LH5164A/AH
特点
8,192
×
8位组织
访问时间： 80/100 NS （ MAX 。 ）
低功耗：
操作：
303毫瓦（ MAX 。 ） LH5164A / D / N
@ 80纳秒
248毫瓦（ MAX 。 ） LH5164A / D / N / T
@ 100纳秒
275毫瓦（ MAX 。 ） LH5164AH / HD / HN / HT
@ 100纳秒
待机：
LH5164A / D / N / T： 5.5
W
（ MAX 。 ）
LH5164AH / HD / HN / HT ：
T
A
≤
85°C: 16.5
W
（ MAX 。 ）
T
A
≤
70°C: 5.5
W
（ MAX 。 ）
全静态操作
三态输出
采用+5 V单电源
TTL兼容的I / O
可使用温度范围广
LH5164A ： -10 + 70°C
LH5164AH ： -40 + 85°C
包：
28引脚， 600密耳DIP
28引脚， 300mil的SK- DIP
28引脚， 450万SOP
28引脚， 8
×
13 mm
2
TSOP （I型）
描述
该LH5164A / AH都是静态RAM组织为8,192
×
8位。它是用硅栅CMOS制造proc-
ESS技术。
该LH5164AH设计用于很宽的温度
范围从-40到+ 85°C 。
CMOS 64K （ 8K
×
8 ）静态RAM
引脚连接
28引脚DIP
28 -PIN SK -DIP
28引脚SOP
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
5164A-1
顶视图
对于DIP图1.引脚连接， SK- DIP ，
和SOP封装
28引脚TSOP （ I型）
顶视图
OE
A
11
A
9
A
8
CE
2
WE
V
CC
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
10
CE
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
GND
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
5164A-8
为TSOP封装图2.引脚连接
1
LH5164A/AH
CMOS 64K （ 8K
×
8 ）静态RAM
A
3
A
4
A
5
A
6
7
行地址
缓冲器
6
5
4
行解码器
A
7
3
A
8
25
A
9
24
A
12
2
内存
ARRAY
(256 x 256)
28 V
CC
14 GND
I / O
1
11
I / O
2
12
I / O
3
13
I / O
4
15
I / O
5
16
I / O
6
17
I / O
7
18
I / O
8
19
I / O
电路
DATA CONTROL
列解码器
列地址
卜FF器
WE 27
OE 22
CE
2
26
CE
1
20
10
A
0
注意：
引脚数适用于28引脚DIP ， SK- DIP ， SOP或。
9
A
1
8
A
2
21
A
10
23
A
11
5164A-2
图3. LH5164A / AH框图
引脚说明
信号
引脚名称
信号
引脚名称
A
0
- A
12
CE
1
- CE
2
WE
OE
地址输入
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
I / O
1
- I / O
8
V
CC
GND
NC
数据输入和输出
电源
地
无连接
真值表
CE
1
CE
2
WE
OE
模式
I / O
1
- I / O
8
电源电流
记
H
X
L
L
L
注意：
1. X = H或L
X
L
H
H
H
X
X
L
H
H
X
X
X
L
H
DESELECT
DESELECT
写
读
输出禁用
高-Z
高-Z
D
IN
D
OUT
高-Z
待机（我
SB
)
待机（我
SB
)
工作（我
CC
)
工作（我
CC
)
工作（我
CC
)
1
1
1
2
CMOS 64K （ 8K
×
8 ）静态RAM
LH5164A/AH
绝对最大额定值
参数
符号
80纳秒
等级
100纳秒
等级
单位
记
电源电压
输入电压
工作温度
储存温度
V
CC
V
IN
TOPR
TSTG
-0.3到+7.0
-0.3到V
CC
+ 0.3
-10至+70
-55到+150
-0.3到+7.0
-0.3到V
CC
+ 0.3
-10至+70
-40至+85
-55到+150
V
V
°C
°C
°C
1
1, 2
3
4
注意事项：
1.相对于GND的任何引脚上的最大适用电压。
2. V
IN
（最小值）= -3.0 V的脉冲宽度
≤50
NS 。
3. LH5164A / AD / AN / AT
4. LH5164AH / AHD / AHN / AHT
推荐工作条件
参数
符号
分钟。
80纳秒
典型值。
1
100纳秒
单位
马克斯。
记
马克斯。
分钟。
典型值。
电源电压
输入电压
V
CC
V
IH
V
IL
4.5
2.2
-0.3
5.0
5.5
V
CC
+ 0.3
0.8
4.5
2.2
-0.3
5.0
5.5
V
CC
+ 0.3
0.8
V
V
V
2
注意事项：
1. T
A
= -10 + 70 ° C（ LH5164A / AD / AN / AT ） ，T
A
= -40+ 85°C （ LH5164AH / AHD / AHN / AHT ） 。
2. V
IN
（最小值）= -3.0 V的脉冲宽度
≤50
NS 。
DC特性
1
(V
CC
= 5 V
±10%)
参数
符号
条件
分钟。
马克斯。
单位
记
输入漏电流
输出漏
当前
I
LI
I
LO
V
IN
= 0至V
CC
CE
1
= V
IH
或CE
2
= V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
I / O
= 0至V
CC
CE
1
= V
IL
, V
IN
= V
IL
或V
IH
