CMOS 256K MROM
LH53259
输入电压
输出电压
工作温度
储存温度
V
IN
V
OUT
TOPR
TSTG
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3到V
CC
+0.3
0至+70
-55到+150
V
V
°C
°C
推荐工作条件
TIONS （T
A
= 0至+ 70 ° C）
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电源电压
V
CC
4.5
5.0
5.5
V
直流特性（V
CC
= 5 V
±10%,
T
A
= 0至+ 70 ° C）
参数
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
输入“低”电压
输入“高”电压
输出“低”电压
输出“高”电压
输入漏电流
输出漏电流
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
| I
LI
|
| I
LO
|
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
SB1
I
SB2
C
IN
C
OUT
I
OL
= 1.6毫安
I
OH
= –400
A
V
IN
= 0 V到V
CC
V
OUT
= 0 V到V
CC
t
RC
= 150纳秒
t
RC
= 1
s
t
RC
= 150纳秒
t
RC
= 1
s
CE = V
IH
CE = V
CC
– 0.2 V
F = 1 MHz的
T
A
= 25°C
–0.3
2.2
2.4
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
10
10
25
20
20
15
2
100
10
10
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
A
pF
pF
1
2
3
工作电流
待机电流
输入电容
输出电容
注意事项：
1. CE / OE = V
IH
或OE = V
IL
2. V
IN
= V
IH
/V
IL
，CE = V
IL
，输出打开
3. V
IN
= (V
CC
- 0.2 V ）或0.2 V ， CE = 0.2 V ，输出开路
AC特性（V
CC
= 5 V
±10%,
T
A
= 0至+ 70 ° C）
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能时间
输出保持时间
CE到输出高-Z
OE为输出高阻
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
CHZ
t
OHZ
150
150
150
10
5
70
70
80
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
注意：
1.这是成为高阻抗所需的输出的时间。
3
CMOS 256K MROM
LH53259
包图
28DIP （ DIP028 -P - 0600 ）
28
15
详细信息
13.45 [0.530]
12.95 [0.510]
1
36.30 [1.429]
35.70 [1.406]
14
0°到15°
0.30 [0.012]
0.20 [0.008]
15.24 [0.600]
典型值。
4.50 [0.177]
4.00 [0.157]
5.20 [0.205]
5.00 [0.197]
3.50 [0.138]
3.00 [0.118]
2.54 [0.100]
典型值。
0.60 [0.024]
0.40 [0.016]
最高限额
最小限制
0.51 [ 0.020 ] MIN 。
尺寸（mm） [英寸]
28DIP-2
28引脚， 600密耳DIP
28SOP （ SOP028 -P - 0450 ）
1.27 [0.050]
典型值。
1.70 [0.067]
15
8.80 [0.346]
8.40 [0.331]
12.40 [0.488]
11.60 [0.457]
0.50 [0.020]
0.30 [0.012]
28
10.60 [0.417]
1
18.20 [0.717]
17.80 [0.701]
14
1.70 [0.067]
0.20 [0.008]
0.10 [0.004]
0.15 [0.006]
1.025 [0.040]
2.40 [0.094]
2.00 [0.079]
0.20 [0.008]
0.00 [0.000]
1.025 [0.040]
尺寸（mm） [英寸]
最高限额
最小限制
28SOP
28引脚， 450万SOP
5
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