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P
RODUCT
S
PECIFICATIONS
集成电路集团
LH28F160BJHE-TTL90
16M (1M × 16/2M × 8)
(型号: LHF16J04 )
FL灰内存
规范编号: EL11X036
发行日期: 1999年11月11日
SliARP
LHF16504
升小心处理这个文件中所包含的材料受国际版权法保护。
禁止任何复制,全本材料的或部分未经明确的书面
该公司的许可。
l当使用本文中所涵盖的产品,请注意这里写的条件和
注意事项以下段落所述。在任何情况下,本公司对任何法律责任
从失败造成的损失要严格遵守这些条件和注意事项。
( 1 )所涉及的产品中,设计和制造用于下列应用
区。当使用本文中所涵盖的第( 2 )所列设备的产品,
甚至对于以下应用领域,一定要遵守的注意事项,
第( 2 ) 。不要使用产品的第( 3 )所列设备。
*办公电子设备
aInstrumentation和测量设备
@Machinetools
*视听设备
*家电
升Com'munication设备比干线等
(2)利用覆盖这里为以下设备的产品的那些考虑这
要求hiuh reliabilitv ,应先联系销售代表的公司,然后
承担责任的incorporatin , 0到设计故障安全操作,冗余和
其他适当的措施,以确保在设备和的可靠性和安全性
整个系统。
用于飞机,火车,汽车和其他@Control和安全装置
交通运输设备
*计算机主机
@Traffic控制系统
*燃气泄漏探测器和自动切断装置
*救援和安全设备“
aOther安全设备和安全设备等。
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极高oerformance中的功能性,可靠性,或准确性方面。
aAerospace设备
*通信设备干线
*控制设备,核电行业
*与生命保障等医疗设备
( 4 )请直接将疑问和评论regardin , 0上述三项的解释
段落销售代表的公司。
升请直接将查询regardin , 0这里涉及到一个销售代表的产品
公司。
修订版1.15
SHARP
LHFl6504
1
目录
页面
简介..
............................................................ 3
5设计考虑
页面
....................................... 25
1.1特性................................................ ........................ 3
1.2产品概述............................................. .. .......... 3
1.3产品说明............................................. .. ...... 0.4
1.3.1封装引脚............................................. ......... 0.4
1.3.2组织块.. ........................................... 4 ....
操作原理.. ...................................... 7
2.1数据保护............................................. .. ............. 0.8
总线操作................................................ ............ 8
3.1阅读................................................ .............................. 8
3.2输出禁止............................................... ............... 8
3.3备用.. .............................................. ......................... 8
3.4复位................................................ ............................. 8
3.5读取识别码.. ............................................ .... 0.9
3.6写.. .............................................. ............................ 0.9
命令
释义
............................................. 9
5.1三线输出控制........................................ 25
5.2 RY / BY #和WSM投票....................................... 25
5.3电源去耦......................................... 25
5.4 Vccw跟踪印刷电路板..................... 25
5.5 V ,, 。 vccw 。
RP #转换.................................... 25
保护.. ..................................... 26
5.6上电/下
5.7功耗............................................... ....... 26
5.8数据保护法............................................. 26
6电气
特定网络阳离子
................................ 27
6.1绝对最大额定值.. .................................... 27
6.2工作条件............................................... .. 27
6.2.1电容.............................................. ............ 27
6.2.2 AC输入/输出测试条件.. ...................... 28
6.2.3直流特性............................................. .. 29
6.2.4交流特性 - 只读操作........ 31
6.2.5交流特性 - 写操作................ 34
6.2.6替代CE# -Controlled写...................... 36
6.2.7复位操作............................................. ..... 38
6.2.8块擦除。整片擦除,字/字节写和
锁定位配置性能................. 39
7包
和包装规格
.......... 40
4.1读阵列命令.. ............................................ .. 12
4.2读取识别码命令............................... 12
