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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第135页 > LL101B
LL101A ， LL101B ， LL101C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
在LL101系列是金属对硅
是受保护的肖特基势垒器件
由一个PN结保护环。
低正向压降和快速
交换使其非常适用于保护
MOS器件，转向，偏置和耦合
二极管，用于快速开关和低逻辑电平
应用程序。
防止静电放电的综合保护环
低电容
低漏电流
这个二极管也是在DO- 35的情况下可用
类型名称SD101A ， B，C和在
SOD-123
例
同
TYPE
称号
SD101AW -V ， SD101BW -V ， SD101CW -V
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
94 9371
机械数据
案例：
MiniMELF SOD- 80
重量：
约。 31毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流魂飞魄散低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
部分
LL101A
LL101B
LL101C
类型分化
V
R
= 60 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 410毫伏
V
R
= 50 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 400毫伏
V
R
= 40 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 390毫伏
订购代码
LL101A - GS18或LL101A - GS08
LL101B - GS18或LL101B - GS08
LL101C - GS18或LL101C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
零件表
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
峰值反向电压
功耗
（无限散热器）
正向连续电流
最大单周期浪涌
10 μs的方波
1)
测试条件
部分
LL101A
LL101B
LL101C
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
P
合计
I
F
I
FSM
价值
60
50
40
400
1)
30
2
单位
V
V
V
mW
mA
A
有效的条件是电极被保持在环境温度
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
文档编号85626
修订版1.3 ， 05 - 8 - 10
LL101A ， LL101B ， LL101C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结温
存储温度范围
热阻结到
环境空气
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
测试条件
符号
T
j
T
英镑
R
thJA
价值
125
- 65至+ 150
320
单位
°C
°C
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10 A
V
R
= 50 V
漏电流
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
I
F
= 1毫安
I
F
= 1毫安
正向电压降
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
二极管电容
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= I
R
= 5毫安，
恢复到0.1 I
R
部分
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
反向恢复时间
符号
V
（ BR ）
V
（ BR ）
V
（ BR ）
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
C
D
t
rr
民
60
50
40
200
200
200
410
400
390
1000
950
900
2.0
2.1
2.2
1
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
pF
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
gll101a_01
gll101a_02
图1.典型。我
F
与V
F
FOR主导电THROUGH THE
肖特基势垒
图2.典型。我
F
结合肖特基barrrier和PN结
保护环
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85626
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.3 ， 05 - 8 - 10
LL101A ， LL101B ， LL101C
威世半导体
gll101a_03
gll101a_04
反向电流图3.典型变化的各种
温度
图4.典型电容曲线反转的功能
电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
MiniMELF SOD- 80
阴极indification
*
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
*差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大。
1.25 （ 0.49 ）分。
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
5 （ 0.197 ）参考。
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录
8
- 日期： 07.June.2006
96 12070
文档编号85626
修订版1.3 ， 05 - 8 - 10
2 （ 0.079 ）分钟。
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
3
法律免责声明
www.vishay.com
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
文档编号： 91000
LL101A ， LL101B ， LL101C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
在LL101系列是金属对硅
是受保护的肖特基势垒器件
由一个PN结保护环。
低正向压降和快速
交换使其非常适用于保护
MOS器件，转向，偏置和耦合
二极管，用于快速开关和低逻辑电平
应用程序。
防止静电放电的综合保护环
低电容
低漏电流
这个二极管也是在DO- 35的情况下可用
类型名称SD101A ， B，C和在
SOD-123
例
同
TYPE
称号
SD101AW -V ， SD101BW -V ， SD101CW -V
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
94 9371
机械数据
案例：
MiniMELF SOD- 80
重量：
约。 31毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流魂飞魄散低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
部分
LL101A
LL101B
LL101C
类型分化
V
R
= 60 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 410毫伏
V
R
= 50 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 400毫伏
V
R
= 40 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 390毫伏
订购代码
LL101A - GS18或LL101A - GS08
LL101B - GS18或LL101B - GS08
LL101C - GS18或LL101C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
零件表
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
峰值反向电压
功耗
（无限散热器）
正向连续电流
最大单周期浪涌
10 μs的方波
1)
测试条件
部分
LL101A
LL101B
LL101C
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
P
合计
I
F
I
FSM
价值
60
50
40
400
1)
30
2
单位
