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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第550页 > LH5496-65
LH5496/96H
特点
快速访问次数:
15 * / 20 /25 /五十分之三十五/ 65 / 80ns的
完整的CMOS双端口存储器阵列
完全异步读写
可扩展-的广度和深度
全,半满和空状态标志
阅读能力的重传
TTL兼容的I / O
包:
28引脚, 300mil的PDIP
28引脚, 600万PDIP
32引脚PLCC
引脚和功能兼容IDT7201
功能说明
该LH5496 / 96H是双端口存储器内部
针对实行先入先出的算法。
通过先进的双端口体系结构,它们提供
完全异步的读/写操作。空,满,和
提供半满状态标志,以防止数据溢出
流量和下溢。此外,内部逻辑提供
无限扩大在这两个词的大小和深度。
读取并自动写入操作访问SE-
在存储器中的数据quential位置被读出,在
顺序相同,它是书面的,也就是在一个先入,
先出原则。由于地址序列内部
预定义的,没有外部的地址信息是必需的
此设备的操作。第九个数据位提供
用于奇偶校验或控制信息往往需要在共产党
讯的应用程序。
空,满和半满状态标志监控
程度的数据已被写入FIFO ,并
防止操作不当(即读取如果FIFO
空,或者如果写入FIFO满) 。重传功能
将复位读地址指针到它的初始位置时,
从而允许同一数据的反复读出。
扩展和扩展输出引脚实现的
扩建计划,使个人的FIFO是
级联到更深入,而不会产生额外的
潜伏期( bubblethrough )延迟。
* LH5496只。
NC
CMOS 512
×
9 FIFO
引脚连接
28引脚PDIP
W
D
8
D
3
D
2
D
1
D
0
XI
FF
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
8
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
D
4
D
5
D
6
D
7
FL / RT
RS
EF
XO / HF
Q
7
Q
6
Q
5
Q
4
R
5496-1D
顶视图
为PDIP封装图1.引脚连接
V
CC
32引脚PLCC
顶视图
D
3
D
8
4
D
2
D
1
D
0
XI
FF
Q
0
Q
1
NC
Q
2
5
6
7
8
9
10
11
12
13
3
2
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
D
6
D
7
NC
FL / RT
RS
EF
XO / HF
Q
7
Q
6
14 15 16 17 18 19 20
Q
4
D
4
V
SS
NC
Q
3
Q
8
Q
5
R
D
5
W
5496-2D
图2. PLCC封装引脚连接
1
LH5496/96H
CMOS 512
×
9 FIFO
RS
RESET
逻辑
输入
PORT
控制
指针
数据输入
D
0
- D
8
产量
PORT
控制
指针
W
R
双端口
内存
ARRAY
512 x 9
...
数据输出
Q
0
- Q
8
逻辑
EF
FF
FL / RT
XI
扩张
逻辑
XO / HF
5496-3
图3. LH5496 / 96H框图
引脚说明
PIN TYPE *
描述
PIN TYPE *
描述
D
0
– D
8
Q
0
– Q
8
W
R
EF
FF
I
O / Z
I
I
O
O
输入数据总线
输出数据总线
写请求
读请求
空标志
满标志
XO / HF
XI
FL / RT
RS
V
CC
V
SS
O
I
I
I
V
V
扩展输出/半满标志
扩张
首先加载/重发
RESET
正电源。
* I =输入, O =输出, Z =高阻抗,V =电源电压电平
2
CMOS 512
×
9 FIFO
LH5496/96H
绝对最大额定值
1
参数
等级
电源电压V
SS
潜力
信号引脚电压V
SS
潜力
3
直流输出电流
2
存储温度范围
功率耗散(套餐限制)
直流电压应用到输出的高Z状态
-0.5V至7V的
-0.5 V到V
CC
+ 0.5 V (不超过7 V )
±50
mA
–65
o
C至150
o
C
1.0 W
-0.5 V至VCC + 0.5 V (不超过7 V )
注意事项:
1.强调高于“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个设备的压力等级只是暂时的情况。在这些或以上的任何其他条件功能操作
