【LH5P832特点32,768×8位组织访问时间： 100/120纳秒（ MAX 。）周期时间：一】,IC型号LH5P832,LH5P832 PDF资料,LH5P832经销商,ic,电子元器件-51电子网

LH5P832

特点

32,768

×

8位组织

访问时间： 100/120纳秒（ MAX 。）

周期时间：一百九十零分之一百六十NS （ MIN 。）

功耗：

操作： 357.5 / 303毫瓦

待机： 16.5毫瓦

TTL兼容的I / O

256刷新周期/ 4毫秒

自动刷新由内部执行

计数器（ OE控制/ RFSH引脚）

自刷新是由内部计时器执行

采用+5 V单电源

包：

28引脚， 600密耳DIP

28引脚， 300mil的SK- DIP

28引脚， 450万SOP

描述

该LH5P832是256K位伪静态RAM或 -

ganized为32,768

×

8位。它是使用sili-制造

CON-栅CMOS工艺技术。

该LH5P832使用便捷的片上刷新税务局局长

cuitry与伪静态DRAM存储单元

操作。这简化了外部时钟输入，而

提供同样简单，非复用引脚排列

行业标准的SRAM 。此外，由于功能

PSRAMs和SRAM的，很多的相似之处tional

32K

×

8 SRAM套接字可以填充有LH5P832

很少或没有改变。其优点是成本

节余的成本较低PSRAM 。

CMOS 256K （ 32K

×

8 ）伪静态RAM

该LH5P832 PSRAM具有填补空白的能力

DRAM和SRAM通过提供低成本的，低

备用电源，以及一个简单的界面。

提供了用于刷新控制的三种方法

最大的多功能性。 A' CE-只有“刷新周期重

freshes存储器单元的被寻址的行包括透明

ently 。所有的256行必须刷新或每访问

4毫秒。 “自动刷新”自动循环

通过对每一个OE / RFSH时钟脉冲的不同的行，

完成该行刷新而不需要

供应行地址到外部。 “自刷新”进一步

简化消除了对刷新要求

需要进行地址输入，时钟脉冲完全。一

自动定时检测的时间段时，内存

访问已经停止，并提供所有的完全刷新

行存储，无需任何外部援助。

引脚连接

28引脚DIP

28 -PIN SK -DIP

28引脚SOP

A

14

A

12

A

7

A

6

A

5

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

I / O

1

I / O

2

I / O

3

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

V

CC

读/写

A

13

A

8

A

9

A

11

OE / RFSH

A

10

CE

I / O

8

I / O

7

I / O

6

I / O

5

I / O

4

5P832-1

顶视图

对于DIP图1.引脚连接， SK- DIP ，

和SOP封装

1

LH5P832

CMOS 256K （ 32K

×

8 ）伪静态RAM

14 GND

28 V

CC

A

14

1

A

13

26

A

12

2

A

11

23

A

10

21

A

9

24

A

8

25

A

7

3

A

6

4

A

5

A

4

6

A

3

7

A

2

8

A

1

9

A

0

10

ROW

地址

卜FF器

EXT / INT

地址

MUX

ROW

解码器

SENSE

安培

COLUMN

地址

卜FF器

V

BB

BIAS发生器

COLUMN

解码器

I / O

选择器

数据

IN

卜FF器

11 I / O

1

12 I / O

2

13 I / O

3

15 I / O

4

16 I / O

5

17 I / O

6

刷新

地址

计数器

内存

ARRAY

256行

128列

数据

OUT

卜FF器

18 I / O

7

19 I / O

8

CE 20

时钟

发电机

自动刷新

调节器

OE /

RFSH

自刷新

定时器

22

R / W 27

5P832-2

图2. LH5P832框图

引脚说明

信号

引脚名称

信号

引脚名称

读/写

OE / RFSH

I / O

1

- I / O

8

A

0

- A

7

读/写输入

输出使能/输入刷新

数据输入和输出

行地址输入

A

8

- A

14

CE

V

CC

GND

列地址输入

芯片使能输入

电源

地

真值表

CE

读/写

OE / RFSH

模式

I / O

1

- I / O

8

I

CC

记

L

H

注意事项：

1. X = H或L

L

H

X

L

H

L

H

写

读

CE-只刷新

自动刷新

自刷新

待机

DATA IN

数据输出

高-Z

工作（我

CC1

)

工作（我

CC1

)

工作（我

CC1

)

工作（我

CC1

)

自刷新（我

CC3

)

待机（我

CC2

)