V
V
V
mW
mA
A
有效的条件是电极被保持在环境温度
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
文档编号85626
修订版1.3 ， 05 - 8 - 10
LL101A ， LL101B ， LL101C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结温
存储温度范围
热阻结到
环境空气
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
测试条件
符号
T
j
T
英镑
R
thJA
价值
125
- 65至+ 150
320
单位
°C
°C
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10 A
V
R
= 50 V
漏电流
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
I
F
= 1毫安
I
F
= 1毫安
正向电压降
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
二极管电容
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= I
R
= 5毫安，
恢复到0.1 I
R
部分
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
反向恢复时间
符号
V
（ BR ）
V
（ BR ）
V
（ BR ）
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
C
D
t
rr
民
60
50
40
200
200
200
410
400
390
1000
950
900
2.0
2.1
2.2
1
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
pF
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
gll101a_01
gll101a_02
图1.典型。我
F
与V
F
FOR主导电THROUGH THE
肖特基势垒
图2.典型。我
F
结合肖特基barrrier和PN结
保护环
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85626
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.3 ， 05 - 8 - 10
LL101A ， LL101B ， LL101C
威世半导体
gll101a_03
gll101a_04
反向电流图3.典型变化的各种
温度
图4.典型电容曲线反转的功能
电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
MiniMELF SOD- 80
阴极indification
*
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
*差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大。
1.25 （ 0.49 ）分。
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
5 （ 0.197 ）参考。
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录
8
- 日期： 07.June.2006
96 12070
文档编号85626
修订版1.3 ， 05 - 8 - 10
2 （ 0.079 ）分钟。
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
3
MiniMELF SOD80
威世半导体
包装尺寸
毫米（英寸）
阴极indification
*
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
*差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大。
1.25 （ 0.49 ）分。
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
5 （ 0.197 ）参考。
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录
8
- 日期： 07.June.2006
96 12070
文档编号： 84013
修订版1.3 12 -JAN- 07
如有技术问题，请联系： EMI-filter@vishay.com
2 （ 0.079 ）分钟。
www.vishay.com
21
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
www.vishay.com
1
LL101B ... LL101C
LL101B ... LL101C
表面贴装硅肖特基二极管
硅肖特基Dioden献给死去Oberflchenmontage
版本2010-12-02
额定电流
Nennstrom
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
3.5
TYPE
典型值
15毫安
40...50 V
SOD-80C
0.04g
玻璃柜MiniMELF
Glasgehuse MiniMELF
重量约。
Gewicht约
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
±0.1
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值和特性
TYPE
典型值
LL101C
LL101B
功耗
Verlustleistung
峰值正向浪涌电流， 10 μs的方波脉冲
Stostrom献给einen 10微秒Rechteckimpuls
漏电流，T
j
= 25°C
Sperrstrom ，T
j
= 25°C
LL101C
LL101B
LL101A
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
40
50
0.3
0.3
Grenz- UND Kennwerte
正向电压
Durchlass - Spannung
V
F
[V] /余
F
= 1毫安
V
F
[V] /余
F
= 15毫安
< 0.39
＆ LT ; 0.4
< 0.9
< 0.95
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
V
R
= 30 V
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
P
合计
I
FSM
I
R
I
R
I
R
C
j
t
rr
T
j
400毫瓦
1
)
2A
< 200 nA的
< 200 nA的
< 200 nA的
2.2 pF的
TYP 。 1纳秒
-55...+200°C
-55…+200°C
<300 K / W
1
)
马克斯。结电容 - 马克斯。 Sperrschichtkapazitt
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
反向恢复时间 - Sperrverzug
I
F
= 5 mA通/尤伯杯我
R
= 5 mA至我
R
- 0.5毫安
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结 - 环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
T
S
R
THA
1
有效的，如果终端被保持在环境温度
Gültig ，德恩死Anschlüsse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BL
特点
银河电子
LL101A -
- -
LL101C
电压范围： 60 - 40 V
电源DIDDIPATION ：
400毫瓦
肖特基势垒整流器
小型晶圆电阻
◇
对于一般用途的应用
◇
低正向压降和快速开关
标记非常适合保护MOS器件，转向，
偏置和couping二极管开关速度快和低
逻辑电平的应用。
◇
防止静电放电的综合保护环
◇
低漏电流
3.4
+0.3
-0.1
0.4±0.1
φ
.5±0.1
1
阴极indification
机械数据
◇
案例：
小型晶圆电阻
◇
极性：颜色频带为负极
◇
重量：约0.031克
最大额定值和电气特性
在25℃时的收视率，环境温度，除非另有规定。
绝对最大额定值和热阻
LL101A
反向电压
反向重复峰值电压
正向电流
最大单周期浪涌10
s
方波
功耗
热阻结到环境
结温
存储温度范围
1)
LL101B
50
50
30
2.0
400
320
1)
125
- 55 --- + 150
LL101C
40
40
单位
V
V
mA
A
mW
K / W
℃
℃
V
R
V
RRM
I
（AV）
I
FSM
P
合计
R
θJA
T
j
T
英镑
60
60
设备安装在PC
板
50mm×50mm×1.6mm
.
www.galaxycn.com
文档编号0265014
BL
银河电子
1.
