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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第826页 > LH5268A
LH5268A
特点
8,192
×
8位组织
访问时间： 100 NS （ MAX 。 ）
功耗：
操作：
220毫瓦（MAX 。 ）
55毫瓦（MAX 。 ） （T
RC
, t
WC
= 1
s)
待机：
220
W
（ MAX 。 ）
数据保存：
3.0
W
(V
CC
= 3 V ，T
A
= 25°C)
全静态操作
三态输出
采用+5 V单电源
TTL兼容的I / O
包：
28引脚， 600密耳DIP
28引脚， 300mil的SK- DIP
28引脚， 450万SOP
CMOS 64K （ 8K
×
8 ）静态RAM
描述
该LH5268A是一个静态RAM的组织为8192
×
8
位。它是用硅栅CMOS工艺制造
技术。
引脚连接
28引脚DIP
28 -PIN SK -DIP
28引脚SOP
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
5268A-1
顶视图
对于DIP图1.引脚连接， SK- DIP ，
和SOP封装
1
LH5268A
CMOS 64K （ 8K
×
8 ）静态RAM
行解码器
行地址
卜FF器
A
12
2
A
8
25
A
7
3
A
6
4
A
5
5
A
4
6
A
3
7
内存
ARRAY
(128 x 512)
28 V
CC
14 GND
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
11
12
13
15
I / O
电路
DATA CONTROL
列解码器
I / O
5
16
I / O
6
17
I / O
7
18
I / O
8
19
列地址
卜FF器
WE 27
OE 22
CE
2
26
CE
1
20
23 24 21 8 10 9
A
11
A
9
A
10
A
2
A
0
A
1
5268A-2
图2. LH5268A框图
引脚说明
信号
引脚名称
信号
引脚名称
A
0
- A
12
CE
1
- CE
2
WE
OE
地址输入
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
I / O
1
- I / O
8
V
CC
GND
NC
数据输入和输出
电源
地
无连接
2
CMOS 64K （ 8K
×
8 ）静态RAM
LH5268A
真值表
CE
1
CE
2
WE
OE
模式
I / O
1
- I / O
8
电源电流
记
H
X
L
L
L
注意：
1. X = H或L
X
L
H
H
H
X
X
L
H
H
X
X
X
L
H
DESELECT
DESELECT
写
读
输出禁用
高-Z
高-Z
D
IN
D
OUT
高-Z
待机（我
SB
)
待机（我
SB
)
工作（我
CC
)
工作（我
CC
)
工作（我
CC
)
1
1
1
绝对最大额定值
参数
符号
等级
单位
记
电源电压
输入电压
工作温度
储存温度
V
CC
V
IN
TOPR
TSTG
-0.3到+7.0
-0.3到V
CC
+ 0.3
0至+70
-65到+150
V
V
°C
°C
1
1,2
注意事项：
1.相对于GND的任何引脚上的最大适用电压。
2. V
IN
（最小值）= -3.0 V的脉冲宽度
≤50
NS 。
推荐工作条件（T
A
= 0至+ 70 ° C）
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
电源电压
输入电压
V
CC
V
IH
V
IL
4.5
2.2
-0.3
5.0
5.5
V
CC
+ 0.3
0.8
V
V
V
1
注意：
1. V
IN
（最小值）= -3.0 V的脉冲宽度
≤50
NS 。
直流特性（T
A
= 0至+ 70℃ ，V
CC
= 5 V
±10%)
参数
符号
条件
分钟。
马克斯。
单位
记
输入漏
当前
输出漏
当前
I
LI
I
LO
V
IN
= 0至V
CC
CE
1
= V
IH
或CE
2
= V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
I / O
= 0 V到V
CC
CE
1
= V
IL
, V
IN
= V
IL
或V
IH
CE
2
= V
IH
, I
I / O
= 0毫安
t
周期
=
100纳秒
t
周期
=
1.0
s
-1
-1
1
1
40
A
A
工作电流
I
CC
CE
1
= 0.2 V, V
IN
- 0.2 V或
V
CC
- 0.2 V
CE
2
= V
CC
- 0.2 V，I
I / O
= 0毫安
CE
1
= V
IH
或CE
2
= V
IL
CE2
≤
0.2 V或
CE
1
≥
V
CC
- 0.2 V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
mA
10
3
40
0.4
2.4
mA
A
V
V
1
I
SB1
待机电流
I
SB
V
OL
V
OH
输出电压
注意：
1. CE
2
应
≥
V
CC
- 0.2 V或
≤
0.2 V时， CE
1
≥
V
CC
- 0.2 V.