4.3读状态寄存器命令.. ............................... 12
4.4清除状态寄存器命令.. ............................... 12
4.5块擦除命令.. ............................................ 13
4.6整片擦除命令......................................... 13
4.7字/字节写命令.. ..................................... 13
4.8块擦除挂起命令................................ I4
4.9字/字节写入暂停命令.. ...................... 14
4.10设置Block和永久船闸位命令.. ....... I5
4.1 1块清除锁定位命令............................ 15
4.12块锁定在WP # ...................................... 16
修订版1.25
LI- IFI 6504
2
LH28F 160BJHE - TTL90
IGM - BIT ( X16为1Mbit / 2Mbit的
x8
)
BOOT BLOCK FLASH MEMORY
n
n
n
n
I
低电压操作
- V ,, = V ( -cw -L 。
- “ 7V - 3.6V单电压
用户可配置
高性能
-
H
X8或x 16的操作
读取时间
n
-
-
增强的自动暂停选项
-
字/字节写入暂停阅读
块擦除挂起到Word /字节写
块擦除挂起阅读
90ns(Vcc=2.7V-3.6V)
增强的数据保护功能
-
绝对保护与VCCWIVCCWLK
-
-
-
块擦除,整片擦除,字/字节写和
锁定位配置锁定在电源
TRANSITIONS
块锁定与指挥WP #
永久锁固
工作温度
- -40 ° C至
+85”C
低功耗管理
-
典型值。为2uA (V ,, = 3 , OV )待机电流
自动节能模式减小ICCR在
静态模式
典型值。 120pA (V ,, = 3.OV ,T = + 25 “C , F = 32kHz时)
读电流
-
-
n
自动块擦除,整片擦除,
字/字节写和锁定位配置
-
命令的用户界面( CUB
-
状态寄存器( SR )
n
-
-
-
优化阵列无阻塞架构
-
两个4K字( 8K字节)引导块
六4K字( 8K字节)参数块
三十一32K字( 64K字节)主块
顶级位置启动
n
n
n
SRAM兼容
行业标准
-
G-引脚TSOP
ETOXTkt *
写接口
包装
闪存技术
非易失性
n
扩展循环能力
-
最低100000块擦除周期
W CMOS
w
过程( P型硅衬底)
硬化
没有设计或额定作为辐射
iHARP的LH28F160BJHE - TTL90
韦迪的应用范围。
闪速存储器是一种高密度。低成本。非易失性的,读了/写存储解决方案
,H28F160BJHE-TTL90
可以在V操作,, = 2.7V - 3.6V
和VC- w-- 。 -3 TV- 3.6V或11.7V - 12.3V 。它的低电压操作
: apability实现电池寿命和西服的手机应用程序。
TS启动,参数和主封结构,低电压和延长循环提供高度柔性的组成部分
uitable用于便携式终端和个人计算机。其增强的暂停功能,提供了代码的理想解决方案
- 数据存储应用。
:或安全代码存储应用,如网络,其中代码被直接执行的总分闪光或下载到
IRAM ,在LH28F160BJHE - TTL90
提供了四个级别的保护:带VccwlVc - WLK绝对的保护,
选择
oive
lardware块锁定或灵活的软件模块锁定。他们的代码,这些替代品设计师最终控制权
ecurity需求。
他LH28F160BJHE - 'ITL90
制造夏普的下午12时25 ETOXT “ *
TANDARD包: 4 %的铅TSOP ,非常适合电路板受限的应用。
ETOX是Intel Corporation的注册商标。
工艺技术。它进来业界
修订版1.25
SHARP
LHF16504
3
1
1引言
数据表
LH28F160BJHE-T-IL90
包含
规格。部1提供的闪速存储器
概述。部分2. 3.图4和5描述了存储器
组织和功能。第6节涵盖了电气
特定连接的阳离子。
块擦除操作擦除设备的32K-之一
字/ 6JK字节以内1.2秒( 3V VCC。 3V典型的块
0.6S内通常块( 3V
V CCW) 。 JK字/ 8K字节
V ,, 。 3V Vccw )独立于其他块。每块
可独立擦除的最小100,000次。
块擦除挂起模式允许系统软件
暂停块擦除从任何其它读取或写入数据
块。
写入内存中的数据是字/字节进行
该设备的32K字块通常为增量
在33 S( 3V V ,, 。 3V Vccw ) 。 6JK字节块
通常在31 S( 3V V ,, 。 3V Vccw ) 。 4K字
在36 S( 3V VCC。 3V V ,,, )通常块,
8K-
通常在32 S( 3V VCC。 3V Vccw )字节的块。
字/字节写操作挂起模式使系统能够读取
数据或任何其他闪存阵列执行代码
位置。
个别块锁定使用位的组合,第三十
9块锁定位。一个永久锁定位和WP #引脚。对
锁定和解锁块。块锁定位闸块擦除。
整片擦除和字/字节写操作。而
永久锁定位肉糜块锁定位的修改和
锁定
交替。
锁位
CON组fi guration
操作(设置块锁定位,设置永久船闸位
和清除块锁定位命令)设置和清除
锁位。
状态寄存器指示时, WSM的块擦除,
富力芯片擦除。字/字节写入或锁定位配置
操作完成。
该RY / BY #输出给WSM的附加指标
通过同时提供硬件的状态信号活动
(相对于软件轮询)和状态屏蔽(中断
为背景的块擦除掩码,例如) 。状态
用RY / BY #投票既减少了CPU开销和
系统的功耗。当低, RY / BY #指示
该WSM正在执行块擦除。整片擦除。
字/字节写入或锁定位配置。 RY / BY # - 高
表明WSIM是准备一个新的命令。
块擦除暂停(和字/字节写操作
未激活) ,字/字节写操作挂起。或设备处于
复位模式。
1.1特性
LH28F16OBJHE - TTL90的主要增强功能
快闪记忆体是:
Gingle低电压操作
*低功耗
*增强的挂起功能
升引导块架构
请注意以下事项:
BOOT BLOCK
l
VCCWLK
已降至l.OV支持2.7V
3.6V块擦除。整片擦除。字/字节写和
锁位的配置操作。该Vccw电压
转换到GND推荐的设计,
在读操作期间切换Vccw关闭。
1.2产品概述
该LH28F160BJHE - TTL90是一个高性能16M-
组织为16 LM-字AIT引导块闪存
AITS或8位2M字节。在LM-字/ 2M字节
的数据是
U-介于两个4K字/ SK-字节
引导块,六4K-
字/ 8K字节的参数块和31 32K-
vord/64K-byte
那些单独是主要模块
: rasable ,可锁定和解锁的系统。内存
盹示于图3 。
IHE专用V CCW引脚提供全面的数据保护
vhen V CCW'VCCWLK 。
4命令的用户界面( CUD作为接口
jetween的系统处理器和内部操作
ievice 。写到崔有效的命令序列
nitiates设备的自动化。内部写状态
vlachine ( WSM )自动执行的算法
必要的块擦除,整片擦除MD计时。
vord /字节写和锁定位的配置操作。
修订版1.25
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