电气特性
参数
正向电压
I
F
=1mA
I
F
=1mA
I
F
=1mA
I
F
=15mA
I
F
=15mA
I
F
=15mA
反向电流
V
R
=50V
V
R
=40V
V
R
=30V
击穿电压
I
R
=10A
测试条件
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
符号
民
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.41
0.40
0.39
1.00
0.95
0.90
200
200
200
-
-
-
2.0
2.1
2.2
1.0
单位
V
F
-
-
-
-
-
V
I
R
-
-
60
nA
V
（ BR ）
50
40
-
V
二极管电容
V
R
=0,f=1MH
Z
LL101A
LL101B
LL101C
C
D
-
-
pF
反向恢复时间
I
F
=I
R
= 5毫安，恢复到0.1i
R
t
rr
-
ns
www.galaxycn.com
文档编号0265014
BL
银河电子
2.
收视率和特性曲线
图1 -
TYP.IF VS FOR主导电
通过肖特基BARRIES
LL101A - - - LL101C
图2 - TYP.IF
结合肖特基
障碍与PN结保护环
图3 -
反转的典型变化
电流在不同温度下
图4 -
典型电容曲线
反向电压的函数
www.galaxycn.com
文档编号0265014
BL
银河电子
3.
LL101A ... LL101C
LL101A ... LL101C
表面贴装硅肖特基二极管
硅肖特基Dioden献给死去Oberflchenmontage
Version 2006-04-27
额定电流
Nennstrom
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
3.5
±0.1
TYPE
典型值
15毫安
40...60 V
SOD-80C
0.04g
玻璃柜MiniMELF
Glasgehuse MiniMELF
重量约。
Gewicht约
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值和特性
TYPE
典型值
LL101C
LL101B
LL101A
功耗
Verlustleistung
峰值正向浪涌电流， 10 μs的方波脉冲
Stostrom献给einen 10微秒Rechteckimpuls
漏电流，T
j
= 25°C
Sperrstrom ，T
j
= 25°C
LL101C
LL101B
LL101A
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
40
50
60
0.3
0.3
Grenz- UND Kennwerte
正向电压
Durchlass - Spannung
V
F
[V] /余
F
= 1毫安
V
F
[V] /余
F
= 15毫安
< 0.39
＆ LT ; 0.4
< 0.41
< 0.9
< 0.95
<1
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
V
R
= 30 V
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
P
合计
I
FSM
I
R
I
R
I
R
C
j
t
rr
T
j
400毫瓦
1
)
2A
< 200 nA的
< 200 nA的
< 200 nA的
2.2 pF的
TYP 。 1纳秒
-55...+200°C
-55…+200°C
<300 K / W
1
)
马克斯。结电容 - 马克斯。 Sperrschichtkapazitt
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
反向恢复时间 - Sperrverzug
I
F
= 5 mA通/尤伯杯我
R
= 5 mA至我
R
- 0.5毫安
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结 - 环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
T
S
R
THA
1
有效的，如果终端被保持在环境温度
Gültig ，德恩死Anschlüsse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
LL101A - LL101C
产品特点：
对于一般用途的应用
在LL101系列是金属 - 硅肖特基
这是由一个PN结的保护挡板装置
保护环。
低正向压降和快速开关
使其非常适用于保护MOS器件，
转向，偏置和耦合二极管快速
开关和低逻辑电平的应用程序。
这个二极管也是在DO- 35的情况下可用
型号命名SD101A ， B，C
无铅/符合RoHS免费
肖特基势垒二极管
MiniMELF （ SOD -80C ）
阴极标记
φ
0.063 (1.64)
0.055 (1.40)
0.019(0.48)
0.011(0.28)
0.142(3.6)
0.134(3.4)
贴装焊盘布局
0.098 (2.50)
马克斯。
0.049 （ 1.25 ）最低。
机械数据：
案例：
MiniMELF玻璃柜（ SOD -80C ）
重量：
约。 0.05克
0.197 (5.00)
REF
0.079 （ 2.00 ）最低。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和热特性
（评级为
参数
反向重复峰值电压
最大单周期浪涌10μs的方波
功率耗散（无限散热器）
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
注：（1 ）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。
25
°
C环境温度，除非另有规定。 ）
符号
LL101A
LL101B
LL101C
V
RRM
I
FSM
P
D
R
θ
JA
T
J
T
S
价值
60
50
40
2
400
300
125
(1)
(1)
(1)
(1)
单位
V
A
mW
° C / W
°C
°C
-55到+ 150
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向击穿电压
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
符号
V
（ BR ）R
测试条件
I
R
= 10
A
V
R
= 50 V
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
