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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第436页 > LL101C-GS08
LL101A / 101B / 101C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
在LL101系列是金属对硅
是受保护的肖特基势垒器件
e2
由一个PN结保护环。
低正向压降和快速
交换使其非常适用于保护MOS管
装置，转向装置，偏置和耦合二极管
快速开关和低逻辑电平的应用。
防止静电放电的综合保护环
低电容
低漏电流
这个二极管也可在DO35例
类型名称SD101A ， B，C和在
SOD123例类型指定SD101AW ，
SD101BW ， SD101CW 。
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
94 9371
机械数据
案例：
MiniMELF玻璃外壳（ SOD80 ）
重量：
约。 31毫克
阴极带颜色：黑色
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流魂飞魄散低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
零件表
部分
LL101A
LL101B
LL101C
类型分化
V
R
= 60 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 410毫伏
V
R
= 50 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 400毫伏
V
R
= 40 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 390毫伏
订购代码
LL101A - GS18或LL101A - GS08
LL101B - GS18或LL101B - GS08
LL101C - GS18或LL101C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
峰值反向电压
测试条件
部分
LL101A
LL101B
LL101C
功耗
（无限散热器）
正向连续电流
最大单周期浪涌
10 μs的方波
1)
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
P
合计
I
F
I
FSM
价值
60
50
40
400
1)
30
2
单位
V
V
V
mW
mA
A
有效的条件是电极被保持在环境温度
www.vishay.com
1
文档编号85626
修订版1.2 ， 03 -MAR -06
LL101A / 101B / 101C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结温
存储温度范围
结到环境空气
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
测试条件
符号
T
j
T
英镑
R
thJA
价值
125
- 65至+ 150
320
单位
°C
°C
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10 A
部分
LL101A
LL101B
LL101C
漏电流
V
R
= 50 V
V
R
= 50V
V
R
= 50 V
正向电压降
I
F
= 1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
二极管电容
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
反向恢复时间
I
F
= I
R
= 5毫安，
恢复到0.1 I
R
LL101A
LL101B
LL101C
符号
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
C
D
t
rr
民
60
50
40
200
200
200
410
400
390
1000
950
900
2.0
2.1
2.2
1
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
pF
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
gll101a_01
gll101a_02
图1.典型。我
F
与V
F
FOR主导电THROUGH THE
肖特基势垒
图2.典型。我
F
结合肖特基barrrier和PN结
保护环
www.vishay.com
2
文档编号85626
修订版1.2 ， 03 -MAR -06
LL101A / 101B / 101C
威世半导体
gll101a_03
gll101a_04
反向电流图3.典型变化的各种
温度
图4.典型电容曲线反转的功能
电压
单位：mm包装尺寸（英寸）
阴极indification
0.47最大。 （ 0.019 ）
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
1.25 （ 0.049 ）分
2.0 （ 0.079 ）分
5.0 （ 0.197 ）参考
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录7 - 日期： 07.February.2005
96 12070
文档编号85626
修订版1.2 ， 03 -MAR -06
www.vishay.com
3
LL101A / 101B / 101C
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
4
文档编号85626
修订版1.2 ， 03 -MAR -06
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
www.vishay.com
1
LL101A / 101B / 101C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
在LL101系列是金属对硅
是受保护的肖特基势垒器件
e2
由一个PN结保护环。
低正向压降和快速
交换使其非常适用于保护MOS管
装置，转向装置，偏置和耦合二极管
快速开关和低逻辑电平的应用。
防止静电放电的综合保护环
低电容
低漏电流
这个二极管也可在DO35例
类型名称SD101A ， B，C和在
SOD123例类型指定SD101AW ，
SD101BW ， SD101CW 。
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
94 9371
机械数据
案例：
MiniMELF玻璃外壳（ SOD80 ）
重量：
约。 31毫克
阴极带颜色：黑色
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流魂飞魄散低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
零件表
部分
LL101A
LL101B
LL101C
类型分化
V
R
= 60 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 410毫伏
V
R
= 50 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 400毫伏
V
R
= 40 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 390毫伏
订购代码
LL101A - GS18或LL101A - GS08
LL101B - GS18或LL101B - GS08
LL101C - GS18或LL101C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
峰值反向电压
测试条件
部分
LL101A
LL101B
LL101C
功耗
（无限散热器）
正向连续电流
最大单周期浪涌
10 μs的方波
1)
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
P
合计
I
F
I
FSM
价值
60
50
40
400
1)
30
2
单位
V
V
V
mW
mA
A
有效的条件是电极被保持在环境温度
www.vishay.com
1
文档编号85626
修订版1.2 ， 03 -MAR -06
LL101A / 101B / 101C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结温
存储温度范围
结到环境空气
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
测试条件
符号
T
j
T
英镑
R
thJA
价值
125
- 65至+ 150
320
单位
°C
°C
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10 A
部分
LL101A
LL101B
LL101C
漏电流
V
R
= 50 V
V
R
= 50V
V
R
= 50 V
正向电压降
I
F
= 1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
二极管电容
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
反向恢复时间
I
F
= I
R
= 5毫安，
恢复到0.1 I
R
LL101A
LL101B
LL101C
符号
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
C
D
t
rr
民
60
50
40
200
200
200
410