1

1, 2

1, 3

1

2. OE脉宽< 8

s

3. OE脉宽

≥

8

s

2

CMOS 256K （ 32K

×

8 ）伪静态RAM

LH5P832

绝对最大额定值

参数

符号

等级

单位

记

任意引脚上施加的电压

输出短路电流

功耗

工作温度

储存温度

注意：

1.参照GND

V

T

I

O

P

D

TOPR

TSTG

-1.0到+7.0

50

600

0至+70

-55到+150

V

mA

mW

°C

1

推荐工作条件（T

A

= 0至+ 70 ° C）

参数

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

电源电压

输入电压

V

CC

V

IH

V

IL

4.5

2.4

-1.0

5.0

5.5

V

CC

+ 0.3

+0.8

V

电容（ V

CC

= 5.0 V

±10%,

T

A

= 0至+ 70℃中，f = 1 MHz）的

参数

条件

符号

分钟。

马克斯。

单位

输入电容

输入/输出电容

A

0

- A

14

中，R / W的

CE ， OE / RFSH

I / O

1

- I / O

8

C

IN1

C

IN2

C

OUT1

8

5

12

pF

直流特性（V

CC

= 5 V

±10%,

T

A

= 0至+ 70 ° C）

参数

符号

条件

分钟。

马克斯。

单位

记

工作电流

待机电流

自刷新电流平均

CPU内部的循环

平均电流

CPU内部的循环

平均电流

输入漏电流

输出漏电流

输出高电压

输出低电压

I

CC1

I

CC1

I

CC2

I

CC3

I

CC4

I

CC4

I

LI

I

LO

V

OH

V

OL

的tRC = 160纳秒

的tRC = 190纳秒

CE = V

IH

， OE / RFSH = V

IH

CE = V

IH

， OE / RFSH = V

IL

的tRC = 160纳秒

的tRC = 190纳秒

0 V

≤

V

IN

≤

6.5 V

0 V

≤

V

OUT

≤

V

CC

+ 0.3 V

I

OUT

= -1毫安

I

OUT

= 4毫安

-10

2.4

65

55

3

65

55

10

0.4

mA

A

V

1, 2

1

1, 2

3

注意事项：

1.指定的值与输出打开。

2. I

CC1

我

CC4

依赖于周期时间。

3.输出引脚处于高阻抗状态。

AC测试条件

参数

模式

记

输入电压幅度

输入的上升/下降时间

时序参考电平

输出负载条件

注意：

1.包括范围和夹具电容。

为0.6 2.4 V

5纳秒

1.5 V

1TTL门，C

L

= 100 pF的

1

3

LH5P832

CMOS 256K （ 32K

×

8 ）伪静态RAM

AC特性

读写周期

1,2

(V

CC

= 5.0 V

±10%,

T

A

= 0 70℃ ）

参数

符号

分钟。

160纳秒

马克斯。

分钟。

190纳秒

马克斯。

单位

记

随机读取，写入周期时间

读 - 修改 - 写周期时间

CE脉冲宽度

CE预充电时间

地址建立时间

地址保持时间

读命令保持时间

READ命令设置时间

CE访问时间

OE访问时间

CE到输出中低Z

OE为输出低Z

从写端输出使能

芯片禁用输出高阻

输出禁用输出高阻

写使能在高阻输出

OE建立时间

OE保持时间

OE交货时间

WRITE命令的脉冲宽度

写命令设置时间

写命令保持时间

从写数据建立时间

从CE数据建立时间

数据保持时间从写

数据保持时间从CE

转换时间（上升和下降）

刷新时间间隔

t

RC

t

RMW

t

CE

t

P

t

AS

t

AH

t

RCH

t

RCS

t

CEA

t

OEA

t

CLZ

t

OLZ

t

WLZ

t

CHZ

t

OHZ

t

WHZ

t

OES

t

OEH

t

OEL

t

WCP

t

WCS

t

WCH

t

DSW

t

DSC

t

DHW

t

DHC

t

T

t

REF

160

225

100

50

0

20

0

100

40

10

0

10

0

10

60

40

0

3

35

4

30

10,000

190

280

120

60

0

30

0

120

50

10

0

10

0

10

85

50

0

3

35

4

35

10,000

ns

ms

2

3

刷新周期

自动刷新周期时间

从CE刷新延迟时间

刷新脉冲宽度（自动刷新）

刷新预充电时间

（自动刷新）

从刷新活跃CE延迟时间

（自动刷新）

刷新脉冲宽度（自刷新）

从刷新CE延迟时间

预充电（自刷新）

t

FC

t

RFD

t

FAP

t

FP

t

FCE

t

FAS

t

FRS

160

50

60

30

190

8,000

190

8,000

190

60

80

30

225

8,000

225

8,000

ns

注意事项：

1.至少200

s

中电后停顿时间上应给予

器件正常工作。

CE和OE / RFSH必须固定在V

IH

200

s

从V

DD

达到指定的电压电平

和随后的至少8虚设周期。

2.交流特性在t测

T

= 5纳秒。

3.测得相当于1TTL负荷的负载电路

100 pF的。

4

CMOS 256K （ 32K

×

8 ）伪静态RAM

LH5P832

t

RC

t

CE

V

IH

V

IL

t

AS

V

A

0

- A

14

V

IH

IL

t

AH

地址

t

P

t

OEH

OE /

RFSH

V

IH

V

IL

t

RCS

V

IH

V

IL

t

OEL

t

OES

t

RCH

读/写

t

CEA

t

OEA

t

CHZ

t

OHZ

数据

OUT

V

OH

I / O

1

- I / O

8

V

OL

t

OLZ

t

CLZ

5P832-3

图3.读周期

t

RC

t

CE

V

IH

V

IL

t

AS

A

0

- A

14

V

IH

V

IL

t

AH

地址

t

P

t

OES

OE /

RFSH

V

IH

V

IL

t

WCH

t

WCS

t

WCP

V

R / W V

IH

IL

t

DSW

t

DSC

I / O

1

- I / O

8

V

IH

V

IL

DATA - IN

t

OEH

t

DHW

t

DHC

5P832-4

图4.写周期

5