在该规范规定的“经营范围”表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2.输出不应该被短路超过30秒。不超过一个的输出应在任何时候被短路。
3.负下冲的1.5 V在振幅允许每循环一次长达10纳秒。
工作范围
符号
参数
最大
单位
o
C
o
C
T
A
T
A
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
温度,环境, LH5496
温度,环境, LH5496H
电源电压
电源电压
逻辑“0”输入电压
1
逻辑“1”的输入电压
0
–40
4.5
0
–0.5
2.0
70
85
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.5
V
V
V
V
注意:
1.负下冲的1.5 V在振幅允许每循环一次长达10纳秒。
DC电气特性
(以上经营范围)
符号
参数
测试条件
最大
单位
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
CC
I
CC2
I
CC3
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
平均电源电流
1
平均待机电流
1
掉电电流
1
V
CC
= 5.5 V, V
IN
= 0 V到V
CC
R
V
IH
, 0 V
V
OUT
V
CC
I
OH
= -2.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
测量在f = 40 MHz的
所有输入= V
IH
所有输入= V
CC
– 0.2 V
–10
–10
2.4
10
10
A
A
V
0.4
100
15
5
V
mA
mA
mA
注意:
1. I
CC
, I
CC2
和我
CC3
依赖于实际的输出负载和循环率。指定的值与输出打开。
3
LH5496/96H
CMOS 512
×
9 FIFO
AC测试条件
参数
等级
+5 V
1.1 k
设备
TEST
680
输入脉冲电平
输入上升和下降时间( 10 %至90 % )
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载,时序测试
V
SS
到3V
5纳秒
1.5 V
1.5 V
图4
30 pF的
*
电容
1,2
参数
等级
*
5 pF的
7 pF的
INCLUDES JIG &电容范围
5496-4
C
IN
(输入电容)
C
OUT
(输出电容)
图4.输出负载电路
注意事项:
只有1.样品进行测试。
2.的电容是在25最大值
o
下测得1.0 MHz
随着V
IN
= 0 V.
4
CMOS 512
×
9 FIFO
LH5496/96H
AC电气特性
1
(以上经营范围)
t
A
- 15纳秒
2
t
A
= 20纳秒吨
A
= 25纳秒吨
A
= 35纳秒吨
A
= 50纳秒吨
A
- 65纳秒
符号
参数
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值
最大
t
A
= 80 ns的
最小最大
单位
读周期时序
t
RC
t
A
t
RR
t
乡郊小工程
t
RLZ
t
WLZ
t
DV
t
RHZ
读周期时间
存取时间
阅读恢复时间
阅读脉宽
3
4
25
10
15
5
10
5
15
15
30
10
20
5
10
5
20
15
35
10
25
5
10
5
25
15
45
10
35
5
10
5
35
15
65
15
50
5
10
5
50
20
80
15
65
5
10
5
65
30
100
15
80
10
20
5
80
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据总线主动从读低
数据总线从写活动
4,5
数据有效期从读脉冲高
数据总线高阻从读
4
写周期时间
把脉冲宽度
3
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
重置周期时间
复位脉冲宽度
3
复位恢复时间
阅读HIGH到RS HIGH
高写入到RS HIGH
重发周期时间
重发脉冲宽度
3
写周期时序
t
WC
t
预激
t
WR
t
DS
t
DH
t
RSC
t
RS
t
RSR
t
RRSS
t
WRSS
t
RTC
t
RT
t
RTR
t
英语
t
仁人家园, FFH
t
REF
t
RFF
t
世界经济论坛
t
WFF
t
WHF
t
RHF
t
XOL
t
XOH
t
XI
t
XIR
t
XIS
25
15
10
10
0
25
15
