CMOS 4M （ 256
×
16 ）伪静态RAM
LH5PV16256
真值表
CE
CS
RFSH
OE
UWE
LWE
模式
I / O
0 - 7
I / O8 - 15
L
H
H
L
H
H
H
L
H
L
H
X
X
X
写
字读
低字节写入
高字节写
字写
无效
自动刷新
CS待机
待机
输出数据
输入数据
不在乎
输入数据
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
输出数据
不在乎
输入数据
输入数据
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
L
H
H
X
L
L
H
H
L
H
X
L
X
L
H
H
X
X
X
X
X
X
注意事项：
H = HIGH
L =低
X =无关
需求
2WE控制
请不要在同一个写周期分开UWE和LWE手术时机故意。每个
西英格兰大学/ LWE应分别满足时序规范。
后自刷新或数据保持方式刷新
如果地址的刷新是在正常读/写周期中使用，所述第一地址刷新必须在被执行
15
s
后自刷新或数据保留模式结束，并且地址刷新必须连续执行
2048刷新周期。
如果分布式自动刷新是在正常读/写周期中使用，所述第一自动刷新，必须在被执行
15
s
后自刷新或数据保持方式结束。
如果突发自动刷新是在正常读/写周期中使用，所述第一自动刷新，必须在被执行
15
s
后自刷新或数据保留模式结束，并且自动刷新，必须连续执行
2048刷新周期。
旁路电容供电降噪
因为一个PSRAM的动态操作类似的DRAM ，则建议把V之间的旁路电容
CC
和GND以吸收电源噪声引起的峰值电流。
3
LH5PV16256
CMOS 4M （ 256
×
16 ）伪静态RAM
绝对最大额定值
参数
符号
等级
单位
记
电源电压
输出短路电流
功耗
工作温度
储存温度
V
T
I
O
P
D
T
OPR
T
英镑
-0.5到+4.6
50
600
0至+70
-65到+150
V
mA
mW
°C
°C
1
注意：
1.相对于GND的任何引脚上的最大适用电压。
推荐工作条件（T
A
= 0至+ 70 ° C）
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
电源电压
输入电压
V
CC
GND
V
IH
V
IL
2.85
0
2.0
-0.3
3.0
0
3.15
0
V
CC
+ 0.3
0.8
V
V
V
V
1
1
注意：
1.所有V电源电压
CC
销必须在同一水平上。与所有GND引脚的电源电压必须在相同的水平。
引脚电容（T
A
= 0至+ 70 ° C，F = 1MHz时， V
CC
= 3.0 V
±
0.15 V)
参数
条件
符号
分钟。
马克斯。
单位
A
0
- A
17
输入电容
西英格兰大学， LWE
OE ， RFSH
CE， CS
输入/输出电容
I / O
0
- I / O
15
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
OUT1
8
8
8
10
pF
pF
pF
pF
DC电气特性（T
A
= 0至+ 70℃ ，V
CC
= 3.0 V
±
0.15 V)
参数
符号
条件
分钟。
马克斯。
单位
记
在正常运行工作电流
待机电流
I
CC1
I
CC2
的tRC = T
RC
（分）
CE， RFSH = V
IH
（分）
CE， RFSH = V
CC
- 0.2 V
CE = V
IH
（分）
RFSH = V
IL
（ MAX 。 ）
CE = V
CC
- 0.2 V,
RFSH = 0.2 V
0 V
≤
V
IN
≤
6.5 V
0 V上的所有其他引脚
0 V
≤
V
OUT
≤
V
CC
+ 0.3 V
输入/输出引脚高阻
状态
I
OUT
= -1毫安
I
OUT
= -100
A
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 100
A
-10
-10
2.4
V
CC
- 0.2
2.2
40
1
30
1
70
10
10
0.4
0.2
3.15
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
1, 2
1
1
1
1
自刷新的平均电流
I
CC3
输入漏电流
输出漏电流
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
V
R
输出高电压
输出低电压
数据保持电压
注意事项：
1.输入/输出引脚处于高阻抗状态。
2. I
CC1
取决于循环时间。
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