I
F
= 1毫安
反向电流
I
R
正向电压降
V
F
I
F
= 15毫安
TRR
I
F
= I
R
= 5毫安，
恢复到0.1I
R
民
60
50
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
10
10
10
0.41
0.40
0.39
1.00
0.95
0.90
1.0
单位
V
A
V
反向恢复时间
第1页2
ns
启示录02 ： 2005年3月24日
额定值和特性曲线（ LL101A - LL101C ）
正向电流的典型变化
和正向电压对初级传导
通过肖特基势垒
10
LL101C
典型的正向传导曲线
结合肖特基势垒
和PN结保护环
100
LL101A
LL101B
5
正向电流，I
F
（MA ）
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
0.5
LL101A
LL101B
正向电流，I
F
（MA ）
80
LL101C
60
40
20
0
1
0
0.5
正向电压，V
F
(V)
1
正向电压，V
F
(V)
典型的电容曲线为
反向电压的函数
反向电流的典型变化
在不同温度
2
TJ = 25
°
C
100
50
20
TA = 125
°
C
反向电流，I
R
(
A)
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
TA = 25
°
C
二极管电容，镉（PF ）
LL101B
LL101C
1
LL101A
0.41
0
0
10
20
30
40
50
反向电压， V
R
(V)
0.01
0
10
20
30
40
50
反向电压， V
R
(V)
第2页2
启示录02 ： 2005年3月24日
LL101A / 101B / 101C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
在LL101系列是金属对硅
是受保护的肖特基势垒器件
e2
由一个PN结保护环。
低正向压降和快速
交换使其非常适用于保护MOS管
装置，转向装置，偏置和耦合二极管
快速开关和低逻辑电平的应用。
防止静电放电的综合保护环
低电容
低漏电流
这个二极管也可在DO35例
类型名称SD101A ， B，C和在
SOD123例类型指定SD101AW ，
SD101BW ， SD101CW 。
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
94 9371
机械数据
案例：
MiniMELF玻璃外壳（ SOD80 ）
重量：
约。 31毫克
阴极带颜色：黑色
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流魂飞魄散低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
零件表
部分
LL101A
LL101B
LL101C
类型分化
V
R
= 60 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 410毫伏
V
R
= 50 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 400毫伏
V
R
= 40 V, V
F
在我
F
最大1 mA的电流。 390毫伏
订购代码
LL101A - GS18或LL101A - GS08
LL101B - GS18或LL101B - GS08
LL101C - GS18或LL101C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
峰值反向电压
测试条件
部分
LL101A
LL101B
LL101C
功耗
（无限散热器）
正向连续电流
最大单周期浪涌
10 μs的方波
1)
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
P
合计
I
F
I
FSM
价值
60
50
40
400
1)
30
2
单位
V
V
V
mW
mA
A
有效的条件是电极被保持在环境温度
www.vishay.com
1
文档编号85626
修订版1.2 ， 03 -MAR -06
LL101A / 101B / 101C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结温
存储温度范围
结到环境空气
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
测试条件
符号
T
j
T
英镑
R
thJA
价值
125
- 65至+ 150
320
单位
°C
°C
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10 A
部分
LL101A
LL101B
LL101C
漏电流
V
R
= 50 V
V
R
= 50V
V
R
= 50 V
正向电压降
I
F
= 1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
二极管电容
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
反向恢复时间
I
F
= I
R
= 5毫安，
恢复到0.1 I
R
LL101A
LL101B
LL101C
符号
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
C
D
t
rr
民
60
50
40
200
200
200
410
400
390
1000
950
900
2.0
2.1
2.2
1
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
pF
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
gll101a_01
gll101a_02
图1.典型。我
F
与V
F
FOR主导电THROUGH THE
肖特基势垒
图2.典型。我
F
结合肖特基barrrier和PN结
保护环
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2
文档编号85626
修订版1.2 ， 03 -MAR -06
LL101A / 101B / 101C
威世半导体
gll101a_03
gll101a_04
反向电流图3.典型变化的各种
温度
图4.典型电容曲线反转的功能
电压
单位：mm包装尺寸（英寸）
阴极indification
0.47最大。 （ 0.019 ）
