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P
RODUCT
S
PECIFICATIONS
集成电路集团
LH28F800BVE-TV85
8M ( 1MB × 8 / 512K × 16 )
(型号: LHF80V25 )
FL灰内存
规范编号: EL109061B
发行日期: 1999年9月16日
SHARP
LHF80V25
●手柄
本文精心为它包含的材料受国际版权法保护。
禁止任何复制,全本材料的或部分未经明确的书面
该公司的许可。
利用本文所涵盖的产品,请遵守此写入和条件
注意事项以下段落所述。在任何情况下,本公司对任何法律责任
从失败造成的损失要严格遵守这些条件和注意事项。
( 1 )所涉及的产品中,设计和制造用于下列应用
区。当使用本文中所涵盖的第( 2 )所列设备的产品,
甚至对于以下应用领域,一定要遵守的注意事项,
第( 2 ) 。不要使用产品的第( 3 )所列设备。
·办公室
电子
仪表
和测量设备
工具
视听
设备
主页
器具
通讯
设备比干线等
(2)利用覆盖这里为以下设备的产品的那些考虑这
要求高可靠性,应首先联系销售代表的公司,然后
接受责任纳入到设计故障安全操作,冗余和
其他适当的措施,以确保在设备和的可靠性和安全性
整个系统。
控制
和用于飞机,火车,汽车和其他安全装置
交通运输设备
主机
电脑
·交通
控制系统
·气体
泄漏探测器和自动切断装置
救援
和安全设备
其他
安全设备和安全设备等。
( 3 )不要使用本文中所涵盖的产品用于以下设备它要求
极高的性能的功能性,可靠性,或准确性方面。
航空
设备
通信
设备干线
控制
设备为核电行业
·医疗
设备相关的生活配套等
( 4 )请直接与有关上述三种解释所有的疑问和意见
段落销售代表的公司。
●请
所有直接有关本文中涉及到销售代表的产品查询
公司。
修订版1.1
SHARP
LHF80V25
1
目录
页面
1引言................................................ .............. 3
1.1特性................................................ ........................ 3
1.2产品概述............................................... .......... 3
2个运行原理........................................ 7
2.1数据保护............................................... .............. 8
3总线操作............................................... ............. 8
3.1阅读................................................ .............................. 8
3.2输出禁止............................................... ............... 8
3.3待机................................................ ......................... 8
3.4深度掉电............................................. .......... 8
3.5读取识别码操作.................................. 9
3.6写................................................ ............................. 9
4命令定义............................................. 9
4.1读阵列命令.............................................. .. 12
4.2读取识别码命令............................... 12
4.3读状态寄存器命令................................. 12
4.4清除状态寄存器命令................................. 12
4.5块擦除命令.............................................. 12
4.6字/字节写命令....................................... 13
4.7块擦除挂起命令................................ 13
4.8字/字节写入暂停命令........................ 14
4.9注意事项的挂起......................................... 14
4.10块锁定............................................... ........... 14
4.10.1 V
PP
=V
IL
为完整的保护...................... 14
4.10.2 WP # = V
IL
对于块锁定.............................. 14
4.10.3 WP # = V
IH
座解锁.......................... 14
页面
5设计考虑...................................... 20
5.1三线输出控制....................................... 20
5.2 RY / BY #和块擦除和字/字节写
投票................................................. ..................... 20
5.3电源去耦........................................ 20
5.4 V
PP
跟踪印刷电路板........................ 20
5.5 V
CC
, V
PP
, RP #转换....................................... 21
5.6电/断电保护...................................... 21
5.7功耗............................................... ...... 21
6电气规范............................... 22
6.1绝对最大额定值..................................... 22
6.2工作条件............................................... 22
6.2.1电容.............................................. ........... 22
6.2.2 AC输入/输出测试条件....................... 23
6.2.3直流特性............................................. 24
6.2.4交流特性 - 只读操作....... 26
6.2.5交流特性 - 写操作............... 29
6.2.6替代CE# -Controlled写..................... 31
6.2.7复位操作............................................. .... 33
6.2.8块擦除和字/字节写入性能34
7包装和包装规格......... 35
修订版1.1
SHARP
LHF80V25
2
LH28F800BVE-TV85
8M - BIT (为1Mbit × 8 /达512Kbit × 16 )
SMART5快闪记忆体
SMART5技术
4.5V-5.5V V
CC
4.5V - 5.5V或11.4V - 12.6V V
PP
用户可配置的× 8或× 16运行
高性能访问时间
85ns(4.5V-5.5V)
工作温度
0 ° C至+ 70°C
优化阵列无阻塞架构
两个4K字引导块
六4K字的参数块
十五个32K字块主
顶级位置启动
扩展循环能力
100000块擦除周期
增强的自动暂停选项
字/字节写入暂停阅读
块擦除挂起到Word /字节写
块擦除挂起阅读
增强的数据保护功能
绝对保护与V
PP
= GND
块擦除和字/字节写入锁定
电源转换期间
引导街区保护与WP # = V
IL
自动字/字节写入和块擦除
命令的用户界面
状态寄存器
低功耗管理
深度掉电模式
自动节能模式减小
I
CC
在静态模式
SRAM兼容写接口
行业标准包装
48引脚TSOP
ETOX
TM *
非易失性闪存技术
的CMOS工艺( P型硅衬底)
没有设计或评为抗辐射
SHARP的LH28F800BVE - TV85闪存与SMART5技术是一种高密度,低成本,非易失性,读/写
对于一个宽范围的应用的存储解决方案。 LH28F800BVE - TV85可以在V操作
CC
= 4.5V - 5.5V和V
PP
=4.5V-5.5V.
