.vishay.com
1
LL4148 / LL4448
威世半导体
1000
C
D
- 二极管电容（pF ）
I
R
- 反向电流（ NA）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1
10
V
R
- 反向
电压
(V)
100
94 9099
T
j
= 25 °C
100
F = 1 MHz的
T
j
= 25 °C
散射极限
10
1
94 9098
0.1
1
10
100
V
R
- 反向
电压
(V)
图3.反向电流和反向电压
图4.二极管电容与反向电压
单位：mm包装尺寸（英寸）
阴极indification
0.47最大。 （ 0.019 ）
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
1.25 （ 0.049 ）分
2.0 （ 0.079 ）分
5.0 （ 0.197 ）参考
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录7 - 日期： 07.February.2005
96 12070
文档编号85557
修订版1.8 ， 24 -MAR -06
www.vishay.com
3
LL4148 / LL4448
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
4
文档编号85557
修订版1.8 ， 24 -MAR -06
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
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LL4148 / LL4448
威世半导体
小信号快速开关二极管
特点
硅外延平面二极管
电气数据相同的设备
e2
分别1N4148和1N4448
铅（Pb） -free组件
在ACC的组成部分。 RoHS指令2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
应用
极速开关
94 9371
机械数据
案例：
MiniMELF玻璃外壳（ SOD80 ）
重量：
约。 31毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LL4148
LL4448
类型分化
V
RRM
= 100 V, V
F
=最大。 1000毫伏，在我
F
= 50毫安
V
RRM
= 100 V, V
F
=最大。 1000毫伏，在我
F
= 100毫安
订购代码
LL4148 - GS18或LL4148 - GS08
LL4448 - GS18或LL4448 - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
平均正向电流
功耗
V
R
= 0
t
p
= 1 s
测试条件
符号
V
RRM
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
P
V
价值
100
75
2
500
300
150
500
单位
V
V
A
mA
mA
mA
mW
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
500
175
- 65 + 175
单位
K / W
°C
°C
文档编号85557
修订版1.8 ， 24 -MAR -06
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1
LL4148 / LL4448
威世半导体
1000
C
D
- 二极管电容（pF ）
I
R
- 反向电流（ NA）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1
10
V
R
- 反向
电压
(V)
100
94 9099
T
j
= 25 °C
100
F = 1 MHz的
T
j
= 25 °C
散射极限
10
1
94 9098
0.1
1
10
100
V
R
- 反向
电压
(V)
图3.反向电流和反向电压
图4.二极管电容与反向电压
单位：mm包装尺寸（英寸）
阴极indification
0.47最大。 （ 0.019 ）
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
1.25 （ 0.049 ）分
2.0 （ 0.079 ）分
5.0 （ 0.197 ）参考
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录7 - 日期： 07.February.2005
96 12070
文档编号85557
修订版1.8 ， 24 -MAR -06
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3
LL4148 / LL4448
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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4
文档编号85557
修订版1.8 ， 24 -MAR -06
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
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日前，Vishay
LL4148 / LL4448
威世半导体
快速开关二极管
特点
硅外延平面二极管
电气数据等同于设备1N4148
分别1N4448
应用
极速开关
94 9371
机械数据
案例：
MiniMELF玻璃柜（ SOD -80C ）
重量：
约。 30.8毫克
阴极带颜色：
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LL4148
LL4448
类型分化
V
RRM
= 100 V, V
F
@ I
F
50毫安< 1 V ，单二极管
V
RRM
= 100 V, V
F
@ I
F
百毫安< 1 V ，单二极管
订购代码
LL4148 - GS18或LL4148 - GS08
LL4448 - GS18或LL4448 - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
平均正向电流
功耗
V
R
= 0
t
p
= 1
s
测试条件
符号
V
RRM
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
P
V
价值
100
75
2
500
300
150
500
单位
V
V
A
mA
mA
mA
mW
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
交界处的环境
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
500
175
- 65 + 175
单位
K / W
°C
°C
文档编号85557
修订版1.7 ， 06 -FEB -04
www.vishay.com
1
LL4148 / LL4448
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前，Vishay
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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修订版1.7 ， 06 -FEB -04
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