400
390
1000
950
900
2.0
2.1
2.2
1
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
pF
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
gll101a_01
gll101a_02
图1.典型。我
F
与V
F
FOR主导电THROUGH THE
肖特基势垒
图2.典型。我
F
结合肖特基barrrier和PN结
保护环
www.vishay.com
2
文档编号85626
修订版1.2 ， 03 -MAR -06
LL101A / 101B / 101C
威世半导体
gll101a_03
gll101a_04
反向电流图3.典型变化的各种
温度
图4.典型电容曲线反转的功能
电压
单位：mm包装尺寸（英寸）
阴极indification
0.47最大。 （ 0.019 ）
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
1.25 （ 0.049 ）分
2.0 （ 0.079 ）分
5.0 （ 0.197 ）参考
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录7 - 日期： 07.February.2005
96 12070
文档编号85626
修订版1.2 ， 03 -MAR -06
www.vishay.com
3
LL101A / 101B / 101C
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
4
文档编号85626
修订版1.2 ， 03 -MAR -06
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
www.vishay.com
1
LL101A ， LL101B ， LL101C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
在LL101系列是金属对硅
是受保护的肖特基势垒器件
由一个PN结保护环。
低正向压降和快速
交换使其非常适用于保护
MOS器件，转向，偏置和耦合
二极管，用于快速开关和低逻辑电平
应用程序。
防止静电放电的综合保护环
低电容
低漏电流
这个二极管也是在DO- 35的情况下可用
类型名称SD101A ， B，C和在
SOD-123
例
同
TYPE
称号
SD101AW -V ， SD101BW -V ， SD101CW -V
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
94 9371
机械数据
案例：
MiniMELF SOD- 80
重量：
约。 31毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流魂飞魄散低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
部分
LL101A
LL101B
LL101C
类型分化
V
R
= 60 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 410毫伏
V
R
= 50 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 400毫伏
V
R
= 40 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 390毫伏
订购代码
LL101A - GS18或LL101A - GS08
LL101B - GS18或LL101B - GS08
LL101C - GS18或LL101C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
零件表
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
峰值反向电压
功耗
（无限散热器）
正向连续电流
最大单周期浪涌
10 μs的方波
1)
测试条件
部分
LL101A
LL101B
LL101C
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
P
合计
I
F
I
FSM
价值
60
50
40
400
1)
30
2
单位
V
V
V
mW
mA
A
有效的条件是电极被保持在环境温度
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
文档编号85626
修订版1.3 ， 05 - 8 - 10
LL101A ， LL101B ， LL101C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结温
存储温度范围
热阻结到
环境空气
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
测试条件
符号
T
j
T
英镑
R
thJA
价值
125
- 65至+ 150
320
单位
°C
°C
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10 A
V
R
= 50 V
漏电流
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
I
F
= 1毫安
I
F
= 1毫安
正向电压降
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
二极管电容
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= I
R
= 5毫安，
恢复到0.1 I
R
部分
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
反向恢复时间
符号
V
（ BR ）
V
（ BR ）
V
（ BR ）
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
C
D
t
rr
民
60
50
40
200
200
200
410
400
390
1000
950
900
2.0
2.1
2.2
1
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
pF
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
gll101a_01
gll101a_02
图1.典型。我
F
与V
F
FOR主导电THROUGH THE
肖特基势垒
图2.典型。我
F
结合肖特基barrrier和PN结
保护环
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85626
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LL101A ， LL101B ， LL101C
威世半导体
gll101a_03
gll101a_04
反向电流图3.典型变化的各种
温度
图4.典型电容曲线反转的功能
电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
MiniMELF SOD- 80
阴极indification
*
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
*差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大。
1.25 （ 0.49 ）分。
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
5 （ 0.197 ）参考。
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录
8
- 日期： 07.June.2006
96 12070
文档编号85626
修订版1.3 ， 05 - 8 - 10
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MiniMELF SOD80
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毫米（英寸）
阴极indification
*
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
*差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大。
1.25 （ 0.49 ）分。
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
5 （ 0.197 ）参考。
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- 日期： 07.June.2006
96 12070
文档编号： 84013
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的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
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获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
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文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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