polyfet射频器件
LK822
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适合Militry收音机，
移动和寻呼放大器基地
站，广播FM / AM ， MRI ，
激光驱动器等。
"Polyfet"工艺特点
较低的反馈和输出电容
导致高F音
t
晶体管高
输入阻抗和高效率。
TM
硅栅增强型
RF功率LDMOS晶体管
40.0瓦推 - 拉
包装样式AK
高效率，线性
高增益，低噪声
o
绝对最大额定值（T = 25℃ ）
总
设备
耗散
140瓦
结到
热病例
阻力
o
1.10 C / W
最大
连接点
温度
o
200 C
存储
温度
o
o
-65 ℃150℃
直流漏
当前
漏
门
电压
36 V
漏
来源
电压
36 V
大门
来源
电压
20 V
14.0 A
射频特性（
符号
全球定位系统
参数
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
民
12
55
典型值
40.0瓦的输出）
最大
单位
dB
%
20:1
测试条件
IDQ = 1.60 A， VDS =
12.5
V，F =
IDQ = 1.60 A， VDS =
12.5
V，F =
400
兆赫
400
兆赫
η
VSWR
相对IDQ = 1.60 A， VDS =
12.5
V，F =
400
兆赫
电气特性（每边）
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
参数
漏极耐压
零偏置漏电流
栅极漏电流
栅极偏置的漏电流
正向跨导
饱和电阻
饱和电流
共源输入电容
共源反馈电容
共源输出电容
1
2.0
0.40
15.00
66.0
4.0
48.0
民
36
2.0
1
7
典型值
最大
单位
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
测试条件
IDS =
0.20毫安， VGS = 0V
VDS = 12.5 V， VGS = 0V
VDS = 0V VGS = 30V
IDS = 0.20 A， VGS = Vds的
VDS = 10V ， VGS = 5V
VGS = 20V ， IDS = 6.00
VGS = 20V ， VDS = 10V
VDS = 12.5的Vgs = 0V ，F = 1 MHz的
VDS = 12.5的Vgs = 0V ，F = 1 MHz的
VDS = 12.5的Vgs = 0V ，F = 1 MHz的
polyfet射频器件
修订2001年3月8日
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
LK822
POUT VS PIN GRAPH
LK822 POUT VS引脚F = 400MHZ ， IDQ = 1.6A ， VDS = 12.5V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.5
1
PIN （瓦）
1.5
2
噘
电容VS电压
L2C 2DIE电容
22.00
21.00
20.00
19.00
18.00
17.00
16.00
15.00
100
1000
西塞
CRSS
10
科斯
效率 - 60 ％
14.00
13.00
12.00
11.00
10.00
2.5
收益
1
0
2
4
6
8
10
12
14
以伏VDS
IV曲线
2 L2C DICE IV
16
14
100
ID & GM VS VGS
L2C 2死
ID ，通用VS VG
ID
12
10
ID为安培
10
8
6
1
GM
4
2
0
0
2
vg=2v
4
6
Vg=4v
8
10
12
以伏VDS
Vg=6v
vg=8v
14
vg=10v
16
18
vg=12v
20
0.1
0
2
4
6
8
10
12
14
VGS的电压
S11 & S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
polyfet射频器件
修订2001年3月8日
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
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