10
15
15
25
15
10
15
10
7
25
25
20
20
20
20
25
25
18
18
30
20
10
10
0
30
20
10
20
20
30
20
10
20
10
10
30
30
25
25
25
25
30
30
20
20
35
25
10
10
0
35
25
10
25
25
35
25
10
25
10
10
35
35
25
25
25
25
35
35
25
25
45
35
10
15
0
45
35
10
35
35
45
35
10
35
10
15
45
45
35
35
35
35
45
45
35
35
65
50
15
20
0
65
50
15
50
50
65
50
15
50
10
15
65
65
45
45
45
45
65
65
50
50
80
65
15
20
5
80
65
15
65
65
80
65
15
65
10
15
80
80
60
60
60
60
80
80
65
65
100
80
15
20
5
100
80
15
80
80
100
80
15
80
10
15
100
100
60
60
60
60
100
100
80
80
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
复位时序
重发定时
重发恢复时间
复位低到空标志LOW
复位低到半满和全
高旗
读低到空标志低
读高到满标志高
写高到空标志高
写低位为全旗低
写低半满标志低
读高至半满标志高
扩展出低
扩展出高
扩展脉冲宽度
扩展恢复时间
扩大建立时间
标志时序
扩展时序
注意事项:
1. LH5496只。
在“ AC测试条件”的水平进行2.所有定时测量。
5
LH5496/96H
特点
快速访问次数:
15 * / 20 /25 /五十分之三十五/ 65 / 80ns的
完整的CMOS双端口存储器阵列
完全异步读写
可扩展-的广度和深度
全,半满和空状态标志
阅读能力的重传
TTL兼容的I / O
包:
28引脚, 300mil的PDIP
28引脚, 600万PDIP
32引脚PLCC
引脚和功能兼容IDT7201
功能说明
该LH5496 / 96H是双端口存储器内部
针对实行先入先出的算法。
通过先进的双端口体系结构,它们提供
完全异步的读/写操作。空,满,和
提供半满状态标志,以防止数据溢出
流量和下溢。此外,内部逻辑提供
无限扩大在这两个词的大小和深度。
读取并自动写入操作访问SE-
在存储器中的数据quential位置被读出,在
顺序相同,它是书面的,也就是在一个先入,
先出原则。由于地址序列内部
预定义的,没有外部的地址信息是必需的
此设备的操作。第九个数据位提供
用于奇偶校验或控制信息往往需要在共产党
讯的应用程序。
空,满和半满状态标志监控
程度的数据已被写入FIFO ,并
防止操作不当(即读取如果FIFO
空,或者如果写入FIFO满) 。重传功能
将复位读地址指针到它的初始位置时,
从而允许同一数据的反复读出。
扩展和扩展输出引脚实现的
扩建计划,使个人的FIFO是
级联到更深入,而不会产生额外的
潜伏期( bubblethrough )延迟。
* LH5496只。
NC
CMOS 512
×
9 FIFO
引脚连接
28引脚PDIP
W
D
8
D
3
D
2
D
1
D
0
XI
FF
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
8
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
D
4
D
5
D
6
D
7
FL / RT
RS
EF
XO / HF
Q
7
Q
6
Q
5
Q
4
R
5496-1D
顶视图
为PDIP封装图1.引脚连接
V
CC
32引脚PLCC
顶视图
D
3
D
8
4
D
2
D
1
D
0
XI
FF
Q
0
Q
1
NC
Q
2
5
6
7
8
9
10
11
12
13
3
2
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
D
6
D
7
NC
FL / RT
RS
EF
XO / HF
Q
7
Q
6
14 15 16 17 18 19 20
Q
4
D
4
V
SS
NC
Q
3
Q
8
Q
5
R
D
5
W
5496-2D
图2. PLCC封装引脚连接
1
LH5496/96H
CMOS 512
×
9 FIFO
RS
RESET
逻辑
输入
PORT
控制
指针
数据输入
D
0
- D
8
产量
PORT
控制
指针
W
R
双端口
内存
ARRAY
512 x 9
...