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
1.25 （ 0.049 ）分
2.0 （ 0.079 ）分
5.0 （ 0.197 ）参考
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录7 - 日期： 07.February.2005
96 12070
文档编号85626
修订版1.2 ， 03 -MAR -06
www.vishay.com
3
LL101A / 101B / 101C
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
4
文档编号85626
修订版1.2 ， 03 -MAR -06
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
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1
LL 101A ... LL 101C
Silizium -肖特基Dioden
献给死去Oberflchenmontage
15毫安
40…60 V
SOD 80
DO-213AA
0.05 g
参见第18页
世赫页首18
表面贴装硅肖特基势垒二极管
额定电流
Nennstrom
0.3
±0.1
1.45
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
玻璃柜MiniMELF
Glasgehuse MiniMELF
重量约。 - Gewicht约
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
3.5
TYPE
±0.1
尺寸/集体单位为毫米
最大额定值和特性
TYPE
典型值
LL 101C
LL 101B
LL 101A
反向重复峰值电压
期。 Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
40
50
60
0.3
±0.1
Grenz- UND Kennwerte
正向电压
Durchlaspannung
V
F
[V] /余
F
= 1毫安
V
F
[V] /余
F
= 15毫安
< 0.39
＆ LT ; 0.4
< 0.41
T
A
= 25
/
C
T
A
= 25
/
C
V
R
= 30 V
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
P
合计
I
FSM
I
R
I
R
I
R
C
合计
t
rr
T
j
T
S
R
THA
< 0.9
< 0.95
<1
400毫瓦
1
)
2A
< 200 nA的
< 200 nA的
< 200 nA的
< 2.2 pF的
TYP 。 1纳秒
+200
/
C
- 55...+200
/
C
＆ LT ; 300 K / W
1
)
功耗 - Verlustleistung
峰值正向浪涌电流， 10
:
s方波
Stostrom献给einen 10
:
s Rechteckimpuls
漏电流，T
j
= 25
/
C
Sperrstrom
结电容
Sperrschichtkapazitt
反向恢复时间
Sperrverzug
LL101C
LL101B
LL101A
V
R
= 0 V
I
F
= 5 mA通/尤伯杯
I
R
= 5 A到/奥夫我
R
- 0.5毫安
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
1
)
有效的条件是端子被保持在环境温度
Gültig德恩Anschlüsse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
01.10.2002
166
LL101A THRU LL101C
肖特基二极管
MiniMELF
特点
对于一般用途的应用。
该LL101系列是金属对硅
.063 (1.6)
.055 (1.4)
阴极标记
.142 (3.6)
.134 (3.4)
.019 (0.48)
.011 (0.28)
是受保护的肖特基势垒器件
由一个PN结保护环。低正向
压降和快速开关使其非常适合
为保护MOS器件，转向，偏置
和耦合二极管，用于快速开关和低逻辑
级应用。
此二极管也是在DO-35的情况下与式可用
指定SD101A ，B，C ，并在SOD- 123的情况下
同类型指定SD101AW ， SD101BW ， SD101CW 。
尺寸以英寸（毫米）
机械数据
案例：
MiniMELF玻璃外壳（ SOD- 80 ）
重量：
约。 0.05克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
峰值反向电压
LL101A
LL101B
LL101C
V
RRM
V
RRM
V
RRM
P
合计
I
FSM
T
j
T
S
价值
60
50
40
400
1)
2
125
-55到+150
单位
V
V
V
mW
A
°C
°C
功率耗散（无限散热器）
马克斯。单周期浪涌
10
s
方波
结温
存储温度范围
1)
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
4/98
LL101A THRU LL101C
电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
反向击穿电压
在我
R
= 10
A
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
LL101A
LL101B
LL101C
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
合计
C
合计
C
合计
t
rr
分钟。
60
50
40
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
马克斯。
–
–
–
200
200
200
0.41
0.4
0.39
1
0.95
0.9
2.0
2.1
2.2
1
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
ns
漏电流
在V
R
= 50 V
在V
R
= 40 V
在V
R
= 30 V
正向电压降
在我
F
= 1毫安
在我
F
= 15毫安
结电容
在V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
反向恢复时间
在我
F
= I
R
= 5毫安，恢复到0.1 I
R
额定值和特性曲线LL101A THRU LL101C
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