3
LH5268A
CMOS 64K （ 8K
×
8 ）静态RAM
AC特性
（ 1 ）读周期（T
A
= 0至+ 70℃ ，V
CC
= 5 V
±10%)
参数
符号
分钟。
马克斯。
单位
记
读周期时间
地址访问时间
芯片使能
存取时间
（ CE
1
)
（ CE
2
)
t
RC
t
AA
t
ACE1
t
ACE2
t
OE
t
OH
（ CE
1
)
（ CE
2
)
t
LZ1
t
LZ2
t
OLZ
t
HZ1
t
HZ2
t
OHZ
100
100
100
100
40
10
10
10
5
0
0
0
30
30
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
1
1
1
1
输出启用访问时间
输出保持时间
芯片使能到
在低Z输出
输出使能到输出的
低Z
芯片使能到
输出高阻
（ CE
1
)
（ CE
2
)
输出禁用输出
高-Z
注意：
1.主动输出到一个指定的高阻抗和高阻抗输出有源测试
±200
毫伏转型
从稳态水平进入试验载荷。
（ 2 ）写周期（T
A
= 0至+ 70℃ ，V
CC
= 5 V
±10%)
参数
符号
分钟。
马克斯。
单位
记
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
数据保持时间
输出写入结束活动
我们在高阻输出
OE为输出高阻
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
t
WZ
t
OHZ
100
80
80
0
60
0
40
0
10
0
0
30
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
1
注意：
1.主动输出到一个指定的高阻抗和高阻抗输出有源测试
±200
毫伏转型
从稳态水平进入试验载荷。
AC测试条件
参数
模式
记
输入电压幅度
输入的上升/下降时间
时序参考电平
输出负载条件
注意：
1.包括范围和夹具电容。
为0.6 2.4 V
10纳秒
1.5 V
1TTL + C
L
（ 100 pF的）
1
4
CMOS 64K （ 8K
×
8 ）静态RAM
LH5268A
电容
1
(T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输入电容
输入/输出电容
C
IN
C
I / O
V
IN
= 0 V
V
I / O
= 0 V
7
10
pF
pF
注意：
1，这个参数进行采样，而不是生产测试。
数据保持特性（T
A
= 0至+ 70 ° C）
参数
符号
条件
分钟。
马克斯。
单位
记
数据保留
电压
数据保留
当前
芯片禁用到
数据保留
恢复时间
V
CCDR
CE
2
≤
0.2 V或
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
V
CCDR
= 3 V,
CE
2
≤
0.2 V或
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
T
A
=
25°C
2.0
5.5
1
20
V
A
A
ns
ns
1
I
CCDR
1
t
CDR
t
R
0
t
RC
2
注意事项：
1. CE
2
应
≥
V
CCDR
- 0.2 V或
≤
0.2 V时， CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
2. t
RC
=读周期时间
CE
1
控制
（注）
V
CC
4.5 V
t
CDR
数据保持方式
t
R
2.2 V
V
CCDR
CE
1
0V
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
CE
2
控制
数据保持方式
V
CC
4.5 V
CE
2
t
CDR
t
R
V
CCDR
0.8 V
0V
CE
2
≥
0.2 V
注意：
要控制在CE中的数据保持方式
1
，修复CE的输入电平
2
V之间
CCDR
和V
CCDR
- 0.2 V或0 V至0.2 V
中的数据保持方式。
5268A-6
图3.低电压数据保留
5
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LTC1298IS8
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LT1962EMS8-5
LM339_07
LNG460NKX
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LM7171AIM
LP38500ASD-ADJ
L15-850
LF11202D/883
LQW15AN2N7C00D
LM98555CCMHX
LP3999ITLX-3.0
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