t
周期
=
80纳秒
CE
2
= V
IH
，输出打开
CE
1
= V
IL
, V
IN
= V
IL
或V
IH
CE
2
= V
IH
，输出打开
t
周期
=
100纳秒
-1.0
-1.0
1.0
1.0
55
45
50
A
A
mA
2
3
mA
工作电流
I
CC
待机电流
I
SB1
V
OL
V
OH
输出电压
CE
1
= V
IL
, V
IN
- 0.2 V或
t
周期
=
V
CC
- 0.2 V
1.0
s
CE
2
= V
IH
，输出打开
CE
1
= V
IH
或CE
2
= V
IL
T
A
≤
70°C
CE
2
≤
0.2 V或
CE
1
≥
V
CC
- 0.2 V
T
A
≤
85°C
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1毫安
10
5
1.0
3.0
0.4
2.4
mA
A
A
V
V
2, 3, 4
3, 4
注意事项：
1. T
A
= -10至70° C（ LH5164A / AD / AN / AT ） ，T
A
= -40+ 85°C （ LH5164AH / AHD / AHN / AHT ）
2. LH5164A / AD / AN / AT
3. LH5164AH / AHD / AHN / AHT
4. CE
2
应
≥
V
CC
- 0.2 V或
≤
0.2 V时， CE
1
≥
V
CC
– 0.2 V
3
LH5164A/AH
CMOS 64K （ 8K
×
8 ）静态RAM
AC特性
1
（ 1 ）读周期（V
CC
= 5 V
±10%)
参数
符号
分钟。
80纳秒
马克斯。
分钟。
100纳秒
马克斯。
单位
记
读周期时间
地址访问时间
芯片使能
存取时间
（ CE
1
)
（ CE
2
)
t
RC
t
AA
t
ACE1
t
ACE2
t
OE
t
OH
（ CE
1
)
（ CE
2
)
t
LZ1
t
LZ2
t
OLZ
t
HZ1
t
HZ2
t
OHZ
80
80
80
80
40
10
10
10
5
0
0
0
30
30
20
100
100
100
100
40
10
10
10
5
0
0
0
30
30
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
1
1
1
1
输出启用访问时间
输出保持时间
芯片使能到
在低Z输出
输出使能到输出的
低Z
芯片使能到
输出高阻
（ CE
1
)
（ CE
2
)
输出禁用输出
高-Z
（ 2 ）写周期（ V
CC
= 5 V
±10%)
参数
符号
分钟。
80纳秒
马克斯。
分钟。
100纳秒
马克斯。
单位
记
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
数据保持时间
输出写入结束活动
我们在高阻输出
OE为输出高阻
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
t
WZ
t
OHZ
80
70
70
0
60
0
40
0
10
0
0
30
20
100
80
80
0
60
0
40
0
10
0
0
30
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2
2
2
注意事项：
1. T
A
= -10 + 70 ° C（ LH5164A / AD / AN / AT ） ，T
A
= -40+ 85°C （ LH5164AH / AHD / AHN / AHT ）
2.有源输出到一个指定的高阻抗和高阻抗，输出有源测试
±200
毫伏转型
从稳态水平进入试验载荷。
AC测试条件
参数
模式
记
输入电压幅度
输入的上升/下降时间
时序参考电平
输出负载条件
为0.6 2.4 V
10纳秒
1.5 V
1TTL + C
L
（ 100 pF的）
1
注意：
1.包括范围和夹具电容。
4
CMOS 64K （ 8K
×
8 ）静态RAM
LH5164A/AH
电容
1
(T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输入电容
输入/输出电容
C
IN
C
I / O
V
IN
= 0 V
V
I / O
= 0 V
7
10
pF
pF
注意：
1，这个参数进行采样，而不是生产测试。
数据保持特性
1
参数
符号
条件
分钟。
马克斯。
单位
记
数据保持电压
V
CCDR
CE
2
≤
0.2 V或
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
V
CCDR
= 3 V,
CE
2
≤
0.2 V或
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
T
A
=
25°C
T
A
=
40°C
T
A
=
25°C
T
A
=
70°C
2.0
5.5
0.2
0.4
0.6
V
A
A
A
A
A
A
ns
ns
2
2, 3
2, 3
2, 3
2, 4
2, 4
2, 4
5
数据保持电流
I
CCDR
V
CCDR
= 3 V,
CE
2
≤
0.2 V或
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
0.2
0.6
1.5
芯片被禁止到数据保留
恢复时间
t
CDR
t
R
0
t
RC
注意事项：
1. T
A
= -10 + 70 ° C（ LH5164A / AD / AN / AT ） ，T
A
= -40+ 85°C （ LH5164AH / AHD / AHN / AHT ）
2. CE
2
应
≥
V
CCDR
- 0.2 V或
≤
0.2 V时， CE
1
≥
V
CCDR
– 0.2 V
3. LH5164A / AD / AN / AT
4. LH5164AH / AHD / AHN / AHT
5. t
RC
=读周期时间
5
QQ：2880707522 复制