数据输出
Q
0
- Q
8
逻辑
EF
FF
FL / RT
XI
扩张
逻辑
XO / HF
5496-3
图3. LH5496 / 96H框图
引脚说明
PIN TYPE *
描述
PIN TYPE *
描述
D
0
– D
8
Q
0
– Q
8
W
R
EF
FF
I
O / Z
I
I
O
O
输入数据总线
输出数据总线
写请求
读请求
空标志
满标志
XO / HF
XI
FL / RT
RS
V
CC
V
SS
O
I
I
I
V
V
扩展输出/半满标志
扩张
首先加载/重发
RESET
正电源。
* I =输入, O =输出, Z =高阻抗,V =电源电压电平
2
CMOS 512
×
9 FIFO
LH5496/96H
绝对最大额定值
1
参数
等级
电源电压V
SS
潜力
信号引脚电压V
SS
潜力
3
直流输出电流
2
存储温度范围
功率耗散(套餐限制)
直流电压应用到输出的高Z状态
-0.5V至7V的
-0.5 V到V
CC
+ 0.5 V (不超过7 V )
±50
mA
–65
o
C至150
o
C
1.0 W
-0.5 V至VCC + 0.5 V (不超过7 V )
注意事项:
1.强调高于“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个设备的压力等级只是暂时的情况。在这些或以上的任何其他条件功能操作
在该规范规定的“经营范围”表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2.输出不应该被短路超过30秒。不超过一个的输出应在任何时候被短路。
3.负下冲的1.5 V在振幅允许每循环一次长达10纳秒。
工作范围
符号
参数
最大
单位
o
C
o
C
T
A
T
A
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
温度,环境, LH5496
温度,环境, LH5496H
电源电压
电源电压
逻辑“0”输入电压
1
逻辑“1”的输入电压
0
–40
4.5
0
–0.5
2.0
70
85
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.5
V
V
V
V
注意:
1.负下冲的1.5 V在振幅允许每循环一次长达10纳秒。
DC电气特性
(以上经营范围)
符号
参数
测试条件
最大
单位
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
CC
I
CC2
I
CC3
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
平均电源电流
1
平均待机电流
1
掉电电流
1
V
CC
= 5.5 V, V
IN
= 0 V到V
CC
R
V
IH
, 0 V
V
OUT
V
CC
I
OH
= -2.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
测量在f = 40 MHz的
所有输入= V
IH
所有输入= V
CC
– 0.2 V
–10
–10
2.4
10
10
A
A
V
0.4
100
15
5
V
mA
mA
mA
注意:
1. I
CC
, I
CC2
和我
CC3
依赖于实际的输出负载和循环率。指定的值与输出打开。
3
LH5496/96H
CMOS 512
×
9 FIFO
AC测试条件
参数
等级
+5 V
1.1 k
设备
TEST
680
输入脉冲电平
输入上升和下降时间( 10 %至90 % )
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载,时序测试
V
SS
到3V
5纳秒
1.5 V
1.5 V
图4
30 pF的
*
电容
1,2
参数
等级
*
5 pF的
7 pF的
INCLUDES JIG &电容范围
5496-4
C
IN
(输入电容)
C
OUT
(输出电容)
图4.输出负载电路
注意事项:
只有1.样品进行测试。
2.的电容是在25最大值
o
下测得1.0 MHz
随着V
IN
= 0 V.
4
CMOS 512
×
9 FIFO
LH5496/96H
AC电气特性
1
(以上经营范围)
t
A
- 15纳秒
2
t
A
= 20纳秒吨
A
= 25纳秒吨
A
= 35纳秒吨
A
= 50纳秒吨
A
- 65纳秒
符号
参数
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值
最大
t
A
= 80 ns的
最小最大
单位
读周期时序
t
RC
t
A
t
RR
t
乡郊小工程
t
RLZ
t
WLZ
t
DV
t
RHZ
读周期时间
存取时间
阅读恢复时间
阅读脉宽
3
4
25
10
15
5
10
5
15
15
30
10
20
5
10
5
20
15
35
10
25
5
10
5
25
15
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5
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ns
ns
ns
ns
ns
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ns
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数据总线主动从读低
数据总线从写活动
4,5
数据有效期从读脉冲高
数据总线高阻从读
4
写周期时间
把脉冲宽度
3
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
重置周期时间
复位脉冲宽度
3
复位恢复时间
阅读HIGH到RS HIGH
高写入到RS HIGH
重发周期时间
重发脉冲宽度
3
写周期时序
t
WC
t
预激
t
WR
t
DS
t
DH
t
RSC
t
RS
t
RSR
t
RRSS
t
WRSS
t
RTC
t
RT
t
RTR
t
英语
t
仁人家园, FFH
t
REF
t
RFF
t
世界经济论坛
t
WFF
t
WHF
t
RHF
t
XOL
t
XOH
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XI
t
XIR
t
XIS
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15
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18
18
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25
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25
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35
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25
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复位时序
重发定时
重发恢复时间
复位低到空标志LOW
复位低到半满和全
高旗
读低到空标志低
读高到满标志高
写高到空标志高
写低位为全旗低
写低半满标志低
读高至半满标志高
扩展出低
扩展出高
扩展脉冲宽度
扩展恢复时间
扩大建立时间
标志时序
扩展时序
注意事项:
1. LH5496只。
在“ AC测试条件”的水平进行2.所有定时测量。
5
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