它的低电压工作能力,实现了电池寿命和西服的手机应用程序。
它的启动,参数及主要封闭的架构,灵活的电压和延长循环提供了高度灵活的
部件适合于便携式终端和个人计算机。其增强的暂停功能,提供了一个理想的
解码+数据存储应用。为安全的代码存储应用,如网络,其中的代码是任
直接执行出闪光或下载到DRAM中, LH28F800BVE - TV85提供两级保护:绝对的
保护与V
PP
在GND ,选择硬件引导块锁定。这些替代方案为设计人员提供的最终控制自己
电码防伪的需要。
该LH28F800BVE - TV85是夏普的0.35微米制造ETOX
TM *
工艺技术。它进来的行业标准
封装: 48引脚TSOP适合用于板受限的应用。
* ETOX是Intel Corporation的注册商标。
修订版1.1
SHARP
1引言
LHF80V25
3
该数据表包含LH28F800BVE - TV85
规格。部1提供的闪速存储器
概述。部分2 ,3,4和5描述了存储器
组织和功能。第6节涵盖了电气
特定连接的阳离子。
省去了一个单独的12V转换器,而
V
PP
= 12V最大化块擦除和字/字节写
性能。除了灵活的擦除和编程
电压,专用V
PP
引脚给出完整的内容
保护时, V
PP
≤V
PPLK
.
表1. V
CC
和V
PP
电压组合由参团
SMART5技术
V
CC
电压
V
PP
电压
4.5V-5.5V
4.5V-5.5V, 11.4V-12.6V
内部V
CC
和V
PP
检测电路自动
配置该设备优化的读取和写入
操作。
A命令的用户界面( CUI)作为界面
系统处理器和内部操作之间
装置。写到崔有效的命令序列
启动设备的自动化。内部写状态
机( WSM )自动执行的算法
和必要的块擦除和字/字节写时序
操作。
块擦除操作擦除设备的32K-之一
字内0.39s ( 5V V典型块
CC
, 12V V
PP
),
4K字以内0.25秒( 5V V典型块
CC
, 12V
V
PP
)独立于其他块。每个块可以是
独立擦除10万次。块擦除暂停
模式允许系统软件暂停块擦除到
读或从任何其它块中写入数据。
写入内存中的数据是字/字节进行
该设备的32K字块通常为增量
在8.4μs ( 5V V
CC
, 12V V
PP
) , 4K字块
一般在17μs ( 5V V
CC
, 12V V
PP
) 。字/字节
写入暂停模式时,系统读取数据或
从任何其他闪存阵列的位置执行代码。
1.1特性
的LH28F800BVE - TV85 SMART5闪存主要增强功能
记忆是:
Smart5
技术
增强
暂停功能
引导
座建筑
请注意以下重要区别:
V
PPLK
已降至1.5V至4.5V支持- 5.5V
块擦除和字/字节写操作。在V
PP
电压转换为GND推荐
该开关V的设计
PP
关闭读取操作期间。
利用SMART5技术,使V
CC
和V
PP
连接到4.5V - 5.5V 。
1.2产品概述
该LH28F800BVE - TV85是一个高性能的8M位
组织为1M字节的8个位或SMART5闪存
16位512K字。数据的1M字节/ 512K字是
安排在两个8K字节/ 4K字的引导块, 6 8K-
字节/ 4K字的参数块和15 64K字节/ 32K-
主字块,可单独擦除IN-
系统。存储器映射是如图3所示。
SMART5技术提供V的选择
CC
和V
PP
组合,如表1所示,满足系统
性能和功耗的期望。 V
PP
在4.5V - 5.5V
修订版1.2
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